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산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126619
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 형성한 후 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성할 수 있다. 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성한 후 액티브 패턴 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수 있다. 적어도 기판의 제1 면 및 기판의 제1 면에 대향하는 제2 면 중의 하나에 대해 자외선 조사 공정을 수행하면서, 동시에 적어도 기판의 제1 면 및 제2 면 중 하나에 대해 열처리 공정을 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020130138985 (2013.11.15)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0056240 (2015.05.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.15)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김연홍 대한민국 경기도 화성
2 안병두 대한민국 경기도 화성
3 김현식 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 모연곤 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 임지훈 대한민국 경기도 고양시 덕양구
6 김현재 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-1041678-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1135273-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2020.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0005587-37
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.01.31 수리 (Accepted) 9-1-2020-0003532-29
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0114498-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0375370-45
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0375385-29
12 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0741298-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 제1 면 상에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성하는 단계;상기 액티브 패턴 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및적어도 상기 기판의 제1 면 및 상기 기판의 제1 면에 대향하는 제2 면 중의 하나에 대해 자외선 조사 공정을 수행하면서, 동시에 적어도 상기 기판의 제1 면 및 제2 면 중 하나에 대해 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 10초 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 185nm 내지 370nm의 파장을 갖는 자외선을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 자외선 램프 또는 단파장 LED로부터 발생되는 자외선을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 자외선은 254 mW/cm2 이하의 에너지 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 공기, 산소, 오존, 질소 또는 아르곤 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 열처리 공정은 10초 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 열처리 공정은 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리 공정은 핫 플레이트 또는 퍼니스를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 상기 기판의 상기 제1 면 또는 제2 면에 대해 수행되며, 상기 열 처리 공정은 상기 기판의 제1 면 또는 제2 면에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 대해 수행되며, 상기 열처리 공정은 상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy) 또는 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 함유하는 반도체 산화물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 반도체 산화물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 상기 반도체 산화물에 리튬(Li), 나트륨(Na), 망간(Mn), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 탄소(C), 질소(N), 인(P), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 루테늄(Ru), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 및 불소(F)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상이 첨가된 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 액티브 패턴 상에 식각 저지층을 형성하는 단계; 및상기 식각 저지층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 식각 저지층을 형성하는 단계 및 상기 보호층을 형성하는 단계는 상기 자외선 조사 공정 및 상기 열처리 공정 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
17 17
기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 제1 면 상에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성하는 단계;상기 액티브 패턴 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;적어도 상기 기판의 제1 면 및 상기 기판의 제1 면에 대향하는 제2 면 중의 하나에 대해 자외선 조사 공정을 수행하면서, 동시에 적어도 상기 기판의 제1 면 및 제2 면 중 하나에 대해 열처리 공정을 수행하는 단계;상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극을 일부를 노출시키는 화소 정의막을 형성하는 단계;상기 노출된 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 및 상기 화소 정의막 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 자외선 조사 공정은 상기 기판의 상기 제1 면 또는 제2 면에 대해 수행되거나 상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 대해 수행되며, 상기 열 처리 공정은 상기 기판의 제1 면 또는 제2 면에 대해 수행되거나, 상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 소자의 제조 방법
19 19
제17항에 있어서,상기 액티브 패턴 상에 식각 저지층을 형성하는 단계; 및상기 식각 저지층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 식각 저지층을 형성하는 단계 및 상기 보호층을 형성하는 단계는 상기 자외선 조사 공정 및 상기 열처리 공정 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09502246 US 미국 FAMILY
2 US20150140699 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015140699 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9502246 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.