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1 종 이상의 전도성 고분자 및 유화제를 포함하는 용액을 이용하여 기판 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계; 및 전도성 고분자층이 형성된 상기 기판을 친수성 용매에 침지시키는 단계를 포함하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서,전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리이미드, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리스티렌설폰산, 폴리아세틸렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐렌 설파이드), 폴리(p-페닐렌 비닐렌) 및 폴리티오펜 폴리(티에닐렌 비닐렌)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서,유화제는 설폰산, 파라톨루엔설폰산 및 카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 관능기(functional group)를 갖는 유기산인 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터 전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 친수성 용매는 에틸렌글리콜, 디메틸설폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 4-메톡시페놀, 아세토나이트릴, 사이클로헥사논, 니트로메탄, 메틸알코올, 테트라히드로푸란 및 포름산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 슈퍼 커패시터 전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 전도성 고분자층이 형성된 상기 기판을 친수성 용매에 침지시키는 단계에서,침지 시간은 5 내지 240 분인 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 하기 수학식 1을 만족하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법:[수학식 1]1% ≤ (W1-W2)/W1 ＊ 100 ≤ 90%상기 수학식 1에서,W1은 침지 단계를 거치기 전 전도성 고분자층에 포함된 유화제의 함량을 나타내고,W2는 침지 단계를 거친 후 전도성 고분자층에 포함된 유화제의 함량을 나타낸다
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제 4 항에 있어서, 상기 용액은 개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극의 제조방법
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