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기판; 상기 기판 상에 형성된 수직 배열 구조의 산화아연 나노 막대; 및 상기 산화아연 나노 막대 표면에 결합된 글루타티온 리간드로 보호된 금 클러스터 나노입자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제1항에 있어서,상기 글루타티온 리간드로 보호된 금 클러스터 나노입자와 산화아연 나노 막대는 정전기적 인력에 의해 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제1항에 있어서,상기 산화아연 나노 막대의 지름은 50~200 ㎚이고, 길이가 1~2 ㎛인 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제1항에 있어서,상기 글루타티온 리간드는 L-환원형 글루타티온인 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제1항에 있어서,상기 전기화학센서는 pH 8~9 범위 내에서 작동하는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제1항에 있어서,상기 전기화학센서는 특정 효소의 활성을 정량적으로 측정하는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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제7항에 있어서,상기 효소는 p-아미노페닐 포스페이트(p-aminophynyl phosphate, p-APP)를 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)로 변환시키는 알칼리성 인산가수분해효소(Alkaline Phosphatase, ALP)인 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서
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Ⅰ) 금 클러스터 나노입자의 표면에 글루타티온 리간드를 결합시키는 단계;Ⅱ) 기판 상에 산화아연 나노 막대를 성장시키는 단계; 및Ⅲ) 상기 글루타티온 리간드로 보호된 금 클러스터 나노입자에 상기 산화아연 나노 막대를 결합시켜 고정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Ⅰ) 단계는 Ⅰ-ⅰ) 글루타티온 리간드 용액과 금 수화물 용액을 혼합하는 단계; Ⅰ-ⅱ) 상기 혼합물에 수소화붕소나트륨을 첨가하여 환원반응을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Ⅱ) 단계는 Ⅱ-ⅰ) 기판 상에 아연 시드층을 형성하는 단계; Ⅱ-ⅱ) 상기 아연 시드층이 형성된 기판을 질산아연이 포함된 용액에 담근 후, 50-100 ℃로 0
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제9항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계는 pH 8-9로 조절한 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 p-아미노페놀(p-aminophenol, p-AP)의 전기화학적 검출용 전기화학센서의 제조방법
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