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산화물 반도체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126139
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체의 제조 방법은 주석 원소를 포함하는 제1 화합물을 제1 열처리하는 단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 제2 화합물을 제2 열처리하는 단계, 무수화 처리된 제1 화합물 및 제2 화합물을 혼합한 후 유기 용매를 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계, 전구체 용액을 기판에 도포하여 전구체층을 형성하는 단계, 전구체층을 제3 열처리하여 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함하고, 제1 열처리는 100℃ 이상 제1 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행하고, 제2 열처리는 100℃이상 제2 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01)
출원번호/일자 1020100116897 (2010.11.23)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0055262 (2012.05.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연택 대한민국 서울특별시 강남구
2 김보성 대한민국 서울특별시 서초구
3 김영민 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
5 이두형 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 최태영 대한민국 서울특별시 성북구
7 이기범 대한민국 서울특별시 송파구
8 장선필 대한민국 서울특별시 도봉구
9 임유승 대한민국 서울특별시 강동구
10 조강문 대한민국 서울특별시 서대문구
11 김동림 대한민국 서울 노원구
12 김시준 대한민국 서울특별시 노원구
13 김두나 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0764909-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742715-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1132974-96
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0132558-31
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0746897-15
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1190712-24
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-1190710-33
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0303487-10
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0591269-59
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0591268-14
18 등록결정서
Decision to grant
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0602349-19
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수화 염화 주석 분말을 포함하는 제1 화합물을 제1 열처리하는 단계,수화 아세트산 아연 분말을 포함하는 제2 화합물을 제2 열처리하는 단계,열처리된 상기 제1 화합물 및 제2 화합물을 혼합한 후 유기 용매를 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계,상기 전구체 용액을 기판에 도포하여 전구체층을 형성하는 단계,상기 전구체층을 제3 열처리하여 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 열처리는 100℃이상 상기 제1 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행하고,상기 제2 열처리는 100℃이상 상기 제2 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행하는 산화물 반도체 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 유기 용매는 무수화 처리된 용매인 산화물 반도체 제조 방법
4 4
제1항에서,상기 전구체 용액 내의 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 몰농도는 0
5 5
제1항에서,상기 제3 열처리는 250℃~350℃의 온도에서 진행한 후 450℃~550℃의 온도에서 진행하는 산화물 반도체 제조 방법
6 6
제1항에서,상기 유기 용매는 2-메톡시 에탄올 이외에 이소프로판올(isopropanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane) 중에서 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
7 7
제1항에서,상기 전구체 용액은 용액 안정화제를 더 포함하고,상기 용액 안정화제는 알코올 아민 화합물, 알킬 암모늄 히드록시 화합물, 알킬 아민 화합물, 케톤 화합물, 산화합물, 염기 화합물 및 탈이온수(deionized water) 에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.