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광 흡수 증대 수단이 구비된 염료감응형 태양전지 제조방법 및 그 태양전지

  • 기술번호 : KST2015126580
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 (a) 투명 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 투명 기판의 표면에 도전성 투명 전극을 형성하는 단계와; (c) 감광성 염료를 흡착할 수 있는 전극층을 형성하는 단계로서, 금속산화물 입자를 포함하는 제1 전극층을 상기 투명 전극 상에 형성하고, 소정의 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 상기 제1 전극층에 임프린팅함으로써, 상기 제1 전극층에 상기 몰드의 패턴에 대응되는 패턴을 형성한 후, 금속산화물 입자를 포함하는 제2 전극층을 상기 제1 전극층 상에 형성하여, 제1 전극층과 제2 전극층을 포함하는 상기 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층과 제2 전극층의 굴절률이 서로 다르도록 형성하는 상기 전극층 형성 단계와; (d) 상기 기판을 빛을 흡수할 수 있는 감광성 염료를 포함하는 용액에 침지하여, 염료를 상기 금속산화물 입자 전극층에 흡착시키는 단계와; (e) 상대 전극과 상기 전극층 사이에 액체 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020130088430 (2013.07.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1488223-0000 (2015.01.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.26)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명규 대한민국 서울 송파구
2 이지영 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0676361-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0046624-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
5 등록결정서
Decision to grant
2015.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0045919-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 투명 기판을 제공하는 단계와;(b) 상기 투명 기판의 표면에 도전성 투명 전극을 형성하는 단계와;(c) 감광성 염료를 흡착할 수 있는 전극층을 형성하는 단계로서,금속산화물 입자를 포함하는 제1 전극층을 상기 투명 전극 상에 형성하고, 소정의 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 상기 제1 전극층에 임프린팅함으로써, 상기 제1 전극층에 상기 몰드의 패턴에 대응되는 패턴을 형성한 후, 금속산화물 입자를 포함하는 제2 전극층을 상기 제1 전극층 상에 형성하여, 제1 전극층과 제2 전극층을 포함하는 상기 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층과 제2 전극층의 굴절률이 서로 다르도록 형성하는 상기 전극층 형성 단계와;(d) 상기 기판을 빛을 흡수할 수 있는 감광성 염료를 포함하는 용액에 침지하여, 염료를 상기 금속산화물 입자 전극층에 흡착시키는 단계와;(e) 상대 전극과 상기 전극층 사이에 액체 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 몰드의 패턴은 주기성을 갖는 규칙적인 패턴인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에 있어서, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에 있어서, TiCl4 용액 처리를 이용하여 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에 있어서, 상기 제1 전극층 형성 후, 제1 농도의 TiCl4 용액에 침지하고, 상기 제2 전극층 형성 후, 제2 농도의 TiCl4 용액에 침지하여, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제1 농도는 제2 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, TiCl4 용액의 상기 제2 농도는 0
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 제1 농도는 제2 농도보다 작은 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, TiCl4 용액의 상기 제2 농도는 0
10 10
청구항 3에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에 있어서, 상기 제1 전극층 형성 후, 제1 전극층에 레이저를 조사하여 국부적으로 용융시켜, 상기 제2 전극층과 비교하여 더 치밀한 구조를 갖도록 하여, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴은 빛의 입사 방향과 관련하여, 상기 전극층의 전단에 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
12 12
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극층의 두께는 상기 제1 전극층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
13 13
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰드는 PDMS(polydimethylsiloxane)로 구성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
14 14
투명 기판과;상기 투명 기판의 표면에 형성되는 도전성 투명 전극과;빛을 흡수할 수 있는 감광성 염료가 흡착된 금속산화물 입자 전극층과;상대 전극과;상기 전극층과 상대 전극 사이에 주입된 전해질을 포함하고,상기 금속산화물 입자 전극층은, 금속산화물 입자를 포함하고 소정의 패턴이 형성된 제1 전극층과, 금속산화물 입자를 포함하며 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층과 제2 전극층의 굴절률이 서로 다른 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 제1 전극층의 패턴은 주기성을 갖는 규칙적인 패턴인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 전극층은, TiCl4 용액 처리를 이용하여 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 전극층은, 상기 제1 전극층 형성 후, 제1 농도의 TiCl4 용액에 침지하고, 상기 제2 전극층 형성 후, 제2 농도의 TiCl4 용액에 침지하여, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 전극층은, 상기 제1 전극층 형성 후, 제1 전극층에 레이저를 조사하여 국부적으로 용융시켜, 상기 제2 전극층과 비교하여 더 치밀한 구조를 갖도록 하여, 상기 제1 전극층의 굴절률이 상기 제2 전극층의 굴절률보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
20 20
청구항 14 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패턴은 빛의 입사 방향과 관련하여, 상기 전극층의 전단에 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
21 21
청구항 14 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극층의 두께는 상기 제1 전극층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
22 22
청구항 14 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물 입자는 TiO2인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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2 US20150027539 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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2 US9887043 US 미국 DOCDBFAMILY
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