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Ge 및/또는 III-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126043
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 (a) 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 절연막을 패터닝하여, 하부 트렌치 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 하부 트렌치 구조 내에 Ge 및 III-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 증착 및 성장시키는 단계; (e) 제2 절연막을 추가로 형성하는 단계; (f) 상기 제2 절연막을 패터닝하여, 상부 트렌치 구조를 형성하는 단계로서, 상기 상부 트렌치 구조는 상기 하부 트렌치 구조와 수직한 방향으로 연장되는 것인, 상기 상부 트렌치 구조를 형성하는 단계; (g) 상기 상부 트렌치 구조 내에 상기 하부 트렌치 구조에 증착 및 성장시킨 물질과 동일한 물질을 증착 및 성장시키는 단계; (e) 연마 공정을 수행하여 상기 (g) 단계에서 성장시킨 물질의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/337 (2006.01)
CPC H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01)
출원번호/일자 1020140015238 (2014.02.11)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1603508-0000 (2016.03.09)
공개번호/일자 10-2015-0094215 (2015.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20160315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산서구
2 김병주 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0131055-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0061931-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0256407-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0583557-92
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0691737-69
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0789978-75
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0899046-40
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0144593-99
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0999729-38
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0999724-11
13 등록결정서
Decision to grant
2016.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0126228-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 기판이 노출되도록 상기 절연막을 패터닝하여, 형성하고자 하는 단위 반도체 소자에 대하여 1개의 하부 트렌치 구조를 형성하는 단계로서, 상기 하부 트렌치 구조의 높이는 그 폭보다 2배 이상이 되도록 형성되는 것인, 상기 단계;(d) 상기 하부 트렌치 구조 내에서, 상기 노출된 기판 상에 Ge 층을 형성하고, 그 위에 Ge보다 밴드갭 에너지가 낮은 단일의 III-V족 화합물 반도체층을 증착 및 성장시키는 단계로서, 상기 Ge 층은 그 높이와 폭의 비가 2 이상이 되도록 형성되는 것인, 상기 단계;(e) 제2 절연막을 추가로 형성하는 단계;(f) 상기 제2 절연막을 패터닝하여, 복수 개의 상부 트렌치 구조를 형성하는 단계로서, 상기 상부 트렌치 구조는 상기 하부 트렌치 구조와 수직한 방향으로 연장되는 것인, 상기 상부 트렌치 구조를 형성하는 단계;(g) 상기 상부 트렌치 구조 내에 상기 하부 트렌치 구조에 증착 및 성장시킨 물질과 동일한 물질을 증착 및 성장시키는 단계;(h) 연마 공정을 수행하여 상기 (g) 단계에서 성장시킨 물질의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 절연막 및 제2 절연막 형성 후, 그 각각의 막 상에 스토퍼 막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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기판과;상기 기판 상에 형성된 산화막으로서, 상기 산화막에는 형성하고자 하는 단위 반도체 소자에 대하여 높이와 폭의 비가 2 이상인 1개의 하부 트렌치 구조가 형성되어 있는 것인, 상기 산화막과;상기 산화막 상에 형성되는 제2 산화막으로서, 상기 제2 산화막에는 복수 개의 상부 트렌치 구조가 형성되어 있으며, 상기 상부 트렌치 구조는 상기 하부 트렌치 구조에 수직한 방향으로 연장되는 것인, 제2 산화막과;상기 하부 및 상부 트렌치 구조 내에 형성되고, Ge 및 III-V족 화합물 반도체로 이루어지는 활성 채널층으로서, 상기 하부 트렌치 구조 내에서 상기 Ge는 상기 기판과 접촉한 채 그 높이와 폭의 비가 2 이상이 되도록 형성되고, 상기 III-V족 화합물 반도체는 Ge보다 밴드갭 에너지가 작은 것인, 상기 활성 채널층과;상기 상부 트렌치 구조의 활성 채널층 상에 형성되는 게이트 유전막과;상기 게이트 유전막 상에 형성된 금속 게이트를 포함하는 반도체 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 기판으로서 Si 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 산화막 상에 스토퍼 막을 더 포함하는 반도체 소자
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