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전지 및 마이크로웨이브 방사 처리를 통한 전지의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2015126634
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전지 및 마이크로웨이브 방사 처리를 통한 전지의 표면처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전지는 짧은 시간 내의 마이크로웨이브 방사 처리를 통해, 이온의 전달 속도, 충·방전 속도 및 촉매 활성도를 증가시켜, 전지의 전기 전도도 및 효율을 높일 수 있다.
Int. CL H01M 8/04 (2006.01) H01M 4/88 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01)
CPC H01M 8/02(2013.01) H01M 8/02(2013.01) H01M 8/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130125880 (2013.10.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0046534 (2015.04.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020150045223;
심사청구여부/일자 Y (2013.10.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설용건 대한민국 서울 서대문구
2 조용일 대한민국 경기 성남시 분당구
3 전유권 대한민국 경기 평택시 세교*로 **,
4 박세준 대한민국 경기 용인시 수지구
5 박정호 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0953149-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0781963-70
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0075867-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0890345-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0205476-26
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0315278-95
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0315235-32
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590500-12
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1058242-79
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1058240-88
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0238007-81
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번호 청구항
1 1
고분자 전해질막; 제1 전극; 및 제2 전극을 포함하고,고분자 전해질막의 일면 또는 양면에 촉매층을 포함하며,계면 저항이 0
2 2
제 1 항에 있어서,촉매층은,촉매층을 구성하는 입자 표면에 형성된 표면기공;복수 개의 입자로 이루어진 입자군 내의 입자 사이의 1차 기공; 및상기 입자로 이루어진 입자군들 사이의 2차 기공을 포함하고,상기 1차 기공의 Log Differential Volume 값은 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 촉매층은, 복합 탄소 지지체에 금속 나노 입자가 담지된 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 전지
4 4
고분자 전해질막; 제1 전극; 및 제2 전극을 포함하고,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 탄소 성분을 포함하며,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 표면적이 4
5 5
제 4 항에 있어서,2차 전지는 싸이클 횟수가 2회 이상일 때, 에너지 효율은 80% 이상이고,쿨롱 효율은 93% 이상인 것을 특징으로 하는 전지
6 6
고분자 전해질막; 제1 전극; 및 제2 전극을 포함하는 전지에 있어서,상기 전지의 구성 요소 중 하나 이상에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 포함하는 전지의 표면처리 방법
7 7
제 6 항에 있어서,마이크로웨이브 방사 처리하는 단계에서, 반응 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
8 8
제 7 항에 있어서,반응 가스는 아르곤, 질소, 산소 및 공기 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 전지는 고분자 전해질막의 일면 또는 양면에 촉매층을 포함하며,상기 촉매층에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 더 포함하는 전지의 표면처리 방법
10 10
제 6 항에 있어서,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020150046776 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 기후변화대응기술개발사업 고성능 및 내구성을 지닌 고온형 연료전지용 촉매극 개발