맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전력 증폭기

  • 기술번호 : KST2015126014
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기는 MGTR(Multiple Gated Transistor)를 이용한 전력 증폭기에 있어서, 제1 바이어스 전압을 입력받아 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 바이어스 전압을 입력받아 최대 출력 전력을 증가시키는 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터, 그리고 제2 바이어스 전압을 입력받아 상기 제1 트랜지스터의 2차 미분 상호 컨덕턴스를 상쇄시키는 서브 트랜지스터를 포함한다.
Int. CL H03F 1/32 (2006.01) H03F 3/193 (2006.01)
CPC H03F 1/0233(2013.01) H03F 1/0233(2013.01) H03F 1/0233(2013.01) H03F 1/0233(2013.01)
출원번호/일자 1020110131969 (2011.12.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1317623-0000 (2013.10.02)
공개번호/일자 10-2013-0065214 (2013.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20131010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.09)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태욱 대한민국 서울특별시 서대문구
2 한현욱 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980596-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0043931-11
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0250654-22
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0352438-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0420405-69
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0420408-06
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0658098-40
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MGTR(Multiple Gated Transistor)을 이용한 전력 증폭기에 있어서:제 1 바이어스 전압을 게이트로 입력받으며, 신호를 증폭하는 제 1 트랜지스터;커패시터를 통해 상기 제 1 트랜지스터와 게이트가 서로 연결되고, 제 2 바이어스 전압을 게이트로 입력받으며, 상기 제 1 트랜지스터의 2차 미분 상호 컨덕턴스를 상쇄시키는 서브 트랜지스터;상기 제 1 트랜지스터의 드레인에 소오스가 연결되고, 게이트가 제 1 바이어스 저항을 통해 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 연결되고 제 1 커패시터를 통해 접지에 연결되며, 상기 전력 증폭기의 최대 출력 전력을 증가시키는 제 2 트랜지스터; 및상기 제 2 트랜지스터의 드레인에 소오스가 연결되고, 게이트가 제 2 바이어스 저항을 통해 상기 제 2 트랜지스터의 게이트에 연결되고 제 2 커패시터를 통해 접지에 연결되고, 게이트와 드레인 사이에 제 3 바이어스 저항이 연결되며, 상기 전력 증폭기의 최대 출력 전력을 증가시키는 제 3 트랜지스터를 포함하며,상기 제 1 트랜지스터, 상기 제 2 트랜지스터 및 상기 제 3 트랜지스터는, 상기 제 1 바이어스 저항, 상기 제 2 바이어스 저항 및 상기 제 3 바이어스 저항에 의해 드레인-소오스 전압이 동일하게 설정되어 동일한 전류가 흐르며,상기 제 2 커패시터의 커패시턴스는 상기 제 1 커패시터의 커패시턴스보다 큰 값을 가져, 상기 제 3 트랜지스터의 전압 스윙이 상기 제 2 트랜지스터의 전압 스윙보다 크게 설정되는 전력 증폭기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 바이어스 전압과 상기 제 2 바이어스 전압은 서로 다르게 설정되는 전력 증폭기
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 바이어스 전압은 상기 제 1 트랜지스터가 포화 영역에서 동작하도록 설정되고,상기 제 2 바이어스 전압은 상기 제 2 트랜지스터가 서브 문턱 영역에서 동작하도록 설정되는 전력 증폭기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터의 게이트 길이는 상기 서브 트랜지스터의 게이트 길이와 상이한 전력 증폭기
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터의 게이트 폭은 상기 서브 트랜지스터의 게이트 폭과 상이한 전력 증폭기
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.