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Far field 광학계의 광을 조사하는 광원;피측정물과 일체로 결합하며 상기 광원에서 조사되는 빔에 의해 근접장을 발현하는 상변화박막을 포함하며,상기 광원에서 조사되는 조사량을 조절하여 상기 상변화박막의 개구형상을 변형하여 근접장 깊이를 조절하여 상기 피측정물의 깊이 방향으로 스캔하는 것이 가능한 근접장 광 이미징 장치
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제 1 항에 있어서,상기 상변화박막은상기 피측정물의 외형이 곡면 또는 평면이어도 밀착하여 결합할 수 있도록 하는 유연기판층 및상기 유연기판층과 일체로 결합하며 상기 광원에서 조사되는 빔에 의해 근접장을 발현하는 상변화박막층을 포함하는 근접장 광 이미징 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 광학계는 매크로 옵틱스, 홀로그램 광 모듈레이터, DMD 미러, 마이크로 렌즈 어레이 및 스캐너 중 어느 하나를 포함하는 근접장 광 이미징 장치
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제 2 항에 있어서,상기 상변화박막층은 상부에 제1유전체보호층이 위치하고, 하부에 제2유전체보호층이 위치하며, 상기 제1유전체보호층과 상기 제2유전체보호층 사이에 상변화물질층이 위치하는 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 4 항에 있어서,상기 제1유전체보호층 상부에는 상기 제1유전체보호층을 보호하기 위하여 제3유전체보호층이 위치하고, 상기 제2유전체보호층 상부에는 상기 제2유전체보호층을 보호하기 위하여 제4유전체보호층이 위치하는 근접장 광 이미징 장치
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제 4 항에 있어서,상기 상변화물질층은 칼코게나이드계 물질인 근접장 광 이미징 장치
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제 6 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 물질의 상변화물질층을 크리스탈 상에서 아모퍼스 상으로 변화시키는 과정에서, 발생되는 근접장의 깊이를 조절하는 근접장 광 이미징 장치
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제 4 항에 있어서,상기 상변화물질층은 AgOx 또는 PtOx인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 제1유전체보호층 및 제2유전체보호층은 산화물계, 질화물계, 탄화물계 또는 칼코게나이드계 물질인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 산화물계 물질은 SiOx, ZnS-SiOx, GeOx, AlOx, BeOx, ZrOx, BaTiOx, SrTiOx, TaOx 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 질화물계물질은 SiNx, BNx,AlNx 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 탄화물계 물질은 SiCx 인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 물질은 ZnS, ZnSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 2 항에 있어서,상기 유연기판은 필름류로서, Polycarbonate(PC), Cyclo olefin polymer(COP), polyimide(PI), Polyethylene terephthalate(PET), Oriented Poly prophylene(OPP), Polyethylene(PE), Poly prophylene(PP), Poly methyl methacrylate(PMMA), 아크릴 중 어느 하나가 이용되거나, 글라스류로서는 소다라임(Sodalime glass), borosilicate glass, fused silica glass, 석영(quartz), biocompatible polymer (polylactic acid(PLA), poly glycolic acid(PGA), poly lactic co glycolic acid(PLGA), Poly L Lactic Acid(LPLA), Poly DL Lactic Acid (DLPLA), poly capro lactone(PCL), poly dioxanone(PDO), Polydimethylsiloxane (PDMS)) 중 어느 하나가 이용되는 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 4 항에 있어서,상기 제1유전체보호층의 두께는30 ~ 500 nm 이고, 상기 상변화물질층의 두께는 5 ~ 30 nm, 상기 제2유전체보호층의 두께는 5 ~ 60 nm 인 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제 14 항에 있어서, 상기 필름류는 두께가 0
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제 2 항에 있어서,피측정물과 접촉하는 상기 상변화 박막면에는 피측정물의 마찰과 오염방지를 위한 접착방지막을 더 포함하는 근접장 광 이미징 장치
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제 1 항에 있어서,상기 피측정물로 향하거나 피측정물에서 반사된 광이 통과하고, 상기 광원에서 조사된 광을 집속시키기 위한 하나 이상의 렌즈를 포함하는 릴레이 렌즈부;상기 릴레이 렌즈부를 통해 집속된 광이 입사되는 멀티광 어레이부; 및상기 피측정물로부터 광을 검출하는 광전검출기(photo detector);를 더 포함하는 근접장 광 이미징 장치
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제 18 항에 있어서,상기 광전검출기는 상기 피측정물의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 근접장 광 이미징 장치
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제1파장의 광을 조사하는 제1광원;제2파장의 광을 조사하는 제2광원;피측정물로 향하거나 피측정물에서 반사된 광이 통과하고, 상기 제1광원 또는 제2광원에서 조사된 광을 집속시키기 위한 하나 이상의 렌즈를 포함하는 릴레이 렌즈부;상기 릴레이 렌즈부를 통해 집속된 광이 입사되는 멀티광 어레이부;상기 멀티 광 어레이부를 통과한 광원에서 조사되는 광에 의하여 근접장을 발현하는 상변화박막 및상기 피측정물로부터 광을 검출하는 광전검출기(photo detector);를 포함하되,상기 제1광원 또는 제2광원에서 조사되는 조사량을 조절하여 상기 상변화박막의 개구형상을 변형하여 근접장 깊이를 조절하되, 상기 제1광원과 제2광원에 의하여 발생하는 근접장의 깊이가 상이하도록 하는 근접장 광 이미징 장치
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