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폐열 회수를 위한 평면형 열전소자 및 그 제조방법, 평면형 열전소자를 구비한 열전발전장치

  • 기술번호 : KST2015126025
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면형 열전소자에 관한 것으로서, 특히, 열전소자의 양단에 위치한 두 접점부 간의 온도 차를 극대화시켜 높은 기전력 발생을 유도할 수 있고, 간단한 제조공정을 통해 저렴한 비용으로 용이하게 제조할 수 있는 평면형 열전소자 및 그 제조방법, 평면형 열전소자를 구비한 열전발전장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상부의 동일 평면상에 교대로 번갈아 배열되는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자; 상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자와 N형 열전반도체 소자의 한쪽 끝단에 연결되는 열접점(hot junction)부; 및 상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자의 다른 한쪽 끝단에 연결되는 냉접점(cold junction)부;를 포함하여 이루어지되, 상기 기판의 하부에는 상기 열접점부 및 냉접점부에 대응되는 위치에 서로 다른 열전도도를 갖는 2종의 물질이 각각 부착되어 형성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H02N 3/00 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120029847 (2012.03.23)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1308422-0000 (2013.09.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용준 대한민국 서울 용산구
2 김민기 대한민국 서울 서대문구
3 조성은 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0235393-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0034143-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0328170-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0636277-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0636279-56
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0595400-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부의 동일 평면상에 교대로 번갈아 배열되는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자;상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자와 N형 열전반도체 소자의 한쪽 끝단에 연결되는 열접점(hot junction)부; 및상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자의 다른 한쪽 끝단에 연결되는 냉접점(cold junction)부;를 포함하여 이루어지되,상기 기판의 하부에는 상기 열접점부 및 냉접점부에 대응되는 위치에 서로 다른 열전도도를 갖는 2종의 물질이 각각 부착되어 형성되며,상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 상기 열접점부에 대응하는 물질보다 열전도도가 작으며,상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 열접점부에 대응하는 물질은 Si(silicon)이고, 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질의 부착면적은 상기 열접점부에 대응하는 물질의 부착면적보다 큰 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 및 상기 기판은 굽힘이 가능한 유연성 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 열접점부와 냉접점부는 상기 기판 위에 증착시켜 형성한 금속층인 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속층을 기판에 부착시키기 위한 접착층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자
8 8
열을 발생하는 열발생부와, 상기 열발생부에서 발생된 열을 전달받아 전기에너지로 변환하여 출력하는 하나 이상의 평면형 열전소자를 구비한 열전발전장치에 있어서,상기 평면형 열전소자는,기판;상기 기판 상부의 동일 평면상에 교대로 번갈아 배열되는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자;상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자와 N형 열전반도체 소자의 한쪽 끝단에 연결되는 열접점(hot junction)부; 및상기 이웃하는 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자의 다른 한쪽 끝단에 연결되는 냉접점(cold junction)부;를 포함하여 이루어지되,상기 기판의 하부에는 상기 열접점부 및 냉접점부에 대응하도록 서로 다른 열전도도를 갖는 2종의 물질이 각각 부착되어 형성되며,상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 상기 열접점부에 대응하는 물질보다 열전도도가 작으며,상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 열접점부에 대응하는 물질은 Si(silicon)이고, 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 열전발전장치
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삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질의 부착면적은 상기 열접점부에 대응하는 물질의 부착면적보다 큰 것을 특징으로 하는 열전발전장치
11 11
삭제
12 12
제8항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 및 상기 기판은 굽힘이 가능한 유연성 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전발전장치
13 13
제8항에 있어서, 상기 열접점부와 냉접점부는 상기 기판 위에 증착시켜 형성한 금속층인 것을 특징으로 하는 열전발전장치
14 14
제13항에 있어서, 상기 금속층을 기판에 부착시키기 위한 접착층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 열전발전장치
15 15
(a) 기판 위에 열접점부와 냉접점부를 형성하기 위한 금속층을 형성한 후, 포토레지스트를 도포하는 단계와;(b) 리소그래피 공정을 통해 상기 포토레지스트의 일부분을 제거하여 상기 금속층의 일부분을 노출시킨 후, 상기 노출된 금속층 부분에 전기도금을 통해 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자 패턴을 형성하는 단계와;(c) 상기 열접점부와 냉접점부, 그리고 상기 P형 열전반도체 소자 및 N형 열전반도체 소자 패턴을 제외한 포토레지스트 및 금속층 부분을 에칭하는 단계와;(d) 상기 기판의 하부면에 서로 다른 열전도도를 갖는 2종의 물질을 각각 부착하는 단계;를 포함하며,상기 기판의 하부면에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 상기 열접점부에 대응하는 물질보다 열전도도가 작으며,상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 열접점부에 대응하는 물질은 Si(silicon)이고, 상기 냉접점부에 대응하는 물질은 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 (a) 단계의 금속층을 형성하기 전에 상기 기판 위에는 티타늄(Ti)으로 이루어진 접착층이 추가적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자 제조방법
17 17
삭제
18 18
제15항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 중에서 상기 냉접점부에 대응하는 물질의 부착면적은 상기 열접점부에 대응하는 물질의 부착면적보다 큰 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자 제조방법
19 19
삭제
20 20
제15항에 있어서, 상기 기판 하부에 부착되는 2종의 물질 및 상기 기판은 굽힘이 가능한 유연성 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면형 열전소자 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 원천기술개발사업 미래유망융합기술 파이오니어 사업 인체 에너지 수확을 위한 재료 및 패키징 기술