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전자석의 주울열을 이용하여 채널내 세포의 최적온도조절이 가능한 자성세포분리장치

  • 기술번호 : KST2015126029
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자성입자로 표지된 세포의 분리를 위해 실리콘기판위에 전자석과 미세유로채널이 통합된 세포분리용 칩 장치에 관한 것으로, 보다 상세히는 미세유체채널 및 자장을 이용한 세포분리 장치로서, 칩형태로 되어 있으며, 전자석을 이용하며, 세포시료에 손상을 주지않으며, 주울열을 이용하여 세포주입 채널내 유체온도를 세포생존의 적정온도로 유지 가능한 세포분리용 칩 장치에 관한 것이다. 본 발명의 자성세포분리장치는 실리콘웨이퍼; 상기 실리콘웨이퍼 상단에 위치하며, 세포시료가 주입되는 미세유로채널을 포함하는 유로채널부; 상기 실리콘웨이퍼 하단에 위치하며, 세포분리에 필요한 유도자장을 발생하는 전자석부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 전자석부는 컨덕터 코일, 절연층, 강자성체판을 구비하여 이루어지며, 상기 유로채널부는 미세유로채널과 냉각채널을 구비하여 이루어진다. 미세유로채널, 세포주입채널, 냉각채널, 전자석, 컨덕터코일, 강자성체판
Int. CL G01N 35/00 (2006.01)
CPC G01N 35/08(2013.01) G01N 35/08(2013.01) G01N 35/08(2013.01) G01N 35/08(2013.01) G01N 35/08(2013.01)
출원번호/일자 1020080013568 (2008.02.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0965399-0000 (2010.06.15)
공개번호/일자 10-2009-0088175 (2009.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20100624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.14)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정효일 대한민국 서울 서초구
2 송석흥 대한민국 서울 서대문구
3 곽봉섭 대한민국 서울 서대문구
4 김현석 대한민국 경북 영천시
5 김우철 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민혜정 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, ***호(방이동, 잠실리시온)(스텔라국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0111851-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0065386-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0258255-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0499925-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0499906-22
7 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0061074-38
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0516286-67
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0513029-72
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0095801-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0095797-91
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0244150-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘웨이퍼; 상기 실리콘웨이퍼 상단에 위치하며, 세포시료가 주입되는 미세유로채널을 포함하는 유로채널부; 상기 실리콘웨이퍼 하단에 위치하며, 세포분리에 필요한 유도자장을 발생하는 전자석부를 포함하는 자성세포분리장치에 있어서, 상기 유로채널부는 상기 전자석부로부터 발생한 열이 세포시료에 손상을 주지 않도록 온도를 조절하기위한 냉각채널; 상기 냉각채널의 일측에 위치되며, 상기 냉각채널로 냉각수를 주입하는 냉각채널 주입구; 상기 냉각채널의 다른 일측에 위치되며, 상기 냉각채널을 따라 흐른 냉각수를 배출하는 냉각채널 배출구; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
2 2
유로채널부와 전자석부를 구비하여 자성입자로 표지된 세포를 분리하는 자성세포분리장치에 있어서, 상기 전자석부는, 평면코일로 이루어진 컨덕터 코일; 상기 컨덕터 코일의 밑에 위치되는 절연층; 상기 절연층 밑에 위치되며, 입력전류에 의해 상기 컨덕터 코일과 함께 전기유도자장을 발생하는 강자성체판;를 포함하며, 상기 유로채널부는, 상기 전자석부로부터 발생한 열이 세포시료에 손상을 주지 않도록 온도를 조절하기위한 냉각채널; 상기 냉각채널의 일측에 위치되며, 상기 냉각채널로 냉각수를 주입하는 냉각채널 주입구; 상기 냉각채널의 다른 일측에 위치되며, 상기 냉각채널을 따라 흐른 냉각수를 배출하는 냉각채널 배출구; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
3 3
유로채널부와 전자석부를 구비하여 자성입자로 표지된 세포를 분리하는 자성세포분리장치에 있어서, 상기 유로채널부는 세포시료가 흐르면서 유도자장에 의해 자성입자로 표지된 세포와 자성입자가 제거된 용액(또는 자성입자로 표지되지 않은 세포)으로 분리되게 하는 채널인 미세유로채널; 상기 미세유로채널의 일측에 위치하여 상기 세포시료가 상기 미세유로채널로 주입하는 미세유로채널 주입구; 상기 미세유로채널의 다른 일측에 위치하며, 미세유로채널에서 분리된 자성입자로 표지된 세포와 자성입자가 제거된 용액(또는 자성입자로 표지되지 않은 세포)을 각각 배출하는 미세유로채널 배출구; 상기 전자석부로부터 발생한 열이 세포시료에 손상을 주지 않도록 온도를 조절하기위한 냉각채널; 상기 냉각채널의 일측에 위치되며, 상기 냉각채널로 냉각수를 주입하는 냉각채널 주입구; 상기 냉각채널의 다른 일측에 위치되며, 상기 냉각채널을 따라 흐른 냉각수를 배출하는 냉각채널 배출구; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 전자석부는 컨덕터 코일, 절연층, 강자성체판을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
6 6
제1항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유로채널부는 상기 전자석부로부터 발생한 열이 세포시료에 손상을 주지 않도록 온도를 조절하기 위한 냉각채널를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
7 7
제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 컨덕터 코일은 8각형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
8 8
제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 컨덕터 코일의 턴(turns) 수는 12회인 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 컨덕터코일의 폭, 두께 및 코일사이 간격은 각각 50μm, 30μm, 30μm인 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
10 10
제1항에 있어서, 상기 전자석부와 상기 실리콘웨이퍼의 사이에 산화막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
11 11
제2항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 컨덕터 코일과 상기 강자성체판은 실리콘웨이퍼 하단에 위치되되, 미세유로채널의 양측에 위치되는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
12 12
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세유로채널은 PDMS로 이루어진 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
13 13
제1항 또는 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 냉각채널은 상기 미세유로채널을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
14 14
제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 냉각채널 주입구는 미세유로채널 주입구와 같은 위치에 위치되어지는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
15 15
제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 자성세포분리장치는 하나의 칩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
16 16
제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 유로채널부는 열감지센서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
17 17
제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 냉각채널 배출구는 미세유로채널 배출구들의 가운데에 위치되어지는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
18 18
제2항에 있어서, 상기 컨덕터 코일은 구리로 이루어지며, 상기 강자성체판은 니켈로 이루어진 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
19 19
제16항에 있어서, 상기 열감지센서는 J-타입 써모커플러(J-type thermocouple)인 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
20 20
제16항에 있어서, 상기 냉각채널은 열감지센서를 통하여 온도가 측정되면, 측정온도와 목표값의 차이에 따라 냉각수의 주입을 조절하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
21 21
제20항에 있어서, 상기 목표값이 37℃인 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치
22 22
삭제
23 23
실리콘웨이퍼 상단에 미세유로채널을 생성하는 미세유로채널 생성 단계; 상기 실리콘웨이퍼 하단에 상기 미세유로채널에 유도자장을 발생하기 위한 전자석을 생성하는 전자석 생성 단계;를 포함하는 자성세포분리장치의 생성방법에 있어서, 상기 전자석 생성 단계는 실리콘 웨이퍼에 산화막을 퍼니스를 사용하여 증착하는 제1단계; 구리박막층을 물리적증착(sputtering)방법을 사용하여 웨이퍼 표면에 증착시키는 제2단계; 증착된 구리박막층 에 포토레지스트를 스핀코터(spin coater)를 사용하여 올리는 제3단계; 얼라인어(aligner)의 자외선을 사용하여 선택적 노광방법을 통해 컨덕터코일 패터닝을 하는 제4단계; 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상하는 제5단계; 형성된 컨덕터코일 패턴을 구리 전기도금방법을 통하여 증착하는 제6단계; 컨덕터코일과 강자성체판 사이의 전기적 절연층 형성을 위해 포토레지스트를 코팅 후, 130℃ 온도환경에서 경화시키는 제7단계; 강자성체판의 공정을 위해 니켈박막층을 물리적 증착방법을 사용하여 증착시키는 제8단계; 증착된 니켈박막층에 포토레지스트를 올린후 상기 제4단계 및 상기 제5단계의 공정을 진행하는 제9단계; 형성된 강자성체판 패턴을 니켈을 전기도금방법을 통하여 증착하는 제10단계; 잔류된 포토레지스트를 제거 후 최종 클리닝을 하는 제11단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치의 생성방법
24 24
실리콘웨이퍼 상단에 미세유로채널을 생성하는 미세유로채널 생성 단계; 상기 실리콘웨이퍼 하단에 상기 미세유로채널에 유도자장을 발생하기 위한 전자석을 생성하는 전자석 생성 단계;를 포함하는 자성세포분리장치의 생성방법에 있어서, 상기 미세유로채널 생성 단계는 실리콘 웨이퍼에 포토레지스트를 스핀코터를 사용하여 올리는 포토레지스트 코팅단계; 얼라인어(aligner)의 자외선을 사용하여 선택적 노광방법을 통해 채널 패터닝을 하는 채널 패터닝단계; 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상하고, 미세유로채널 이외의 포토레지스트를 제거하여 몰드를 제작하는 몰드제작단계; 제작된 미세유로채널 몰드 위에 경화제를 섞은 PDMS를 부어 오븐에 가열한 뒤 몰드를 제거하여 채널을 완성하는 채널제작단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성세포분리장치의 생성방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 서울시정개발연구원 연세대학교산학협력단 기술기반구축 나노기술을 이용한 바이오 융합산업 혁신 클러스터