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적층 구조의 복합 전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126470
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적층 구조를 갖는 복합 전극에서 층간 접착력을 향상시키기 위하여 적층된 표면에 대해 특정 파장 및 조사 시간 동안 UV 처리하는 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 층 표면 전체에 대해 균일하게 향상된 접착력을 갖도록 할 수 있으며 다층 구조의 모든 층 간 접착력들도 균일하게 조정할 수 있다. 따라서 매끈한 표면성, 전도성 및 투과도가 향상된 복합 전극을 제공할 수 있다. 특히 본 발명의 복합 전극은 금속 나노와이어 층을 포함하는 적층 구조의 전극 제조에 유리하다.
Int. CL B32B 15/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020120143918 (2012.12.11)
출원인 롯데정밀화학 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0075502 (2014.06.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 롯데정밀화학 주식회사 대한민국 울산광역시 남구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬혁 대한민국 서울 영등포구
2 유의현 대한민국 대전 유성구
3 임민기 대한민국 대전 서구
4 김미영 대한민국 서울 강동구
5 문주호 대한민국 서울 서대문구
6 김아름 대한민국 경기 수원시 권선구
7 원유림 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-1030495-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062232-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062231-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126288-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034587-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계; 상기 금속 나노와이어 층에 대하여 190 내지 290 nm 파장의 UV를 5 내지 30 분간 조사하여 UV 처리하는 단계; 및 상기 UV 처리된 금속 나노와이어 층 상에 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO), 전도성 폴리머, 탄소 나노 튜브(Carbon Nanotube, CNT) 또는 그래핀을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
2 2
제1항에서,상기 UV 처리 단계 전에 금속 나노와이어 층을 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
3 3
제1항에서,상기 금속 와이어는 Ag 또는 Cu 나노와이어인 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
4 4
제2항에서,상기 열처리 단계는 130 내지 150 ℃의 온도에서 1 내지 2 분간 수행하거나 또는 130 내지 150 ℃의 온도에서 1 내지 2 분간 수행하고 후속적으로 250 내지 300℃의 온도에서 30 내지 40 분간 수행하는 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
5 5
제2항에서,상기 열처리는 비활성 분위기 또는 환원 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
6 6
제1항에서,상기 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계 전에 기판 상에 투명 전도성 산화물(Transparent conductive oxide, TCO) 층을 형성하고 열처리하는 단계 및상기 열처리된 투명 전도성 산화물 층에 대하여 250 내지 270 nm 파장의 UV를 10 내지 20분간 조사하여 UV 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.