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패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법
- 기술번호 : KST2015126633
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션층 조성물은, 이트륨; 및 패시베이션층을 도핑하기 위한 1가, 2가, 3가 또는 4가의 금속;을 포함할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/02192(2013.01) H01L 21/02192(2013.01) H01L 21/02192(2013.01) H01L 21/02192(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130122872 (2013.10.15) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1512726-0000 (2015.04.10) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20150420) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.10.15) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김현재 | 대한민국 | 서울 송파구 |
| 2 | 최의현 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 3 | 윤두현 | 대한민국 | 서울 서초구 |
| 4 | 윤석현 | 대한민국 | 서울 중구 |
| 5 | 탁영준 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 2 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0931126-77 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380580-47 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2014.04.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2014.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034776-71 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0333283-47 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0668001-11 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.16 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2014-0668000-65 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0668240-16 |
| 9 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.07.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0123473-47 |
| 10 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2014.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0148937-50 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.11.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0760583-33 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.01.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0006588-74 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0006587-28 |
| 15 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0060422-60 |
| 16 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2015.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0105067-90 |
| 17 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2015.03.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-0263837-54 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0263836-19 |
| 19 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2015.04.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0217487-01 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 패시베이션층을 조성하는 조성물에 있어서,이트륨; 및상기 패시베이션층을 도핑하기 위한 1가의 금속;을 포함하며,상기 1가의 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션층 조성물 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 이트륨과 상기 1가의 금속의 몰비는 1:0 |
| 7 |
7 반도체 소자를 열처리하는 단계;상기 반도체 소자에 이트륨 전구체 및 패시베이션층을 도핑하기 위한 1가, 2가, 3가 또는 4가 금속의 전구체가 용해된 용액을 도포하는 단계; 및상기 용액이 도포된 반도체 소자를 열처리하는 단계;를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 이트륨 전구체는:이트륨 나이트레이트 헥사하이드레이트(Y(NO3)3·6H2O)를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 1가 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 1가 금속의 전구체는 리튬 나이트레이트(LiNO3)를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 11 |
11 제 7 항에 있어서,상기 4가 금속은 지르코늄을 포함하는 패시베이션 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 4가 금속의 전구체는 지르코늄 클로라이드(ZrCl4)를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 13 |
13 제 7 항에 있어서,상기 3가 금속은 알루미늄, 갈륨, 인듐 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 3가 금속의 전구체는 알루미늄 클로라이드(AlCl3)를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 15 |
15 제 7 항에 있어서,상기 용액은 이트륨과 금속을 1:0 |
| 16 |
16 제 7 항에 있어서,상기 반도체 소자를 열처리하는 단계는:상기 반도체 소자를 200℃에서 15분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 17 |
17 제 7 항에 있어서,상기 용액이 도포된 반도체 소자를 열처리하는 단계는:상기 용액이 도포된 반도체 소자를 300℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 패시베이션 방법 |
| 18 |
18 게이트;상기 게이트 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 위에 형성된 채널층;상기 채널층을 사이에 두고 형성된 소스 및 드레인; 그리고상기 채널층 위에 형성되며, 1가의 금속으로 도핑된 이트륨 산화물을 포함하며, 상기 1가의 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션층;을 포함하는 박막 트랜지스터 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 삭제 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 삭제 |
| 23 |
23 제 18 항에 있어서,상기 패시베이션층에 포함된 이트륨과 1가의 금속의 몰비는 1:0 |
| 24 |
24 게이트 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 위에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층을 사이에 두고 소스 및 드레인을 형성하는 단계;박막 트랜지스터를 열처리하는 단계;상기 박막 트랜지스터에 이트륨 전구체 및 패시베이션층을 도핑하기 위한 1가, 2가, 3가 또는 4가 금속의 전구체가 용해된 용액을 도포하는 단계; 및상기 용액이 도포된 박막 트랜지스터를 열처리하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서,상기 1가의 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션 방법 |
| 26 |
26 제 24 항에 있어서,상기 2가의 금속은 하프늄을 포함하는 패시베이션 방법 |
| 27 |
27 제 24 항에 있어서,상기 3가의 금속은 알루미늄, 갈륨, 인듐 또는 이들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 패시베이션 방법 |
| 28 |
28 제 24 항에 있어서,상기 4가의 금속은 지르코늄을 포함하는 패시베이션 방법 |
| 29 |
29 제 24 항에 있어서,상기 용액은 이트륨과 금속을 1:0 |
| 30 |
30 제 24 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 열처리하는 단계는:상기 박막 트랜지스터를 200℃에서 15분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 31 |
31 제 24 항에 있어서,상기 용액이 도포된 박막 트랜지스터를 열처리하는 단계는:상기 용액이 도포된 박막 트랜지스터를 300℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 연세대학교 | 중견연구자지원 | Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을 위한 all-in-one 무기 인쇄 소재 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1512726-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20131015 출원 번호 : 1020130122872 공고 연월일 : 20150420 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150401 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 21/31 발명의 명칭 : 패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2015년 04월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 273,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 273,000 원 | 2019년 04월 08일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 273,000 원 | 2020년 04월 01일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0931126-77 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380580-47 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2014.04.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2014.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034776-71 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2014.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0333283-47 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0668001-11 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.16 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2014-0668000-65 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0668240-16 |
| 9 | 보정요구서 | 2014.07.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0123473-47 |
| 10 | 무효처분통지서 | 2014.09.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0148937-50 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 12 | 의견제출통지서 | 2014.11.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0760583-33 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.01.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0006588-74 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0006587-28 |
| 15 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0060422-60 |
| 16 | 거절결정서 | 2015.02.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0105067-90 |
| 17 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2015.03.18 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-0263837-54 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.03.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0263836-19 |
| 19 | 등록결정서 | 2015.04.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0217487-01 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345199707 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0028819 |
| 연구과제명 | Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을 위한 all-in-one 무기 인쇄 소재 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201109~201608 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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