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유리 기재의 적어도 일면을 에칭하여 유리 기재 표면의 산화막과 미세크랙을 제거하여 유리 기재를 1차 강화하는 단계; 상기 유리 기재의 에칭된 적어도 일면에 칼륨계 물질을 접촉하거나 도포함으로써 이온교환하여 유리 기재를 2차 강화하는 단계;를 포함하되,상기 유리 기재를 2차 강화하는 단계는, 상기 칼륨계 물질에 은 또는 은염 또는 구리계 물질을 더 혼합하여 유리 기재에 항균성을 부여하면서 동시에 강화하는 단계인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화를 위한 이온교환 방법
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제 1 항에 있어서,상기 에칭을 통해 산화막과 미세크랙을 제거한 결과 90 ~ 93%의 광투과율 값을 갖는 유리가 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화를 위한 이온교환 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼륨계 물질은 질산칼륨의 분말, 분쇄물, 졸(sol)을 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화를 위한 이온교환 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온교환 단계에서, 이온교환온도까지 승온함에 있어서 분당 8 ~ 15℃의 승온속도가 되도록 하고, 440 ~ 460℃의 온도에서 10 ~ 20분 유지하는 가열 이력을 포함하여 가열공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화를 위한 이온교환 방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 유리 기재를 2차 강화하는 단계 이후에, 은 또는 은염 또는 구리계 물질을 접촉하거나 도포함으로써 이온교환하여 유리 기재에 항균성을 부여하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화 및 항균처리를 위한 이온교환 방법
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제 6 항에 있어서,상기 항균성을 부여하는 단계에서는 이온교환온도까지 승온함에 있어서 분당 8 ~ 15℃의 승온속도가 되도록 하고, 240 ~ 280℃의 온도에서 0분 초과 10분 이하의 유지시간을 적용하는 가열 이력을 포함하여 가열공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화 및 항균처리를 위한 이온교환 방법
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제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 유리 기재의 일면에만 은 또는 구리계 물질을 접촉하거나 도포하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화 및 항균처리를 위한 이온교환 방법
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제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,유리 기재의 양면에서 모두 이온교환을 적용하되, 칼륨계 물질에 대한 은 또는 은염 또는 구리계 물질의 상대량이 0 초과 0
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제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 은염 및 구리계 물질은 각각 질산은과 질산구리의 분말, 분쇄물 또는 용액인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리의 강화 및 항균처리를 위한 이온교환 방법
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삭제
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제 1 항 또는 제 6 항의 방법에 의해 제조되어 90 ~ 92%의 광투과율, 580 ~ 620MPa의 강도값을 갖는 것을 특징으로 하는 이온교환에 의해 강화된 디스플레이용 항균 유리
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