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도전성 분말,금속 유리, 그리고유기 비히클을 포함하고,상기 금속 유리는 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 열처리시 열처리전보다 비저항이 감소하는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 금속 유리는 상기 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 열처리시 열처리전의 비저항보다 1% 내지 95% 감소한 비저항을 가지는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 금속 유리는 상기 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 적어도 일부가 결정화되는 도전성 페이스트
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제3항에서,상기 금속 유리는 적어도 둘 이상의 원소를 포함하고,상기 적어도 둘 이상의 원소 중 도전성이 가장 높은 원소가 우선적으로 결정화되는도전성 페이스트
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제4항에서,상기 도전성이 가장 높은 원소는 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 아연(Zn), 니켈(Ni), 칼륨(K), 리튬(Li), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 크롬(Cr), 스트론튬(Sr) 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트
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삭제
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제1항에서,상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 99중량%, 0
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도전성 분말, 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 열처리시 열처리전보다 비저항이 감소하는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자
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제8항에서,상기 금속 유리는 상기 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 적어도 일부가 결정화되는 전자 소자
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제9항에서,상기 금속 유리는 적어도 둘 이상의 원소를 포함하고,상기 적어도 둘 이상의 원소 중 도전성이 가장 높은 원소가 우선적으로 결정화되는전자 소자
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제10항에서,상기 도전성이 가장 높은 원소는 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 아연(Zn), 니켈(Ni), 칼륨(K), 리튬(Li), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 크롬(Cr), 스트론튬(Sr) 또는 이들의 조합을 포함하는 전자 소자
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제8항에서,상기 전극은 결정화된 금속 유리를 포함하는 도전성 버퍼층, 그리고 전극부를 포함하는 전자 소자
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제12항에서,상기 도전성 버퍼층은 결정화된 도전성 분말을 포함하는 전자 소자
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반도체 층, 그리고상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 도전성 분말, 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 열처리시 열처리전보다 비저항이 감소하는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 태양 전지
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제14항에서,상기 금속 유리는 상기 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 적어도 일부가 결정화되는 태양 전지
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제14항에서,상기 금속 유리는 적어도 둘 이상의 원소를 포함하고,상기 적어도 둘 이상의 원소 중 도전성이 가장 높은 원소가 우선적으로 결정화되는태양 전지
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제16항에서,상기 도전성이 가장 높은 원소는 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 아연(Zn), 니켈(Ni), 칼륨(K), 리튬(Li), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 크롬(Cr), 스트론튬(Sr) 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
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제14항에서,상기 도전성 분말은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 상기 금속 유리 및 상기 반도체 층 중 적어도 하나에 확산되어 유입되는 태양 전지
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제14항에서,상기 전극은 반도체 층과 인접하는 영역에 위치하며 결정화된 금속 유리를 포함하는 도전성 버퍼층, 그리고 상기 도전성 버퍼층 이외의 영역에 위치하는 전극부를 포함하는 태양 전지
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제19항에서,상기 도전성 버퍼층은 결정화된 금속 유리 및 결정화된 도전성 분말을 포함하는 태양 전지
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