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열전성능이 우수한 Bi 열전 나노와이어 및 이를 포함하는 열전 나노소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126465
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열전성능이 우수한 단결정의 열전 나노와이어, 및 이를 포함하는 열전 나노소자 제조방법이 제공된다.본 발명은, 기판 상에 직경이 40 nm 이하의 제어된 직경을 갖고 0.5 이상의 열전성능지수를 갖는 단결정의 열전 나노와이어를 적치하는 단계와; 상기 나노 와이어를 포함하도록 상기 기판상에 코폴리머층을 형성하고, 그 상부에 전자빔 레지스터를 형성하는 단계와; 전자빔 리소그래피 공정을 수행하여, 상기 나노와이어의 적어도 일부가 노출되도록 상기 코폴리머층 및 전자빔 레지스트층의 일부를 에칭하는 단계와; 챔버 내에서 플라즈마 에칭법을 이용하여 상기 노출된 나노와이어의 표면 산화층을 제거한 후, 산화층이 제거된 나노와이어상에 오믹 컨텍트를 인시츄(in-situ)로 증착시키는 단계 및 상기 나노와이어 상의 코폴리머층 및 전자빔 레지스터층을 제거한 후, 전극을 형성하는 단계를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130010346 (2013.01.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0097808 (2014.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.30)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울 마포구
2 이승현 대한민국 인천 부평구
3 김정민 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0089437-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0534703-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0079365-73
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0892883-08
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0175671-40
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0277950-43
10 보정요구서
Request for Amendment		 2014.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0054798-73
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0311107-79
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.23 무효 (Invalidation) 1-1-2014-0385744-00
13 보정요구서
Request for Amendment		 2014.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0074093-62
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0087737-61
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0526349-33
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
약 40 nm 이하의 제어된 직경을 갖고 약 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 나노와이어의 직경은 약 15~25 nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 열전소자용 단결정 나노와이어
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노와이어의 열전성능지수는 약 0
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 나노와이어는 Bi, Te, Se, Pb, Sb 및 Sn으로 이루어진 그룹 중 선택된 단일 또는 두 개 이상의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자용 단결정 나노와이어
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 나노와이어는 Bi 단결정 나노와이어인 것을 특징으로 하는 열전소자용 단결정 나노와이어
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 합금으로는 Bi-Se, Bi-Te, Pb-Te, Bi-Sb, Bi-Sb-Te, Bi-Se-Te 중 선택된 1종의 합금인 것을 특징으로 하는 열전소자용 단결정 나노와이어
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 Bi-Se합금은 Bi2Se, Bi-Te 합금은 Bi2Te3, 그리고 Pb-Te 합금은 PbTe나 Pb2Te3인 것을 특징으로 하는 열전소자용 단결정 나노와이어
8 8
기판 상에 직경이 40 nm 이하의 제어된 직경을 갖고 0
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 나노와이어의 표면 산화층은 Ar가스의 플라즈마를 이용하여 에칭하는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 오믹 컨텍트를 형성하는 단계는 상기 나노와이어 상에 Cr 박막을 증착하는 단계 및 상기 Cr 박막 상에 Au 또는 Pt중 선택된 하나의 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 나노와이어의 표면 산화층의 제거시, He 가스를 상기 챔버 내로 주입하는 단계를 더 포함하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
12 12
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노와이어의 직경은 15~25 nm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
13 13
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노와이어의 열전성능지수는 0
14 14
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 나노와이어는 Bi, Te, Se, Pb, Sb 및 Sn으로 이루어진 그룹 중 선택된 단일 또는 두 개 이상의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 나노와이어는 Bi 단결정 나노와이어인 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 합금으로는 Bi-Se, Bi-Te, Pb-Te, Bi-Sb, Bi-Sb-Te, Bi-Se-Te 중 선택된 1종의 합금인 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 Bi-Se합금은 Bi2Se, Bi-Te 합금은 Bi2Te3, 그리고 Pb-Te 합금은 PbTe나 Pb2Te3인 것을 특징으로 하는 열전 나노와이어를 포함하는 열전 나노소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중점연구소지원 나노융합 그린에너지 응용 기술 개발
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아 사업 인체의 물리적 에너지를 이용한 전력생산기술
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 2010년도 학연협력강화사업 성과창출형 나노기술(NT)을 활용한 인공위성 효율성 향상 요소기술개발
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 학연협력강화사업 나노기술(NT)을 활용한 인공위성 효율성 향상 요소기술 개발