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산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126326
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 따르면, 기판 상에, 금속 옥살레이트 및 용매를 포함하는 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하고, 상기 박막을 어닐링하고, 상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)
CPC C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01) C01G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110145657 (2011.12.29)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0077116 (2013.07.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연택 대한민국 서울특별시 강남구
2 김보성 대한민국 서울특별시 서초구
3 이두형 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 김두나 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 박은혜 대한민국 인천광역시 남동구
6 김동림 대한민국 서울특별시 노원구
7 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
8 임유승 대한민국 서울특별시 강동구
9 임현수 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1048767-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739430-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-1205450-19
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0011182-98
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0048089-26
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0259339-93
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0259322-17
14 등록결정서
Decision to grant		 2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0488541-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 옥살레이트; 및용매를 포함하고,상기 금속 옥살레이트는 할로겐산, H20, 질산, 아세트산, 황산, 인산, 옥살산, 과염소산 또는 불화붕소산과 결합하여 착화합물을 형성하며,상기 착화합물은 아래의 화학식 1로 나타내지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 옥살레이트는 옥살레이트 이온과 결합된 Zn, Sn, In 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
금속 옥살레이트; 및용매를 포함하고,상기 금속 옥살레이트는 할로겐산, H20, 질산, 아세트산, 황산, 인산, 옥살산, 과염소산 또는 불화붕소산과 결합하여 착화합물을 형성하며,상기 착화합물은 아래의 화학식 2 또는 3으로 나타내지는 클러스터, 나노 입자 또는 졸-겔을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 용매는 물, 테트라하이드로퓨란, 알코올 및 에테르로이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
7 7
금속염;옥살산 화합물; 및용매를 포함하고,상기 금속염은 Zn, Sn, In 또는 Ga의 할로겐화물, 니트레이트, 알콕사이드, 하이드록사이드, 아세테이트, 설포네이트, 포스페이트, 퍼클로레이트, 옥살레이트 및 플루오보레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하며, 상기 옥살산 화합물은 옥살산을 포함하고,상기 금속염의 몰 농도는 0
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 알루미늄(Al), 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 이트륨(Y), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 란타늄(La), 세륨(Ce), 가돌리늄(Gd), 네오디뮴(Nd), 텔루륨(Te), 스칸듐(Sc), 폴로늄(Po), 프라세오디뮴(Pr), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 유로퓸(EU), 에르븀(Er) 또는 이테르븀(Yb)의 금속염들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
11 11
금속염;옥살산 화합물; 및용매를 포함하고,모노 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로필아민, N,N-메틸에탄올아민, 아미노에틸 에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민, 2-(아미노에톡시)에탄올, N-t-부틸에탄올아민, N-t-부틸디에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 메틸아민, 에틸아민, 아세틸아세톤, 염산, 질산, 황산, 초산, 수산화암모늄, 수산화칼륨 및 수산화나트륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 용액 안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
12 12
제7항에 있어서, 상기 용매는 물, 테트라하이드로퓨란, 알코올 및 에테르로이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체용 조성물
13 13
게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 금속 옥살레이트 및 용매를 포함하는 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 어닐링하는 단계; 및상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 옥살레이트는 할로겐산, H20, 질산, 아세트산, 황산, 인산, 옥살산, 과염소산 또는 불화붕소산과 결합하여 착화합물을 형성하며,상기 착화합물은 아래의 화학식 1로 나타내지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 어닐링 단계는 100 ℃ 내지 350 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 어닐링 단계를 수행하기 전에 상기 박막에 자외선을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 금속 옥살레이트는 옥살레이트 이온과 결합된 Zn, Sn, In 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
제13항에 있어서,상기 반도체 패턴 상에 에치 스토퍼를 형성하는 단계; 및상기 반도체 패턴과 상기 에치 스토퍼와 중첩되며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 산화물 반도체용 조성물은 스핀 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 슬라이드 코팅, 롤 코팅, 슬릿 코팅, 스프레이 코팅, 침지(dipping), 딥 펜(dip-pen), 나노 디스펜싱 또는 잉크젯 인쇄에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09115287 US 미국 FAMILY
2 US20130171779 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013171779 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9115287 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.