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1
광전층,상기 광전층 양쪽에 위치하는 제1 및 제2 전극, 그리고상기 제2 전극을 중심으로 상기 광전층의 반대쪽에 위치하는 제1 인광층을 포함하는 광 다이오드
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2
제1항에서,상기 광전층, 상기 제1 및 제2 전극, 그리고 상기 제1 인광층은 투명 또는 반투명한 광 다이오드
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3
제2항에서,상기 제1 인광층은 펜타센 퀴논(pentacenequinon)을 포함하는 광 다이오드
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제3항에서,상기 광전층은,p형 유기 반도체 물질을 포함하는 p형층, 그리고상기 p형층과 접합되어 있으며 n형 무기 반도체 물질을 포함하는 n형층을 포함하는광 다이오드
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5
제4항에서,상기 p형층은 펜타센(pentacene)을 포함하는 광 다이오드
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6
제5항에서,상기 n형층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 광 다이오드
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7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전극을 중심으로 상기 광전층의 반대쪽에 위치하는 제2 인광층을 더 포함하는 광 다이오드
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8
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 제2 전극은 산화니켈(NiOx)을 포함하는 광 다이오드
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제8항에서,상기 제1 전극은 ITO(indium-tin-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide)를 포함하는 광 다이오드
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10
광 다이오드, 그리고상기 광 다이오드와 연결되어 있는 구동 트랜지스터를 포함하며,상기 광 다이오드는,광전층,상기 광전층 양쪽에 위치하는 제1 및 제2 전극, 그리고상기 제2 전극을 중심으로 상기 광전층의 반대쪽에 위치하는 인광층을 포함하는 광 센서
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11
제10항에서,상기 광 다이오드 및 상기 구동 트랜지스터는 투명 또는 반투명한 광 센서
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12
제11항에서,상기 인광층은 펜타센 퀴논(pentacenequinon)을 포함하는 광 센서
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제12항에서,상기 광전층은,p형 유기 반도체 물질을 포함하는 p형층, 그리고상기 p형층과 접합되어 있으며 n형 무기 반도체 물질을 포함하는 n형층을 포함하는광 센서
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14
제13항에서,상기 p형층은 펜타센(pentacene)을 포함하는 광 센서
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15
제14항에서,상기 n형층은 산화아연(ZnO)을 포함하는 광 센서
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제15항에서,상기 상부 전극은 산화니켈(NiOx)을 포함하는 광 센서
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제16항에서,상기 하부 전극은 ITO(indium-tin-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide)를 포함하는 광 센서
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제9항 내지 제17항 중 어느 한 항에서,상기 구동 트랜지스터는,게이트 전극,펜타센을 포함하는 반도체층,상기 게이트 전극과 상기 반도체층 사이에 위치하는 게이트 절연막, 그리고상기 반도체층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 소스 전극은 상기 제1 전극과 연결되어 있는광 센서
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제18항에서,상기 게이트 전극은 상기 제1 전극과 동일한 물질을 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 제2 전극과 동일한 물질을 포함하는 광 센서
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제19항에서,상기 게이트 절연막은 산화알루미늄을 포함하는 광 센서
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