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서로 상대운동 하는 상판(110)과 하판(120)을 구비하고, 상판(110)과 하판(120) 사이에 롤러베어링(130)을 장착하는 웨이퍼(Wafer, 100); 및 상기 웨이퍼(100)의 상판(110)과 하판(120) 사이에 장착되고, 일측에 일정 간격의 갭(gap, 131)이 형성된 'C'자형 횡단면 구조를 가지는 튜브(tube) 형태의 롤러베어링(roller bearing, 130);을 포함하고,상기 웨이퍼(100)는: 하판(120)에 롤러베어링(130)이 움직일 수 있는 홈(121)을 제작한 후, 하부면에 인슐레이터층(insulator layer)이 형성된 상판을 하판 상부에 부착시켜 롤러베어링(130)을 압축한 상태로 홈(121)에 위치시키고, 인슐레이터층(insulator layer, 140)을 제거하는 공정에 의해 롤러베어링(130)을 원래 상태로 복원시켜 롤러베어링(130)이 동작하도록 하는 제조방법에 의해 제작되고,상기 롤러베어링(130)의 외경(D)은 하판(120)에 형성된 홈(121)의 깊이(d)와 인슐레이터층(140)의 두께(t)의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼
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제 1 항에 있어서, 상기 롤러베어링(130)은 실리콘 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼
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제 1 항에 있어서, 상기 롤러베어링(130)의 내부 공간에는 알루미늄(aluminum) 또는 폴리머(polymer)가 채워진 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼
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제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법(S100)으로서, a) 웨이퍼의 하판에 롤러베어링이 움직일 수 있는 홈을 형성시키는 홈 형성단계(S110); b) 홈형성단계에서 형성된 홈에 롤러베어링을 위치시키는 롤러베어링 배치단계(S120); c) 하부면에 인슐레이터층(insulator layer)이 형성된 상판을 하판 상부에 부착시켜 롤러베어링을 압축시키는 상판 부착단계(S130); 및 d) 인슐레이터층을 제거하여 롤러베어링을 원래 상태로 복원시키는 인슐레이터층 제거단계(S140);를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 롤러베어링의 외경(D)은 하판에 형성된 홈의 깊이(d)와 인슐레이터층의 두께(t)의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 롤러베어링 배치단계(S120)는: b-1) 웨이퍼의 하판에 형성된 홈과 대응되는 위치에 수납홈을 구비하는 판상형 부재를 준비하는 판상형부재 준비단계; b-2) 판상형 부재의 수납홈에 롤러베어링을 수납시키는 롤러베어링 수납단계; b-3) 홈과 수납홈이 서로 대응되도록 웨이퍼의 하판을 판상형 부재의 상부에 위치시키는 하판배치단계; 및 b-4) 웨이퍼의 하판과 판상형 부재를 함께 뒤집어, 수납홈에 수납되었던 롤러베어링을 웨이퍼의 하판에 형성된 홈으로 이동되도록 하는 롤러베어링 위치변경단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 인슐레이터층 제거단계(S140)에서, 인슐레이터층은 DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 식각방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 웨이퍼 제조방법(S100)은, c-1) 웨이퍼의 상판을 연마(polishing)하는 상판 연마단계(S135);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하는 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼 제조방법
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제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 롤러베어링을 포함하는 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스
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