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디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126653
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하프늄과 디스프로슘을 포함하는 전구체 소스 가스를 기판에 제공하는 단계 및 산소 플라즈마를 환원 가스로 공급하여 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물을 증착하는 단계를 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01)
출원번호/일자 1020140002911 (2014.01.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1493424-0000 (2015.02.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 이재승 대한민국 서울 양천구
3 오일권 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0023989-88
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380560-34
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034785-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0579898-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1025197-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1148478-35
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1148479-81
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0066428-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하프늄과 디스프로슘을 포함하는 전구체 소스 가스를 기판에 제공하는 단계; 및산소 플라즈마를 공급하여 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물을 증착하는 단계;를 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,질소 분위기에서 어닐링하는 단계;를 더 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 질소 분위기에서 어닐링하는 단계는500℃ 내지 700℃에서 5분 내지 15분간 수행되는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물 단결정 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 하프늄을 포함하는 전구체 소스 가스는 HfCl4, HfI4, TDMAH(tetrakis dimethyl amino hafnium, Hf[N(CH3)2]4) 및 TEMAH(tetrakis ethyl methyl amino hafnium, Hf[N(C2H5)CH3]4) 중 어느 하나를 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 디스프로슘을 포함하는 전구체 소스 가스는 Dy(thd)3(Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)dysprosium), Dy(iprCp)3(Tris(isopropyl-cyclopentadienyl)dysprosium), 및 Dy(DPDMG)3(tris(N,N′-diisopropyl-2-dimethylamido-guanidinato)dysprosium) 중 어느 하나를 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물 단결정 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판에 제공하는 단계에서상기 전구체 소스 가스는 130℃ 내지 170℃로 제공되고, 아르곤 가스에 의해 챔버에 제공되는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 전구체 소스 가스를 공급하는 공급 라인의 온도는 10℃ 내지 15℃로 유지되는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판에 제공하는 단계와 상기 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물을 증착하는 단계에서상기 기판의 온도는 170℃ 내지 190℃로 유지되는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 제조 방법
9 9
제1항 내지 제8항의 방법 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 단결정 산화물 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구