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도전성 분말, 상기 도전성 분말과의 혼합열(heat of mixing)이 0보다 작은 제1 원소를 포함하는 금속 유리, 그리고유기 비히클을 포함하고,상기 유기 비히클은 용매를 포함하며,상기 용매는 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산 및 탈염수에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 도전성 분말과 상기 제1 원소의 공융 온도는 상기 도전성 페이스트의 소성 온도보다 낮은 도전성 페이스트
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제2항에서,상기 도전성 페이스트의 소성 온도는 200℃ 내지 1000℃인 도전성 페이스트
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삭제
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제1항에서,상기 제1 원소는 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 프로메티윰(Pm), 사마리움(Sm), 루테티움(Lu), 이트륨(Y), 네오디뮴(Nd), 가돌리늄(Gd), 테르비움(Tb), 디스프로슘(Dy), 호르미움(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 도륨(Th), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무스(Bi), 게르마늄(Ge), 납(Pb), 이테르븀(Yb), 스트론튬(Sr), 유로퓸(Eu), 지르코늄(Zr), 탈륨(Tl), 리튬(Li), 하프늄(Hf), 마그네슘(Mg), 인(P), 비소(As), 팔라듐(Pd), 금(Au), 플루토늄(Pu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 규소(Si), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 백금(Pt) 및 수은(Hg)에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 금속 유리는 제2 원소 및 제3 원소를 더 포함하고,상기 금속 유리는 하기 화학식 1의 조성을 가지는 합금인 도전성 페이스트:[화학식 1]Ax-By-Cz 상기 화학식 1에서, A, B 및 C는 각각 제1 원소, 제2 원소 및 제3 원소이고, x, y 및 z는 각각 제1 원소, 제2 원소 및 제3 원소의 조성비이고, x+y+z=1이다
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제6항에서,상기 제1 원소, 상기 제2 원소 및 상기 제3 원소는 하기 관계식 1을 만족하는 비율로 포함되는 도전성 페이스트:[관계식 1]xyΔH1 + yzΔH2 + zxΔH3 003c# 0상기 관계식 1에서, ΔH1 는 제1 원소와 제2 원소의 혼합열, ΔH2 는 제2 원소와 제3 원소의 혼합열 및 ΔH3 은 제3 원소와 제1 원소의 혼합열이다
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제1항에서,상기 도전성 분말은 비저항이 100 μΩ㎝ 이하인 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 도전성 분말은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 99 중량%, 0
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제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자
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반도체 층, 그리고상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 태양 전지
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제12항에서,상기 전극은 상기 반도체 층과 인접하는 영역에 위치하는 버퍼층, 그리고 상기 버퍼층 이외의 영역에 위치하고 도전성 물질을 포함하고 있는 전극부를 포함하는 태양 전지
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제13항에서,상기 버퍼층, 상기 반도체 층과 상기 버퍼층의 계면 및 상기 반도체 층 중 적어도 하나는 결정화된 도전성 물질을 포함하는 태양 전지
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