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무선 주파수가 제1 전극 및 제2 전극에 인가됨에 따라 발생하는 전자의 이동으로부터 기판을 보호하는 보호층;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 형성된 필드(field)에 기초하여 분극화된 탄소 소재의 나노 물질을 이용하여 채널을 형성하는 채널 형성층; 및상기 탄소 소재의 나노 물질의 표면에 부착된 매개물질과 기 설정된 시간 이상 결합된 글루코스의 농도를 센싱하는 센싱층을 포함하고,상기 글루코스의 농도는상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 고주파의 전기적인 신호로부터 획득된 S 파라미터와 RLGC 수치에 기초하여 센싱되는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 보호층은상기 기판의 상부에 위치하며, 저항이 큰 실리콘 옥사이드(Silicon Oxide) 계열의 물질로 형성되는무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 채널 형성층은상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 직류 전압 또는 교류 전압이 인가되어 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 전기 장(field)이 형성되면, 유전 영동(Dielectric Phoresis) 방식을 이용하여 상기 채널을 형성하는무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 분극화된 탄소 소재의 나노 물질은적어도 한 층의 그래핀(grapheme) 또는 탄소 나노 튜브(CNT, Carbon Nano Tube)를 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 매개 물질은폴리 아미노페닐 보로닉 산(Poly Aminophenyl Boronic Acid)을 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1항에 있어서,인가되는 상기 무선 주파수의 범위에서 상기 전자의 유전 손실을 줄이기 위해 상기 채널 형성층과 상기 보호층 사이에 위치하는 헥사고날 보론 나이트라이드(h-BN, hexagonal-Boron Nitride)층을 더 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제1 전극 및 제2 전극에서 측정되는 전기적 특성 값에 기초하여 탄소 소재의 나노 물질의 표면에 부착된 매개물질과 기 설정된 시간 이상 결합된 글루코스의 농도를 센싱하는 센싱부; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가하는 무선 주파수 신호를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 글루코스의 농도는상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 고주파의 전기적인 신호로부터 획득된 S 파라미터와 RLGC 수치에 기초하여 센싱되는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제8항에 있어서,상기 센싱부는상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 형성된 필드(field)에 기초하여 분극화된 탄소 소재의 나노 물질을 이용하여 채널을 형성하는 채널 형성부; 및상기 채널을 통해 이동하는 전자의 흐름에 기초하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에서 에스 파라미터(S parameter), 레지스턴스(resistance), 인덕턴스(inductance), 컨덕턴스(conductance) 및 캐패시턴스(capacitance)를 측정하는 측정부를 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제8항에 있어서,상기 탄소 소재의 나노 물질은적어도 한 층의 그래핀(grapheme) 또는 탄소 나노 튜브(CNT, Carbon Nano Tube)를 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제8항에 있어서,상기 매개 물질은폴리 아미노페닐 보로닉 산(Poly Aminophenyl Boronic Acid)을 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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제8항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은그라운드-시그널-그라운드(GSG, Ground-Signal-Ground) 전극의 구조로 형성되는무선 주파수를 이용한 센싱 장치
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무선 주파수를 이용한 센싱 장치의 제조 방법에 있어서,기판의 상부에 무선 주파수가 제1 전극 및 제2 전극에 인가됨에 따라 발생하는 전자의 이동으로부터 기판을 보호하는 보호층을 적층하는 단계;상기 보호층의 상부에 접착 테이프를 이용하여 헥사고날 보론 나이트라이드(h-BN, hexagonal-Boron Nitride)층을 부착하는 단계;상기 헥사고날 보론 나이트라이드층의 상부 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성된 장을 이용하여 탄소 소재의 나노 물질을 적층하는 단계; 및상기 탄소 소재의 나노 물질의 상부에 매개 물질을 부착하는 단계를 포함하고,상기 센싱 장치는상기 탄소 소재의 나노 물질의 표면에 부착된 매개물질과 기 설정된 시간 이상 결합된 글루코스의 농도를 센싱하고,상기 글루코스의 농도는상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 고주파의 전기적인 신호로부터 획득된 S 파라미터와 RLGC 수치에 기초하여 센싱되는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 탄소 소재의 나노 물질은적어도 한 층의 그래핀(grapheme) 또는 탄소 나노 튜브(CNT, Carbon Nano Tube)를 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 매개 물질은폴리 아미노페닐 보로닉 산(Poly Aminophenyl Boronic Acid)을 포함하는 무선 주파수를 이용한 센싱 장치의 제조 방법
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