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음극 활물질로서 Si, Ge, Sn 또는 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 된 음극 나노 입자와, 상기 음극 활물질이 전해액과 직접 접촉하지 않도록 보호하며 전도성을 갖는 산화물 재료로 이루어지는 산화물 보호층을 포함하며,상기 산화물 보호층은 인듐 도핑된 주석 산화물(ITO), Nb 도핑된 스트론튬 타이타늄 산화물 (Nb-STO), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO), 인듐 도핑된 카드뮴 산화물, 아연 주석 산화물(Zn2SnO4, ZnSnO3), 마그네슘 인듐 산화물(MgIn2O4), 갈륨 인듐 산화물(GaInO3, (Ga,In)2O3), 아연 인듐 산화물(Zn2In2O5), 인듐 주석 산화물(In4Sn3O12) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는리튬 이차전지 음극재
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제1항에 있어서, 상기 산화물 보호층은 음극 나노 입자 표면에 코어/쉘(core/shell) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재
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제1항에 있어서, 상기 산화물 보호층은 튜브 구조로 형성되고, 튜브 내부에 상기 음극 나노 입자 혹은 응집체와 일정 비율의 빈 공간이 공존하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재
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제1항에 있어서, 상기 산화물 보호층은 튜브 구조로 형성되고, 상기 음극 나노 입자는 튜브 내부에 최대 충진 되어 있는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 산화물 보호층은 수백 나노미터에서 수 마이크로미터의 직경의 튜브로 형성되고, 튜브의 두께는 100 나노미터 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재
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음극, 양극 및 비수 전해액을 구비하는 리튬 이차전지에 있어서,상기 음극은 음극 활물질로서 Si, Ge, Sn 또는 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 된 음극 나노 입자와, 상기 음극 활물질이 전해액과 직접 접촉하지 않도록 보호하며 전도성을 갖는 산화물 재료로 이루어지는 산화물 보호층을 포함하여 구성되며,상기 산화물 보호층은 인듐 도핑된 주석 산화물(ITO), Nb 도핑된 스트론튬 타이타늄 산화물 (Nb-STO), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO), 인듐 도핑된 카드뮴 산화물, 아연 주석 산화물(Zn2SnO4, ZnSnO3), 마그네슘 인듐 산화물(MgIn2O4), 갈륨 인듐 산화물(GaInO3, (Ga,In)2O3), 아연 인듐 산화물(Zn2In2O5), 인듐 주석 산화물(In4Sn3O12) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는리튬 이차전지
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음극 활물질로서 Si, Ge, Sn 또는 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 된 음극 나노 입자가 분산된 제1 용액을 준비하고, 전도성 산화물이 용해된 제2 용액을 준비하고, 상기 제1 용액과 제2 용액을 듀얼 노즐을 통해 전기방사하여 활물질 입자가 전도성 산화물 보호층 튜브 내부에 삽입된 구조로 형성하며,상기 전도성 산화물은 인듐 도핑된 주석 산화물(ITO), Nb 도핑된 스트론튬 타이타늄 산화물 (Nb-STO), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(AZO), 인듐 도핑된 카드뮴 산화물, 아연 주석 산화물(Zn2SnO4, ZnSnO3), 마그네슘 인듐 산화물(MgIn2O4), 갈륨 인듐 산화물(GaInO3, (Ga,In)2O3), 아연 인듐 산화물(Zn2In2O5), 인듐 주석 산화물(In4Sn3O12) 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 산화물 보호층은 후속적으로 환원분위기 하에서 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지 음극재 제조 방법
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