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산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자

  • 기술번호 : KST2015126283
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 박막 조성물, 그 제조 방법, 이를 이용한 산화물 박막 및 전자 소자 형성 방법이 제공된다. 산화물 박막용 조성물은 금속 질산염, 금속 질화물 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속 전구체와 질산계 안정제를 포함한다.
Int. CL H01L 21/365 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110143833 (2011.12.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1301215-0000 (2013.08.22)
공개번호/일자 10-2013-0075463 (2013.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
2 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구
3 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1040976-58
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503396-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002513-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0120588-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0349864-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0349865-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0543242-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
금속 질산염, 금속 질화물 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속 전구체; 그리고질산계 안정제를 포함하며,상기 질산계 안정제는 질산 및 암모늄 질산염으로 이루어진 그룹에서 선택되는 산화물 박막용 조성물
3 3
제2 항에 있어서,상기 금속 전구체의 금속은 아연, 인듐, 주석, 갈륨, 하프늄, 마그네슘, 알루미늄, 이트륨, 탄탈륨, 타이타늄, 지르코늄, 바륨, 란사늄, 망간, 텅스텐, 몰리브덴, 세륨, 크롬, 스칸디움, 실리콘, 네오디뮴 및 스트론튬으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
4 4
제3 항에서,상기 금속 전구체를 용해시킬 수 있는 용매를 더 포함하며, 상기 용매는 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 디메틸포름알데히드, 에탄올, 탈이온수, 메탄올, 아세틸아세톤, 디메일아민보한 및 아세토니트릴로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
5 5
제4 항에 있어서,상기 질산계 안정제 대 상기 금속 전구체의 몰수비는 1:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
6 6
제5 항에 있어서,상기 금속 전구체는 인듐 전구체 및 아연 전구체를 포함하고, 상기 인듐 전구체 대 상기 아연 전구체의 몰수비는 1:1 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
7 7
제4 항에 있어서,상기 금속 전구체의 농도는 0
8 8
제7 항에서,상기 질산계 안정제와 금속 전구체의 몰 농도비는 1:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
9 9
제4 항에 있어서,상기 질산계 안정제와 금속 전구체의 몰 농도비는 1:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
10 10
금속 질산염, 금속 질화물 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속 전구체; 그리고질산계 안정제를 포함며,상기 금속 전구체를 용해시킬 수 있는 용매를 더 포함하며, 상기 용매는 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 디메틸포름알데히드, 에탄올, 탈이온수, 메탄올, 아세틸아세톤, 디메일아민보한 및 아세토니트릴로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
11 11
제10 항에 있어서,상기 질산계 안정제와 금속 전구체의 몰 농도비는 1:1 내지 10:1인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
12 12
제11 항에 있어서,상기 금속 전구체의 농도는 0
13 13
금속 질산염, 금속 질화물 및 이들의 수화물로 이루어진 그룹에서 선택되는 금속 전구체, 상기 금속 전구체를 용해시키기 위한 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 디메틸포름알데히드, 에탄올, 탈이온수, 메탄올, 아세틸아세톤, 디메일아민보한 및 아세토니트릴로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 용매, 그리고 질산계 안정제를 포함하는 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 그리고상기 조성물이 도포된 기판을 100℃ 이상 450℃ 이하에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 이상 300℃ 이하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
15 15
제14 항에 있어서, 상기 산화물 박막용 조성물을 기판에 도포하는 단계는 상기 산화물 박막용 조성물을 플렉시블 기판 또는 유리 기판에 도포하는 것을 포함하는 산화물 박막 형성 방법
16 16
제13 항 내지 제15 항 중 어느 한 항의 방법으로 형성된 산화물 박막;상기 산화물 박막 상에 배치된 게이트 전극; 그리고,상기 산화물 박막과 전기적으로 연결되며 상기 게이트 전극 양단에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전자소자
17 17
플렉시블 기판 또는 유리 기판 상에 형성된 산화물 박막을 포함하며, 상기 산화물 반도체 박막은 제13 항 내지 제15 항 중 어느 한 항의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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1 US08742414 US 미국 FAMILY
2 US20130161620 US 미국 FAMILY

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1 US2013161620 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8742414 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT 기술개발