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발전소로부터 연장된 송전선과, 부하로부터 연장된 송전선을 직렬로 연결하고, 상기 송전선에 흐르는 과전류를 제한하는 보호 협조 회로에 있어서, 상기 발전소로부터 연장된 송전선과 직렬로 연결된 스위치;상기 스위치 및 상기 부하로부터 연장된 송전선 사이에서 직렬로 연결된 재폐로기(Recloser); 및상기 스위치와 병렬로 연결된 전류 제한 회로를 포함하되, 상기 전류 제한 회로는 반도체 소자 및 상기 반도체 소자와 직렬 연결된 퓨즈를 포함하는 보호 협조 회로
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제1항에 있어서, 상기 송전선에 과전류가 흐를 때, 상기 반도체 소자는 외부로부터 인가된 제어 신호에 따라 상기 반도체 소자를 통과하는 전류 파형을 왜곡하는 보호 협조 회로
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제1항에 있어서, 상기 전류는 교류 전류이고, 상기 반도체 소자는 제1 및 제2 반도체 소자를 포함하며, 상기 제1 또는 제2 반도체 소자는 사이리스터(Thyristor)인 보호 협조 회로
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제3항에 있어서, 상기 제1 반도체 소자의 에노드(Anode)는 상기 제2 반도체 소자의 케소드(Cathode)에 연결되고, 상기 제1 반도체 소자의 케소드는 상기 제2 반도체 소자의 에노드에 연결되며, 상기 제어 신호는 상기 제1 또는 제2 반도체 소자의 게이트(Gate)에 인가되는 보호 협조 회로
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제1항에 있어서, 상기 스위치는, 상기 송전선에 과전류가 흐르기 전에는 닫혀 있고, 상기 재폐로기의 재투입 동작시에는 개방되는 보호 협조 회로
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제5항에 있어서,상기 송전선에 과전류가 흐를 경우 상기 재폐로기는 재투입 동작 이후 차단 동작을 복수회 반복하되, 상기 과전류가 흐르는 기간이 사전 설정된 기간 이상 지속될 경우, 상기 퓨즈가 끊어질때까지 상기 재폐로기의 재투입 동작 이후 차단 동작을 수행하지 않는 보호 협조 회로
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제5항에 있어서,상기 송전선에 과전류가 흐를 경우 상기 재폐로기는 재투입 동작 이후 차단 동작을 복수회 반복하되,상기 과전류가 흐르는 기간이 사전 설정된 기간 이상 지속되지 않는 경우, 상기 재폐로기의 차단 동작을 수행한 이후에 이어질 재투입 동작을 수행하지 않는 보호 협조 회로
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제7항에 있어서, 상기 과전류가 흐르는 기간이 사전 설정된 기간 이상 지속되지 않는 경우,상기 스위치를 닫는 보호 협조 회로
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제1항에 있어서, 상기 전류는 교류 전류이고,상기 제1 반도체 소자는 양방향 사이리스터(Thyristor)이며, 상기 제어 신호는 상기 제1 반도체 소자의 게이트에 인가되는 보호 협조 회로
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송전선을 흐르는 전류를 스위치와 재폐로기를 통과하여 부하로 공급하는 단계;상기 송전선에 과전류가 흐르는 경우, 상기 재폐로기에 의하여 상기 전류의 흐름을 차단하는 단계;상기 재폐로기의 재투입 및 상기 스위치를 개방하는 단계;상기 스위치와 병렬로 연결된 제1 반도체 소자를 흐르는 상기 전류의 양을 감소시키는 단계; 및상기 재폐로기의 재투입 동작 이후 차단 동작을 복수회 반복하되, 상기 과전류가 흐르는 기간에 따라 상기 재폐로기의 동작 수행 여부를 결정하는 단계를 포함하는 보호 협조 방법
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제10항에 있어서, 상기 재폐로기의 차단 동작 수행 여부를 결정하는 단계는, 상기 과전류가 흐르는 기간이 사전 설정된 기간 이상 지속될 경우, 상기 퓨즈가 끊어질때까지 상기 재폐로기의 재투입 동작 이후에 이어질 차단 동작을 수행하지 않는 보호 협조 방법
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제10항에 있어서, 상기 재폐로기의 차단 동작 수행 여부를 결정하는 단계는, 상기 과전류가 흐르는 기간이 사전 설정된 기간 이상 지속되지 않는 경우, 상기 재폐로기의 차단 동작을 수행한 이후에 이어질 재투입 동작을 수행하지 않는 보호 협조 방법
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제10항에 있어서, 상기 전류의 양을 감소시키는 단계는, 상기 스위치와 병렬로 연결된 제1 반도체 소자를 흐르는 전류의 파형을 왜곡하는 단계를 포함하는 보호 협조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전류의 파형을 왜곡하는 단계는, 사이리스터인 상기 제1 반도체 소자의 게이트에 제어 신호를 주기적으로 인가함으로써 이루어지는 보호 협조 방법
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제12항에 있어서, 상기 전류는 교류 전류이고,상기 제1 반도체 소자는 양방향 사이리스터인 보호 협조 방법
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제15항에 있어서, 상기 제어 신호의 인가 주파수는 상기 교류 전류 주파수(Hz)의 배수인 보호 협조 방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 반도체 소자와 병렬로 연결된 제2 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 반도체 소자는 사이리스터이며,상기 제1 반도체 소자의 에노드(Anode)는 상기 제2 반도체 소자의 케소드(Cathode)에 연결되고, 상기 제1 반도체 소자의 케소드는 상기 제2 반도체 소자의 에노드에 연결되며, 상기 제어 신호는 상기 제1 및 제2 반도체 소자의 게이트(Gate)에 인가되는 보호 협조 방법
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제17항에 있어서, 상기 전류는 교류 전류이고,상기 제어 신호는, 상기 제1 반도체 소자의 게이트에 인가되는 제1 제어 신호와, 상기 제2 반도체 소자의 게이트에 인가되는 제2 제어 신호를 포함하되, 상기 제1 및 제2 제어 신호의 주파수는 각각 상기 교류 전류의 주파수와 동일하고, 상기 제1 제어 신호와 상기 제2 제어신호는 서로 번갈아 각각 상기 제1 반도체 소자의 게이트와 상기 제2 반도체 소자의 게이트에 인가되는 보호 협조 방법
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