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원자층 증착법을 이용하여 기판 상에 금속 산화물을 증착하는 단계; 및증착된 상기 금속 산화물을 황화시켜 금속 황화물을 합성하는 단계;를 포함하는 금속 황화물 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 황화물을 합성하는 단계는상기 기판을 수소와 비활성 가스 분위기에서 제1온도로 제1 열처리 하는 단계; 그리고상기 기판을 황화수소와 비활성 가스 분위기에서 상기 제1 온도보다 높은 제2온도로 제2 열처리 하는 단계를 포함하는 금속 황화물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 열처리 단계는 300~500℃에서 30분 내지 90분 수행되는 금속 황화물 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 열처리 단계에서 수소 가스 및 비활성 가스는 각각 10~30sccm 씩 공급되는 금속 황화물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 열처리 단계는 700~1000℃에서 30~60분 수행되는 금속 황화물 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 제2 열처리 단계에서 황화수소는 5~30sccm, 비활성 가스는 30~50sccm씩 공급되는 금속 황화물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 열처리 단계 이후에상기 기판을 비활성 가스 분위기에서 냉각시키는 단계를 더 포함하는 금속 황화물 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 기판을 냉각시키는 단계에서비활성 가스는 30~50sccm씩 공급되는 금속 황화물 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계는증착 챔버 내에 상기 금속을 포함하는 금속 소스 가스를 공급하여 기판 상에 상기 소스 가스를 흡착시키는 1단계;퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 제2단계;증착 챔버 내에 산소 소스를 공급하여 상기 흡착된 금속 소스 가스와의 반응을 유도하여 금속 산화물을 증착하는 제3단계; 및퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 제4단계;를 포함하는 금속 황화물 형성 방법
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10
제9항에 있어서,상기 금속 소스 가스는 WH2(iPrCp)2, W(CO)6, 및 Mo(CO)6 중 적어도 하나를 포함하는 가스이고, 상기 산화 소스는 물, 오존, 산소 플라즈마 또는 이들의 조합인 금속 황화물 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제1단계의 처리 시간, 상기 제2단계의 처리 시간, 상기 제3단계의 처리 시간 및 상기 제4단계의 처리 시간의 시간 비율은 3~5:5~12:3~5:5~12 인 금속 황화물 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제1단계에서 상기 금속 유기 전구체 가스는 25~100℃에서 비활성 가스에 의해 운반되는 금속 황화물 형성 방법
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제10항의 방법에 의해 제조되는 금속 황화물
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제10항의 방법에 의해 제조되는 금속 황화물을 포함하는 전자 소자
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원자층 증착법을 이용하여 기판 상에 텅스텐 산화물을 증착하는 단계; 및증착된 상기 텅스텐 산화물을 황화시켜 텅스텐 황화물을 합성하는 단계;를 포함하는 텅스텐 황화물 형성 방법
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제15항에 있어서,상기 텅스텐 황화물을 합성하는 단계는상기 기판을 수소와 아르곤 가스 분위기에서 제1온도로 열처리 하는 단계; 그리고, 상기 기판을 황화수소와 아르곤 가스 분위기에서 상기 제1 온도보다 높은 제2온도로 열처리 하는 단계를 포함하는 텅스텐 황화물 형성 방법
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제16항에 있어서,상기 제1 열처리 단계에서 수소 가스 및 비활성 가스를 각각 10~30sccm으로 공급되고, 상기 제1 열처리 단계는 300~500℃에서 30분 내지 90분 수행되는 텅스텐 황화물 형성 방법
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제16항 또는 제17항에 있어서,상기 제2 열처리 단계에서 황화수소는 5~30sccm으로 비활성 가스는 30~50sccm으로 공급되고, 상기 제2 열처리 단계는 700~1000℃에서 30~60분 수행되는 텅스텐 황화물 형성 방법
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