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원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막

  • 기술번호 : KST2015126578
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착법으로 산화물 박박을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스 및 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐이 도핑된 산화물 박막에 관한 것이다.본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막 을 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할리이드가 물에 희석된 용액이다. 또한, 본 발명에 따른 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법은: 48 내지 51%로 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계; 상기 희석된 하이드로겐 할리이드를 디아이(DI) 워터에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계; 산화물 박막이 형성된 기판을 원자층 증착용 챔버에 배치하는 단계; 및 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 치환하는 단계를 포함한다.
Int. CL C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130100908 (2013.08.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0024470 (2015.03.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160037036;
심사청구여부/일자 Y (2013.08.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 서울 강남구
2 최용준 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)
3 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0772351-03
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0782000-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0078904-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0820395-42
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0090946-19
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0191278-19
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0300857-70
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0399319-15
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0078390-45
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0513843-71
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0513839-98
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0743042-46
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.11.27 수리 (Accepted) 7-1-2015-0054412-13
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1272555-18
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0063158-17
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.02.25 수리 (Accepted) 7-1-2016-0009372-64
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0296601-94
20 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2016.05.13 수리 (Accepted) 7-8-2016-0017596-24
21 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0510683-08
22 협의요구서
Request for Consultation
2018.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0510682-52
23 협의요구서
Request for Consultation
2018.08.22 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2018-0569760-86
24 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.22 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2018-0569762-77
25 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0883211-73
26 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1100079-67
27 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-1099996-84
28 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1158684-62
29 등록결정서
Decision to grant
2018.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0867764-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 증착법으로 산화물 박막의 적어도 일부를 할로겐으로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스로서, 상기 할로겐 도핑 소스는 하이드로겐 할라이드가 물에 희석된 용액이고, 상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 용액은 불화수소 1ml 당 탈이온수(Deionized Water; DI Water)가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스
4 4
원자층 증착법으로 산화물 박막을 할로겐으로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스의 제조방법으로서, 상기 방법은:하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 제공하는 단계;상기 할라이드 또는 상기 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 단계를 포함하고,상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스의 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 용액은 불화수소 1ml 당 탈이온수 (Deionized Water; DI Water)가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 할로겐 도핑 소스의 제조방법
7 7
기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;상기 희석 용액 및 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계; 및 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하고,상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 또한, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
9 9
기판이 배치되는 챔버와 박막 형성용 소스가 각각 담지되는 복수의 소스통을 포함하는 원자층 증착기를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은:금속 산화물 박막을 형성하고자 하는 기판을 상기 챔버 내부에 배치하는 제 1 단계;하이드로겐 할라이드 또는 물에 희석된 하이드로겐 할라이드를 탈이온수에 첨가하여 희석 용액을 형성하는 제 2 단계;상기 희석 용액, 형성하고자 하는 금속 산화물 박막의 금속 소스 물질 및 물을 상기 소스통에 각각 담지하는 제 3 단계;상기 금속 산화물 박막의 금속 소스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 4 단계;상기 희석 용액 또는 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 제 5 단계를 포함하고,상기 하이드로겐 할라이드는 불화수소 및 염화수소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 방법은 상기 제 4 단계 및 제 5 단계를 복수로 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 제 5 단계는 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 단계가 미리 결정된 비율에 따라서 규칙적으로 반복되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
12 12
청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 4 단계 또는 제 5단계에 이어서, 상기 챔버 내부에 잔류한 잔류물을 챔버에서 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
13 13
청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 희석 용액의 농도에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
14 14
청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 5 단계에서 상기 희석 용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수와 상기 물을 상기 챔버 내부로 분사하는 횟수의 비율에 따라서 상기 할로겐 원소의 도핑양을 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
15 15
삭제
16 16
청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희석 용액은 하이드로겐 할라이드 1ml 당 탈이온수가 5ml 이상 포함되도록 희석된 용액인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법
17 17
삭제
18 18
삭제
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2 JP27042784 JP 일본 FAMILY
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4 US20150184000 US 미국 FAMILY

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1 JP2015042784 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5965441 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2015184000 US 미국 DOCDBFAMILY
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