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지연 회로

  • 기술번호 : KST2015126404
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지연 회로에 관한 것으로, 직렬 연결되는 지연 셀들을 포함하되, 상기 지연 셀들 중의 하나 이상의 지연 셀은, 제1 지연 셀로부터의 순방향 입력 신호를 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 제2 지연 셀의 순방향 입력 단자로 출력하는 제1 트라이스테이트 인버터; 상기 순방향 입력 신호를 상기 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 상기 제1 지연 셀의 역방향 입력 단자로 출력하는 제2 트라이스테이트 인버터; 상기 제2 지연 셀로부터의 역방향 출력 신호를 상기 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 상기 제1 지연 셀의 역방향 입력 단자로 출력하는 제3 트라이스테이트 인버터; 그리고 상기 제2 지연 셀의 순방향 입력 단자의 플로팅을 방지하기 위한 플로팅 방지 회로를 포함하는 지연 회로를 개시한다.
Int. CL H03L 7/081 (2006.01) H03K 5/13 (2006.01)
CPC H03K 5/133(2013.01) H03K 5/133(2013.01) H03K 5/133(2013.01) H03K 5/133(2013.01) H03K 5/133(2013.01)
출원번호/일자 1020120077897 (2012.07.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1342093-0000 (2013.12.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.17)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성욱 대한민국 서울특별시 서대문구
2 박정현 대한민국 서울 강동구
3 류경호 대한민국 서울 강남구
4 정동훈 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0571416-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0043269-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0426746-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0632938-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0632937-08
9 등록결정서
Decision to grant
2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0837715-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
직렬 연결되는 지연 셀들을 포함하되,상기 지연 셀들 중의 하나 이상의 지연 셀은,제1 지연 셀로부터의 순방향 입력 신호를 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 제2 지연 셀의 순방향 입력 단자로 출력하는 제1 트라이스테이트 인버터;상기 순방향 입력 신호를 상기 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 상기 제1 지연 셀의 역방향 입력 단자로 출력하는 제2 트라이스테이트 인버터;상기 제2 지연 셀로부터의 역방향 출력 신호를 상기 제어 신호에 따라 선택적으로 반전하여 상기 제1 지연 셀의 역방향 입력 단자로 출력하는 제3 트라이스테이트 인버터; 그리고상기 제2 지연 셀의 순방향 입력 단자의 플로팅을 방지하기 위한 플로팅 방지 회로를 포함하는 지연 회로
2 2
제1 항에 있어서,상기 플로팅 방지 회로는,상기 제2 지연 셀의 상기 순방향 입력 단자에 연결되는 트랜지스터를 포함하는 지연 회로
3 3
제2 항에 있어서,상기 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS로 이루어지고,상기 하나 이상의 지연 셀의 트랜지스터는 지연 셀 순번에 따라 NMOS와 PMOS가 교번하는 형태로 제공되는 지연 회로
4 4
제3 항에 있어서,상기 NMOS는 상기 제2 지연 셀의 상기 순방향 입력 단자와 접지 사이에 연결되고,상기 PMOS는 전원 전압과 상기 제2 지연 셀의 상기 순방향 입력 단자 사이에 연결되는 지연 회로
5 5
제4 항에 있어서,상기 PMOS의 게이트에는 상기 제어 신호의 제어 코드가 입력되고,상기 NMOS의 게이트에는 상기 제어 신호의 제어 코드로부터 반전된 신호가 입력되는 지연 회로
6 6
제5 항에 있어서,상기 제3 트라이스테이트 인버터는 전원 전압과 접지 사이에 순차적으로 연결되는 제1 PMOS, 제2 PMOS, 제1 NMOS, 그리고 제2 NMOS를 포함하되,상기 제2 PMOS와 상기 제1 NMOS의 게이트에는 상기 제2 지연 셀로부터의 상기 역방향 출력 신호가 입력되고,상기 제3 트라이스테이트 인버터는 상기 제2 PMOS와 상기 제1 NMOS의 공통 드레인 전압을 상기 제1 지연 셀의 역방향 입력 단자로 출력하는 지연 회로
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 PMOS의 게이트에는 상기 제어 코드로부터 반전된 신호가 입력되고,상기 제2 NMOS의 게이트에는 상기 제어 코드가 입력되는 지연 회로
8 8
제7 항에 있어서,상기 제2 트라이스테이트 인버터의 출력 단자는 상기 NMOS의 턴온 동작에 따라 상기 제3 트라이스테이트 인버터의 상기 제1 NMOS의 소스와 연결되는 지연 회로
9 9
제7 항에 있어서,상기 제2 트라이스테이트 인버터의 출력 단자는 상기 PMOS의 턴온 동작에 따라 상기 제3 트라이스테이트 인버터의 상기 제2 PMOS의 소스와 연결되는 지연 회로
10 10
제1 항에 있어서,상기 지연 회로는,상기 제어 신호를 생성하고, 상기 제어 신호의 제어 코드를 상기 제1 트라이스테이트 인버터 및 상기 제3 트라이스테이트 인버터로 출력하는 제어 신호 생성부; 그리고상기 제어 신호의 제어 코드를 반전하고, 반전된 신호를 상기 제2 트라이스테이트 인버터로 출력하는 인버터를 더 포함하는 지연 회로
11 11
제10 항에 있어서,상기 제어 신호 생성부는 모든 제어 코드가 '0'인 제어 신호, 또는 연속하는 하나 이상의 '1'과 연속하는 하나 이상의 '0'을 포함하는 제어 신호를 포함하는 상기 제어 신호를 생성하고,상기 지연 회로는 '0'의 값을 갖는 제어 코드가 처음으로 입력되는 지연 셀에서 상기 제2 트라이스테이트 인버터를 경유하는 리턴 경로가 형성되는 지연 회로
12 12
제1 항에 있어서,상기 제2 지연 셀로부터의 역방향 출력 신호는,상기 제2 지연 셀의 제2 트라이스테이스 인버터의 출력 신호와, 상기 제2 지연 셀의 제3 트라이스테이트 인버터의 출력 신호 중의 어느 하나 이상의 신호인 지연 회로
13 13
제1 항에 있어서,상기 지연 셀들 중의 첫 번째 지연 셀의 순방향 입력 단자에는 PMOS 또는 NMOS가 연결되고,상기 지연 셀들 중의 첫 번째 지연 셀의 역방향 출력 단자에는 제4 트라이스테이트 인버터가 연결되는 지연 회로
14 14
제13 항에 있어서,상기 지연 회로의 고유 지연 시간은 상기 첫 번째 지연 셀의 제2 트라이스테이트 인버터의 지연 시간과 상기 제4 트라이스테이트 인버터의 지연 시간의 합으로 제공되는 지연 회로
15 15
제1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지연 회로의 딜레이 스텝은 상기 제1 트라이스테이트 인버터의 지연 시간과 상기 제3 트라이스테이트 인버터의 지연 시간의 합으로 제공되는 지연 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 차세대 초고속 테스터를 위한 ASIC Chip 개발