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캐패시터(capacitor) 제조방법에 있어서,(a) 수용액 상태의 그라핀 옥사이드(Graphine oxide)를 준비하는 단계와;(b) 기판 위에 제1전극층과 제2전극층을 형성한 후 상기 2개의 전극층 사이에 교류전압을 인가하는 단계와;(c) 교류전압이 인가된 2개의 전극층 사이에 그라핀 옥사이드 수용액을 떨어뜨린 후 유전영동법(dielectrophoresis method)을 이용하여 상기 2개의 전극층 사이에 그라핀 옥사이드 유전체층을 형성하는 단계;를 포함하는 캐패시터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2개의 전극층 사이에 형성된 그라핀 옥사이드 유전체층 표면에 화학물질을 결합하는 단계를 더 포함하는 캐패시터 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 그라핀 옥사이드 유전체층 표면에 결합되는 화학물질은 아민기(Amine group)를 갖는 화학물질인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극층의 패턴 형상은 포토 리소그래피(photolithography) 또는 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 전극층에는 스퍼터링(sputtering) 또는 증착 방법에 의해 도전성 금속이 증착된 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법을 통해 제조된 캐패시터
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7
제6항에 기재된 캐패시터를 하나 이상 포함하는 공진 센서
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제6항에 기재된 캐패시터를 하나 이상 포함하는 메모리 소자
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제6항에 기재된 캐패시터를 하나 이상 포함하는 통신 소자
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캐패시터(capacitor) 제조방법에 있어서,(a) 수용액 상태의 그라핀 옥사이드(Graphine oxide)를 준비하는 단계와;(b) 상기 그라핀 옥사이드 수용액을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)하여 그라핀 옥사이드 유전체층을 형성하는 단계;(c) 상기 그라핀 옥사이드 유전체층을 플라즈마 에칭하여 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 그라핀 옥사이드 유전체층이 사이에 위치되도록 기판 위에 제1전극층 및 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 캐패시터 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 2개의 전극층 사이에 형성된 그라핀 옥사이드 유전체층 표면에 화학물질을 결합하는 단계를 더 포함하는 캐패시터 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 그라핀 옥사이드 유전체층은 산소(O2) 플라즈마 에칭을 통해 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
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