기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

센스 앰프 회로

기술번호 : KST2015126233
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	센스 앰프 회로가 개시된다. 센스 앰프 회로는, 셀 데이터를 인가받는 비트라인과 상보 비트라인, 상기 비트라인과 상기 상보 비트라인에 각각 연결되는 제 1, 2 부스팅 노드를 부스팅하기 위한 제 1 부스팅부, 상기 비트라인과 상기 제 1 부스팅 노드에 연결되는 제 1 감지 노드와, 상기 상보 비트라인과 상기 제 2 부스팅 노드에 연결되는 제 2 감지 노드를 부스팅하기 위한 제 2 부스팅부, 상기 부스팅된 제 1, 2 부스팅 노드와 상기 부스팅된 제 1, 2 감지 노드를 센싱하는 프리센싱부, 상기 프리센싱부의 센싱 결과에 응답하여 상기 비트라인과 상기 상보 비트라인 중 하나를 풀업 구동하는 풀업 구동부 및 상기 프리센싱부의 센싱 결과에 응답하여 상기 비트라인과 상기 상보 비트라인 중 다른 하나를 풀다운 구동하는 풀다운 구동부를 포함한다.
Int. CL	G11C 11/4091 (2006.01) G11C 7/06 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01)
CPC	G11C 7/06(2013.01) G11C 7/06(2013.01) G11C 7/06(2013.01) G11C 7/06(2013.01)
출원번호/일자	1020110040914 (2011.04.29)
출원인	에스케이하이닉스 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0122641 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.04.04)
심사청구항수	7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	에스케이하이닉스 주식회사	대한민국	경기도 이천시
2	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김광석	대한민국	경기도 이천시 대산로***번길
2	이충근	대한민국	경상남도 밀양시 진장길 *
3	윤홍일	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	신성특허법인(유한)	대한민국	서울특별시 송파구 중대로 *, ID타워 *호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	에스케이하이닉스 주식회사		경기도 이천시
2	연세대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0321299-91
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2012-5073964-60
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2012-5270171-92
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2015-5055330-26
9	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2016.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2016-0322540-52
10	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.12.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0141314-54
12	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.10.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0734554-79
13	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.11.14	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-1130306-40
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.11.14	수리 (Accepted)	1-1-2017-1130305-05
15	등록결정서 Decision to grant	2018.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0287357-52

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 셀 데이터를 인가받는 비트라인과 상보 비트라인;상기 비트라인과 상기 상보 비트라인에 각각 연결되는 제 1, 2 부스팅 노드를 부스팅하기 위한 제 1 부스팅부;상기 비트라인과 상기 제 1 부스팅 노드에 연결되는 제 1 감지 노드와, 상기 상보 비트라인과 상기 제 2 부스팅 노드에 연결되는 제 2 감지 노드를 부스팅하기 위한 제 2 부스팅부;상기 부스팅된 제 1, 2 부스팅 노드와 상기 부스팅된 제 1, 2 감지 노드를 센싱하는 프리센싱부;상기 프리센싱부의 센싱 결과에 응답하여 상기 비트라인과 상기 상보 비트라인 중 하나를 풀업 구동하는 풀업 구동부; 및상기 프리센싱부의 센싱 결과에 응답하여 상기 비트라인과 상기 상보 비트라인 중 다른 하나를 풀다운 구동하는 풀다운 구동부를 포함하고,상기 풀업 구동부는상기 제 2 감지 노드의 전압을 게이트 입력받아 상기 비트라인을 풀업 구동하는 제 1 PMOS 트랜지스터;상기 제 1 감지 노드의 전압을 게이트 입력받아 상기 상보 비트라인을 풀업 구동하는 제 2 PMOS 트랜지스터; 및상기 제 2, 1 감지 노드의 전압들을 각각 상기 제 1, 2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결하는 스위칭부를 포함하는를 포함하는 센스 앰프 회로
2	2 제 1항에 있어서,상기 제 1 부스팅부는 상기 제 1, 2 부스팅 노드에 각각 일단이 연결되는 제 1, 2 커패시터를 포함하고,상기 제 1, 2 커패시터의 타단을 통해 상기 제 1, 2 부스팅 노드에 제 1 부스팅 전압을 인가하는센스 앰프 회로
3	3 제 2항에 있어서,상기 제 1, 2 감지노드는상기 제 1, 2 부스팅 노드에 각각 연결되어 상기 제 1 부스팅 전압을 인가받는센스 앰프 회로
4	4 제 1항에 있어서,상기 제 2 부스팅부는 상기 제 1, 2 감지 노드에 각각 일단이 연결되는 제 3, 4 커패시터를 포함하고,상기 제 3, 4 커패시터의 타단을 통해 상기 제 1, 2 감지 노드에 제 2 부스팅 전압을 인가하는센스 앰프 회로
5	5 제 4항에 있어서,상기 제 1, 2 커패시터와 상기 제 3, 4 커패시터는 드레인과 소스가 결합된 MOS 트랜지스터로 구현되는센스 앰프 회로
6	6 제 1항에 있어서,상기 프리센싱부는상기 제 2 감지 노드의 전압을 게이트 입력받고, 상기 제 1 감지 노드와 상기 제 1 부스팅 노드에 드레인-소스 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터; 및상기 제 1 감지 노드의 전압을 게이트 입력받고, 상기 제 2 감지 노드와 상기 제 2 부스팅 노드에 드레인-소스 연결되는 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는센스 앰프 회로
7	7 삭제
8	8 제 1항에 있어서,상기 풀다운 구동부는상기 제 2 감지 노드의 전압을 게이트 입력받아 상기 비트라인을 풀다운 구동하는 제 3 NMOS 트랜지스터;상기 제 1 감지 노드의 전압을 게이트 입력받아 상기 상보 비트라인을 풀다운 구동하는 제 4 NMOS 트랜지스터; 및상기 제 2, 1 감지 노드를 각각 상기 제 3, 4 NMOS 트랜지스터의 게이트에 연결하는 스위칭부를 포함하는센스 앰프 회로

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0321299-91
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.06	수리 (Accepted)	4-1-2012-5073964-60
4	출원인정보변경(경정)신고서	2012.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2012-5270171-92
5	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
6	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2015-5055330-26
9	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2016.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2016-0322540-52
10	선행기술조사의뢰서	2016.12.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서	2017.02.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0141314-54
12	의견제출통지서	2017.10.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0734554-79
13	[명세서등 보정]보정서	2017.11.14	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-1130306-40
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.11.14	수리 (Accepted)	1-1-2017-1130305-05
15	등록결정서	2018.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0287357-52

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2019034211][연세대학교]	센스 앰프 회로 및 그에 따른 동작 방법	새창보기
[KST2022011305][연세대학교]	메모리 장치 및 메모리 장치의 리드 방법	새창보기
[KST2017002168][연세대학교]	반도체 메모리 장치	새창보기
[KST2020012163][연세대학교]	멀티스텝 워드라인 기반의 정적 메모리 장치 및 그 제어 방법	새창보기
[KST2020015373][연세대학교]	증폭기 회로 및 메모리	새창보기
[KST2019018526][연세대학교]	감지 증폭기 그 동작 방법	새창보기
[KST2020012164][연세대학교]	라이트 어시스트 기능을 구비하는 정적 메모리 장치 및 그 제어 방법	새창보기
[KST2019005321][연세대학교]	MOS 트랜지스터 오프셋-상쇄 차동 전류-래치형 감지 증폭기	새창보기
[KST2022024063][연세대학교]	비트라인 센스 앰프 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치	새창보기
[KST2018016680][연세대학교]	비트라인과의 전하 공유를 제어하는 정적 랜덤 액세스 메모리 장치 및 그 제어 방법	새창보기
[KST2017016717][연세대학교]	로컬 비트 라인 공유 메모리 소자 및 그 구동 방법(Local Bit Line Sharing Memory Device and Driving Method Thereof)	새창보기
[KST2017018517][연세대학교]	정적 랜덤 액세스 메모리 셀 및 그 동작 방법(STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND OPERATING METHOD THEREOF)	새창보기
[KST2018013749][연세대학교]	룩업테이블 데이터를 제공하는 장치 및 방법	새창보기
[KST2022011258][연세대학교]	강유전체 소자 기반 PUF 장치 및 이의 동작 방법	새창보기
[KST2020012651][연세대학교]	비트라인의 전하 공유에 기반하는 CIM 장치 및 그 동작 방법	새창보기
[KST2015126833][연세대학교]	감지 증폭기 및 그를 이용한 반도체 메모리 장치	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택