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제1 광을 생성하는 발광 소자;상기 발광 소자 상에 형성되고, 상기 제1 광을 파장 변환하여 제2 광을 생성하는 제1 양자점 형광층; 및상기 발광 소자와 상기 제1 양자점 형광층 사이에 배치되고, 상기 발광소자 쪽으로 배치된 제1 층과 상기 제1 양자점 형광층 쪽으로 배치된 제n 층(단, n은 2이상의 자연수)을 포함하고, 상기 제1 층의 굴절율(refractive index)과 상기 제n 층의 굴절율은 서로 다른 제1 추출율 향상층을 포함하고, 상기 제1 층의 굴절율은 상기 제n 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제 1항에 있어서,상기 제1 양자점 형광층의 굴절율은 상기 제n 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제 1항에 있어서,상기 발광 소자는 패키지 바디 상에 형성되고, 상기 패키지 바디 상에 상기 발광 소자를 덮도록 형성된 수지층을 더 포함하고,상기 수지층의 굴절율은 상기 제1 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제 1항에 있어서,상기 n은 3이상의 자연수이고,상기 제1 추출율 향상층은 상기 제1 층과 상기 제n 층 사이에 순차적으로 적층된 제2 내지 제n-1 층을 더 포함하고,상기 제1 층에서 상기 제n 층으로 올라갈수록, 각 층의 굴절율은 점차적으로 작아지는 발광 장치
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제 5항에 있어서,상기 n은 14이고,상기 제1 층의 굴절율은 1
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제 6항에 있어서,상기 제1 층에서 상기 제n 층으로 올라갈수록, 각 층의 굴절율은 0
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제 1항에 있어서,상기 제1 양자점 형광층 상에 형성되고, 상기 제1 광 또는 상기 제2 광을 파장 변환하여 제3 광을 생성하는 제2 양자점 형광층을 더 포함하는 발광 장치
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제 8항에 있어서,상기 제1 양자점 형광층과 상기 제2 양자점 형광층 사이에 배치되고, 상기 제1 양자점 형광층 쪽으로 배치된 제n+1 층과 상기 제2 양자점 형광층 쪽으로 배치된 제n+m 층(단, m은 2이상의 자연수)을 포함하고, 상기 제n+1 층의 굴절율과 상기 제n+m 층의 굴절율은 서로 다른 제2 추출율 향상층을 포함하는 발광 장치
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제 9항에 있어서,상기 제n+1 층의 굴절율은 상기 제n+m 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 제2 양자점 형광층의 굴절율은 상기 제n+m 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제 9항에 있어서,상기 m은 3이상의 자연수이고,상기 제2 추출율 향상층은 상기 제n+1 층과 상기 제n+m 층 사이에 순차적으로 적층된 제n+2 내지 제n+m-1 층을 더 포함하고,상기 제n+1 층에서 상기 제n+m 층으로 올라갈수록, 각 층의 굴절율은 점차적으로 작아지는 발광 장치
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제 12항에 있어서,상기 m은 14이고,상기 제n+1 층의 굴절율은 1
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제1 광을 생성하는 발광 소자;상기 발광 소자 상에 형성되고, 상기 제1 광을 파장 변환하여 제2 광을 생성하는 제1 양자점 형광층; 상기 발광 소자와 상기 제1 양자점 형광층 사이에 순차적으로 적층된 제1 내지 제n 층을 포함하고, 상기 제1 층에서 제n 층(단, n은 2이상의 자연수)으로 올라갈수록 각 층의 굴절율은 점차적으로 작아지는 제1 추출율 향상층; 상기 제1 양자점 형광층 상에 형성되고, 상기 제1 광 또는 제2 광을 파장 변환하여 제3 광을 생성하는 제2 양자점 형광층; 상기 제1 양자점 형광층과 상기 제2 양자점 형광층 사이에 순차적으로 적층된 제n+1 내지 제n+m 층(단, m은 2이상의 자연수)을 포함하고, 상기 제n+1 층에서 제n+m 층으로 올라갈수록 각 층의 굴절율은 점차적으로 작아지는 제2 추출율 향상층을 포함하는 발광 장치
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제 14항에 있어서,상기 제1 양자점 형광층은 레드 형광체를 포함하고, 상기 제2 양자점 형광층은 그린 형광체를 포함하는 발광 장치
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제 14항에 있어서,상기 제1 층의 굴절율은 1
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제 14항에 있어서,상기 제1 양자점 형광층의 굴절율은 상기 제1 층 및 제n 층의 굴절율보다 크고,상기 제2 양자점 형광층의 굴절율은 상기 제n+1 층 및 제n+m 층의 굴절율보다 큰 발광 장치
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제1 광을 생성하는 발광 소자;상기 발광 소자 상에 형성되고, 상기 제1 광을 파장 변환하여 제2 광을 생성하는 제1 양자점 형광층; 및상기 발광 소자와 상기 제1 양자점 형광층 사이에 배치되고, 상기 발광소자 쪽에서 제1 양자점 형광층 쪽으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 작아지는 추출율 향상층을 포함하는 발광 장치
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