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1) 하단에 복수개의 오목한 홈이 위치하며, 상기 홈은 플레이트의 세로 방향으로 정렬되고, 상기 홈이 정렬된 세로 방향의 측면에서 서로 마주보면서 20nm~100nm 간격의 나노 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 하는 한 쌍의 금속 플레이트와, 2) 중심부에 길이 방향으로 형성된 코어; 및 상기 코어를 감싸면서 길이 방향으로 형성된 클래딩;을 포함하는 광섬유로서, 상기 광섬유의 한쪽 말단은 테이퍼 가공된 뾰족한 팁(tip) 형태이고, 상기 뾰족한 팁 형태의 광섬유 말단에는 열가소성 수지가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 나노선 정렬용 광섬유와,3) 중심부에 길이 방향으로 형성된 코어; 및 상기 코어를 감싸면서 길이 방향으로 형성된 클래딩;을 포함하는 광섬유로서, 상기 광섬유의 한쪽 말단은 테이퍼 가공된 뾰족한 팁(tip) 형태이고, 상기 뾰족한 팁 형태의 광섬유 말단에는 열가소성 수지가 코팅되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 나노선 방출광의 광분석기 전달용 광섬유, 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 금속 플레이트는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 선택된 어느 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 금속 플레이트의 하단에 광이 입사하게 되면 표면 플라즈몬을 형성하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 나노선 정렬용 광섬유의 직경은 100~150㎛이고, 상기 뾰족한 형태의 나노선 정렬용 광섬유 말단의 직경은 1
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제 1항에 있어서, 상기 열가소성 수지는 광 흡수 염료 물질을 포함하고, 상기 광섬유의 코어를 통하여 광이 전달되면 접착성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 금속 플레이트의 하단에 광을 입사시킨 후 집광하는 집광부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 금속 플레이트의 하단에 형성된 오목한 홈은 좌우 크기가 200~800nm인 것을 특징으로 하며, 두께는 30~100nm인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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제 1항에 있어서,상기 반도체나노선 광특성 분석기에 의해 분석되는 나노선의 직경은 50~500nm인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석기
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나노선 정렬이 이루어지는 스테이지를 포함하는 나노선 광특성 분석방법에 있어서,1) 나노선을 나노슬릿 위에 교차하여 정렬시키기 위해 상기 나노선과 연결된 나노선 정렬용 광섬유에 제1광을 조사하여 나노선을 정렬하는 단계; 2) 한 쌍의 금속 플레이트가 마주하여 형성되며, 상부에 상기 나노선이 교차하여 정렬된 것으로서 20nm~100nm 간격의 나노슬릿을 포함하는 스테이지에 제2광을 조사하는 단계;3) 상기 제2광이 상기 나노슬릿 위에 정렬된 나노선에 투과되는 단계;4) 상기 3)단계에 의해 나노선에 투과된 광이 나노선에서 방출된 후, 상기 나노선 정렬용 광섬유와 연결된 나노선의 일측에 대하여 상기 나노선의 반대쪽 일측에 연결된 광분석기 전달용 광섬유에 전달되는 단계; 및 5) 상기 4)단계에 의해 전달된 광이 다시 광분석기에 전달되어 반도체 나노선의 광특성이 분석되는 단계; 를 포함하는 반도체 나노선 광특성 분석방법
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제 9항에 있어서,상기 한 쌍의 금속 플레이트는 하단에 복수개의 오목한 홈이 위치하며, 상기 홈은 플레이트의 세로 방향으로 정렬되고, 상기 홈이 정렬된 세로 방향의 측면에서 서로 마주보면서 20nm~100nm 간격의 나노 슬릿을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석방법
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제 9항에 있어서,상기 2)단계에서 조사되는 제2광은 상기 금속 플레이트의 하단에 조사되어 표면 플라즈몬을 형성한 후 상기 나노슬릿을 통해 나노선에 투과되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석방법
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제 9항에 있어서,상기 나노선 광특성 분석방법에 의해 분석되는 나노선의 직경은 50~500nm인 것을 특징으로 하는 반도체 나노선 광특성 분석방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노선 광특성 분석기에 의해 분석되거나,또는 제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노선 광특성 분석방법에 의해 분석된 반도체 나노선
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