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PN 광 다이오드 기반 무전원 분자 검출 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015126837
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무전원 분자 검출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 무전원 분자 검출 소자는 기판 및 기판 상에 형성된 PN 광 다이오드를 포함하며, PN 광 다이오드는 p 타입 도전형 물질 및 n 타입 도전형 물질을 포함하고, p 타입 도전형 물질 및 상기 n 타입 도전형 물질 중 적어도 하나는 전이금속 디칼코게나이드로 형성된다.
Int. CL G01N 27/02 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/103(2013.01) H01L 31/103(2013.01)
출원번호/일자 1020140147130 (2014.10.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1507538-0000 (2015.03.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 송정규 대한민국 서울특별시 서대문구
3 최태진 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 고경용 대한민국 제주특별자치도 제
5 김영준 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1033185-00
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-1073191-01
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1230579-06
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.05 수리 (Accepted) 9-1-2015-0000266-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0018845-86
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006743-19
8 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006811-15
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006822-17
10 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006835-11
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0226884-88
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0226885-23
14 등록결정서
Decision to grant
2015.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0180871-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무전원 분자 검출 셀을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이로,상기 무전원 분자 검출 셀은,기판; 및상기 기판 상에 형성된 PN 광 다이오드;를 포함하며,상기 PN 광 다이오드는 p 타입 도전형 물질 및 n 타입 도전형 물질을 포함하고,상기 p 타입 도전형 물질 및 상기 n 타입 도전형 물질 중 적어도 하나는 전이금속 디칼코게나이드로 형성되며,상기 무전원 분자 검출 셀 어레이는:상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 n 타입 도전형 물질 상에 p 타입 도전형 물질이 형성되어 p 타입 도전형 물질이 노출된 P 타입 셀;상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 p 타입 도전형 물질 상에 n 타입 도전형 물질이 형성되어 n 타입 도전형 물질이 노출된 N 타입 셀; 및상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 p 타입 도전형 물질 및 n 타입 도전형 물질 상에 형성된 캐핑(capping) 층을 더 포함한 기준 셀;을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이(Cell Array)
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2 또는 이들의 조합을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이
3 3
제 2 항에 있어서,상기 기판은 SiO2, ITO, 그래핀 또는 이들의 조합을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이
4 4
제 3 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드는 두께가 3nm 내지 5nm인 무전원 분자 검출 셀 어레이
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 따른 무전원 분자 검출 셀 어레이(Cell Array); 및상기 무전원 분자 검출 셀의 전도도의 변화를 감지하여 신호를 발생하는 신호 발생부;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자
7 7
기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 P 타입 도전형 물질 및 N 타입 도전형 물질을 포함하는 PN 광 다이오드를 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 p 타입 도전형 물질 및 상기 n 타입 도전형 물질 중 적어도 하나는 전이금속 디칼코게나이드로 형성되며,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,제 1 기판 상에 p 타입 도전형 물질로 제 1 박막을 형성하는 단계;제 2 기판 상에 n 타입 도전형 물질로 제 2 박막을 형성하는 단계; 및상기 제 1 박막 또는 상기 제 2 박막 중 하나의 박막 위에 중합체를 스핀 코팅하고 다른 박막을 상기 중합체에 접착시켜 PN 접합을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정을 이용하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,기화된 MoCl5, WCL6, MO(CO)6, WH2(iprCp)2 또는 이들의 조합을 전이금속 전구체로 사용하여 상기 P 타입 도전형 물질 또는 상기 N 타입 도전형 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,H2S, H2Se, Se(C2H5)2 또는 이들의 조합을 칼코겐 전구체로 사용하여 상기 P 타입 도전형 물질 또는 상기 N 타입 도전형 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 7 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드의 두께를 3nm 내지 5nm로 형성하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
13 13
제 7 항에 있어서,상기 기판을 제공하는 단계는;SiO2, ITO, 그래핀 또는 이들의 조합을 제공하는 단계를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 글로벌프런티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) 상시 환경 모니터링을 위한 원자층 PN 광 다이오드 기반 무전원 분자 검출 시스템 개발