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슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 ＭＧ－Ｓｉ중 불순물의 정련 방법

  • 기술번호 : KST2015126187
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법이 제공된다.본 발명의 정련방법은, 정련 도가니의 분위기를, Ar과 H2의 가스혼합의 환원성 가스 분위기로 조절하는 공정; 상기 분위기로 조절된 도가니 내에 MG-Si 원료를 장입한후 가열함으로써 용융시키는 공정; 상기 MG-Si 용융된 도가니내에 실리콘 보다 밀도가 높은 SiO2를 포함하는 슬래그를 투입하는 공정; 및 상기 투입된 슬래그와 용융 Si의 계면에서의 환원정련 뿐만 아니라 상부의 용융 Si의 기화반응을 통하여 MG-Si중 불순물을 기화정련하는 공정;을 포함 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110029530 (2011.03.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1222175-0000 (2013.01.08)
공개번호/일자 10-2012-0111175 (2012.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민동준 대한민국 서울특별시 강남구
2 정은진 대한민국 인천광역시 부평구
3 김완호 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 이창희 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, B동, ****호(국제특허이창)
3 김성태 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
4 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
5 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)
6 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0235701-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0142343-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0273684-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0530860-87
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0691029-95
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.12.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1045589-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1045533-42
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0003591-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
정련 도가니의 분위기를, Ar과 H2의 가스혼합의 환원성 가스 분위기로 조절하는 공정;상기 분위기로 조절된 도가니 내에 MG-Si 원료를 장입한후 가열함으로써 용융시키는 공정;상기 MG-Si 용융된 도가니내에 실리콘 보다 밀도가 높은 SiO2를 포함하는 슬래그를 투입하는 공정; 및 상기 투입된 슬래그와 용융 Si의 계면에서의 환원정련 뿐만 아니라 상부의 용융 Si의 기화반응을 통하여 MG-Si중 불순물을 기화정련하는 공정;을 포함하고,상기 슬래그와 용융 Si의 계면에서의 환원정련시 용융 Si중 불순물인 P를 Phosphide(P3-) ion의 형태로 슬래그중으로 제거하는 것을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 도가니는 graphite, SiO2 및 SiC 중 선택된 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 도가니내에 MG-Si 원료를 장입한후 1450℃ 이상의 온도로 가열함을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 슬래그는 SiO2와, CaF2, CaO, FeO, MgO 및 MnO중 선택된 하나를 포함하는 2원계 슬래그시스템인 것을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 슬래그는 SiO2와, Al2O3-CaO, Al2O3-FeO, Al2O3-MgO, CaO-CaF2, CaO-FeO, CaO-MgO, CaO-MnO, FeO-MgO, FeO-MnO 및 FeO-Na2O중 선택된 하나를 포함하는 3원계 슬래그시스템인 것을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 슬래그는 SiO2와, Al2O3-CaF2-MgO, CaO-Al2O3-MgO, CaO-Al2O3-MnO, Al2O3-FeO-MgO, Al2O3-CaO-Na2O, FeO-MgO-Na2O 및 CaO-FeO-MnO 중 선택된 하나를 포함하는 4원계 슬래그시스템인 것을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 기화정련으로 실리콘 보다 증기압이 상대적으로 높은 불순물인 P, Mg, Ca, Al이 정련됨을 특징으로 하는 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 MG-Si중 불순물의 정련 방법
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1 WO2012133986 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012133986 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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