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1
약 380~550nm 범위의 제어된 직경을 갖고 그 열전성능지수(ZT)가 약 0
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2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 코어와 쉘은 각각 약 340~480nm와 약 20~35nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어
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3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 열전성능지수(ZT)가 약 0
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4 |
4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코어는 Bi, Se, Pb, Sb, Sn으로 이루어진 그룹중 선택된 1종의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어
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5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 코어는 Bi 단결정 나노와이어인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어
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6 |
6
청구항 4에 있어서, 상기 쉘은 Te, Bi2Te3, PbTe, Sb, S중 선택된 1종임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어
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7
청구항 6에 있어서, 상기 쉘은 Te임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조를 갖는 열전 나노와이어
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8
기판상에 약 380~550nm 범위의 제어된 직경을 갖고 그 열전성능지수(ZT)가 약 0
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9 |
9
청구항 8에 있어서, 상기 나노와이어의 표면 산화층은 Ar가스의 플라즈마를 이용하여 에칭하는 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 오믹 컨텍트를 형성하는 단계는 상기 나노와이어상에 Cr박막을 증착하는 단계 및 상기 Cr 박막상에 Au 또는 Pt중 선택된 하나의 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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11
청구항 8에 있어서, 상기 나노와이어의 표면 산화층의 제거시, He 가스를 상기 챔버내로 주입하는 공정을 추가로 포함하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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12
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코어와 쉘은 각각 약 340~480nm와 약 20~35nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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13
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열전성능지수(ZT)가 약 0
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14
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코어는 Bi, Se, Pb, Sb, Sn으로 이루어진 그룹중 선택된 1종의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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15
청구항 14에 있어서, 상기 코어는 Bi 단결정 나노와이어인 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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16
청구항 14에 있어서, 상기 쉘은 Te, Bi2Te3, PbTe, Sb, S중 선택된 1종임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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17
청구항 16에 있어서, 상기 쉘은 Te임을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조방법
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