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그래핀 확산 방지막 및 이를 이용한 전자소자

  • 기술번호 : KST2015126371
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘층 및 금속층 사이에 그래핀층이 개재하는 금속 배선 구조가 제공된다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120064344 (2012.06.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1335714-0000 (2013.11.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
2 홍주리 대한민국 경기 김포시
3 이현익 대한민국 서울특별시 송파구
4 이상근 대한민국 경기도 광명시 소하로 *
5 한희탁 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0477594-58
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0538412-22
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0009835-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460309-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0774290-52
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0774289-16
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0791620-16
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0395433-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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실리콘층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 실리콘층상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 그래핀층은 상기 실리콘층 및 상기 금속층 사이에 형성되는 단계;를 포함하고,상기 실리콘층 상에 그래핀층을 형성하는 단계는 탄소 함유 폴리머를 상기 실리콘층 상에 형성하는 단계; 및 수소 분위기의 열처리를 진행하는 단계;를 포함하는 전자소자 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 그래핀층은 CVD 방법으로 형성되는 전자소자 형성 방법
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제10항에 있어서,상기 그래핀층은 상기 금속층이 형성되기 전에 상기 실리콘층 상에 형성되는 전자소자 형성 방법
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실리콘층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 실리콘층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 그래핀층은 상기 실리콘층 및 상기 금속층 사이에 형성되는 단계;를 포함하고,상기 그래핀층은 상기 금속층을 상기 실리콘층 상에 형성한 후 CVD 방법으로 상기 실리콘층과 상기 금속층 사이의 계면에 형성되는 전자소자 형성 방법
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패밀리정보가 없습니다
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2 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 지능형 대면적 디스플레이용 나노패턴소재 기술 (2/4)
3 한국산업기술평가관리원 연세대학교 산학협력단 산업원천기술개발 [RCMS]한국디스플레이연구조합/TFT 백플레인을 위한 비진공 비노광 5㎛급 Cu interconnect 기술개발(1/4)
4 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템 1/3