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주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하되,형성하고자 하는 상기 주석 산화물 반도체의 반도체 유형(semiconductor type)에 따라 상기 전구체 용액에 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 사용하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체의 전구체 용액을 제조하는 단계는 상기 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물을 용매에 녹이는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 다른 주석 원자가를 갖는 주석 화합물은 2가 주석염 또는 4가 주석염 중에서 선택되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제2 항에 있어서, 상기 2가 주석염은 염화 주석(II)(tin(II) chloride), 요오드화 주석(II)(tin(II) iodide), 염화 주석(II) 이수화물(tin(II) chloride dihydrate), 브롬화 주석(II)(tin(II) bromide), 플루오린화 주석(II)(tin(II) fluoride), 옥살산 주석(II)(tin(II) oxalate), 황화 주석(II)(tin(II) sulfide) 또는 아세트산 주석(II)(tin(II) acetate)을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제2 항에 있어서, 상기 4가 주석염은 염화 주석(IV)(tin(IV) chloride), 염화 주석(IV) 오수화물(tin(IV) chloride pentahydrate), 플루오린화 주석(IV)(tin(IV) fluoride), 요오드화 주석(IV)(tin(IV) iodide), 황화 주석(IV)(tin(IV) sulfide) 또는 터트-부톡사이드 주석(IV)(tin(IV) tert-butoxide)을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제3 항에 있어서, 상기 용매는 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 또는 아세토니트릴을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, p형 주석 산화물 반도체를 형성하기 위하여 2가 주석염을 사용하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, n형 주석 산화물 반도체를 형성하기 위하여 4가 주석염을 사용하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제3 항에 있어서, 상기 주석 화합물은 상기 전구체 용액 전체에 대하여 0
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제1 항에 있어서, 상기 전구체 용액을 제조하는 단계는 50-80℃의 온도에서 수행되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 100-300℃의 온도에서 수행되는 1차 열처리를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제11 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 상기 1차 열처리 후 300-500℃의 온도에서 수행되는 2차 열처리를 더 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제12 항에 있어서, 상기 1차 열처리는 1-10 분 동안 수행되고, 상기 2차 열처리는 1-3 시간 동안 수행되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 도포 단계는 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 법 또는 롤-투-롤 공정을 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 p형 주석 산화물 반도체는 SnO를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 n형 주석 산화물 반도체는 SnO2를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 주석 산화물 반도체 박막은 비정질인 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 열처리는 핫플레이트, 퍼니스 또는 급속 열처리를 통하여 수행되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 열처리는 산소 분위기 하에서 수행되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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제13 항에 있어서, 상기 1차 열처리 또는 상기 2차 열처리 중 적어도 하나는 산소 분위기 하에서 수행되는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법
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