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슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법으로서,슬래그가 용융되는 온도 범위의 고온 환경을 견딜 수 있고 또 산에 대해서 안정성을 나타내는 재료로 구성된 반응 용기를 준비하는 단계와,상기 반응 용기 내에 슬래그와 탈산제를 투입 및 혼합하는 단계와,상기 반응 용기를 가열하여 상기 슬래그를 용융시켜 상기 탈산제를 산화시키고, 상기 슬래그로부터 실리콘을 환원시키는 단계와,상기 반응 용기를 냉각시키는 단계와,상기 반응 용기에 산 용액을 투입하여, 실리콘을 제외한 슬래그, 산화된 탈산제, 산화되지 않은 탈산제를 용해하는 산 처리 단계를 수행하는 단계와,필터링 처리를 수행하여, 상기 실리콘을 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반응 용기는 carbon, Al2O3 또는 MgO 도가니로 구성되는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 탈산제는 실리콘보다 산화도가 높은 탈산제를 이용하는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 탈산제는 Al, Ca 및 Mg 중 선택되는 적어도 1종의 탈산제인 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탈산제는 상기 슬래그 대비 0
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청구항 5에 있어서, 상기 반응 용기는 1,500℃의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 반응 용기의 가열에 의해, 상기 슬래그와 탈산제의 계면에서의 반응에 의해 슬래그 중의 산소가 상기 탈산제와 결합되어 탈산제가 산화되고, 슬래그 중의 실리카가 실리콘으로 환원되는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 산 용액은 염산, 질산, 황산 및 왕수 중에서 선택된 1종 이상의 산 용액인 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 산 용액과 실리콘과의 계면 반응에 의해 실리콘 중 불순물도 이온 상태로 제거되는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 산 처리는 반응 용기 중에서 30분 이상 24시간 이하의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 산 처리는 상기 반응 용기 중에서 30분 이상 3~4시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법
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슬래그로부터 실리콘을 회수하는 실리콘 회수 장치로서,반응 용기가 수용되는 반응 튜브와, 상기 반응 튜브의 상단과 하단에 설치되어, 반응 튜브 내부를 외부의 분위기로부터 차단하여 반응 튜브 내부의 분위기를 제어하는 실링 수단과, 상기 반응 튜브 내부로 불활성 가스를 주입하고 그 튜브로부터 불활성 가스를 배출하기 위한 가스 공급 수단과, 상기 반응 튜브 둘레에 설치되어, 반응 튜브 내에 장착되는 반응 용기를 가열하는 가열 수단과, 상기 반응 튜브 내부에 장착되고, 슬래그와 탈산제가 담겨지며, 슬래그가 용융되는 온도 범위의 고온 환경을 견딜 수 있고 또 산에 대해서 안정성을 나타내는 재료로 구성된 반응 용기와,온도를 측정하기 위한 열전대와,상기 반응용기에 슬래그와 실리콘보다 높은 산화도를 갖는 탈산제를 공급하기 위한 슬래그 공급부 및 탈산제 공급부와,실리콘을 제외한 슬래그, 산화된 탈산제, 산화되지 않은 탈산제를 용해시킬 수 있는 산 용액을 공급하기 위한 산 용액 공급부와,환원된 실리콘과 상기 산 용액에 의해 용융된 성분을 분리하기 위한 필터 장치와,상기 실리콘 회수 장치의 전체 동작을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,상기 제어부는 상기 가열 수단을 이용하여 상기 반응 용기를 상기 슬래그가 용융되는 온도로 가열하여, 반응 용기 중의 슬래그를 용융시켜 상기 탈산제를 산화시키고 상기 슬래그로부터 실리콘을 환원시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 12에 있어서, 상기 반응 용기는 carbon, Al2O3 또는 MgO 도가니로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 12에 있어서, 상기 탈산제는 Al, Ca 및 Mg 중 선택되는 적어도 1종의 탈산제인 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 탈산제를 상기 슬래그 대비 0
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청구항 15에 있어서, 상기 제어부는 상기 가열 수단을 이용하여 상기 반응 용기를 1,500℃의 온도로 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 15에 있어서, 상기 반응 용기의 가열에 의해, 상기 슬래그와 탈산제의 계면에서의 반응에 의해 슬래그 중의 산소가 상기 탈산제와 결합되어 탈산제가 산화되고, 슬래그 중의 실리카가 실리콘으로 환원되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 17에 있어서, 상기 산 용액은 염산, 질산, 황산 및 왕수 중에서 선택된 1종 이상의 산 용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 18에 있어서, 상기 산 용액과 실리콘과의 계면 반응에 의해 실리콘 중 불순물도 이온 상태로 제거되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 19에 있어서, 상기 제어부는 상기 산 용액에 의한 처리를 상기 반응 용기 중에서 30분 이상 24시간 이하의 시간 동안 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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청구항 20에 있어서, 상기 제어부는 상기 산 용액에 의한 처리를 상기 반응 용기 중에서 30분 이상 3~4시간 동안 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 회수 장치
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