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아연을 공급하는 제1 화합물;인듐, 주석, 갈륨, 하프늄, 마그네슘, 알루미늄, 이트륨, 탄탈륨, 타이타늄, 지르코늄, 바륨, 란사늄, 망간, 텅스텐, 몰리브덴, 세륨, 크롬, 스칸디움, 실리콘, 네오디뮴, 및 스트론튬으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 공급하는 제2 화합물; 그리고,전도도를 조절하기 위한 안정제를 포함하며,상기 안정제는 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 총 몰수의 2 내지 12배의 몰수로 포함되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
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제1항에서,상기 안정제는 상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 총 몰수의 2 내지 8배의 몰수로 포함되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 안정제는, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로필아민, N,N-메틸에탄올아민, 아미노에틸 에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸에틸디아민, 2-(아미노에톡시)에탄올, N-t-부틸에탄올아민, N-t-부틸디에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 메틸아민, 에틸아민, 및 아세틸아세톤으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
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제3항에서,상기 아연에 대한 상기 인듐 및 주석의 원자수 비율은 1:9 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
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제3항에서,상기 아연에 대한 갈륨, 하프늄, 마그네슘, 알루미늄, 이트륨, 탄탈륨, 타이타늄, 지르코늄, 바륨, 란사늄, 망간, 텅스텐, 몰리브덴, 세륨, 크롬, 스칸디움, 실리콘, 네오디뮴 또는 스트론튬의 원자수 비율은 1:0
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제3항에 있어서,상기 제1 화합물 및 상기 제2 화합물의 농도는 각각 0
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제3항의 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 그리고,상기 조성물이 도포된 기판을 100℃ 이상 450℃ 이하에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
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8
제7항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 이상 350℃ 이하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하는 단계는 상기 산화물 박막용 조성물을 플렉시블 기판에 도포하는 것을 포함하는 산화물 박막 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하는 단계는 상기 산화물 박막용 조성물을 유리 기판에 도포하는 것을 포함하는 산화물 박막 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 산화물 박막용 조성물은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 법, 또는 롤-투-롤 공정으로 상기 기판에 도포되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
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제8항에서 상기 열처리는 퍼니스, 핫플레이트, 또는 급속열처리를 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
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제8항의 방법으로 형성된 산화물 반도체 박막;상기 산화물 반도체 박막과 이격되어 중첩하는 게이트 전극;상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 전극 일단에 위치하는 소스 전극; 그리고상기 산화물 반도체 박막과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 게이트 전극 타단에 위치하여 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 전자소자
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플렉시블 기판 또는 유리 기판 상에 형성된 산화물 반도체 박막을 포함하며,상기 산화물 반도체 박막은 제8항의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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