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무전원 분자 검출 셀을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이로,상기 무전원 분자 검출 셀은,기판; 및상기 기판 상에 형성된 PN 광 다이오드;를 포함하며,상기 PN 광 다이오드는 p 타입 도전형 물질 및 n 타입 도전형 물질을 포함하고,상기 p 타입 도전형 물질 및 상기 n 타입 도전형 물질 중 적어도 하나는 전이금속 디칼코게나이드로 형성되며,상기 무전원 분자 검출 셀 어레이는:상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 n 타입 도전형 물질 상에 p 타입 도전형 물질이 형성되어 p 타입 도전형 물질이 노출된 P 타입 셀;상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 p 타입 도전형 물질 상에 n 타입 도전형 물질이 형성되어 n 타입 도전형 물질이 노출된 N 타입 셀; 및상기 무전원 분자 검출 셀에 있어서 p 타입 도전형 물질 및 n 타입 도전형 물질 상에 형성된 캐핑(capping) 층을 더 포함한 기준 셀;을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이(Cell Array)
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2 또는 이들의 조합을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이
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제 2 항에 있어서,상기 기판은 SiO2, ITO, 그래핀 또는 이들의 조합을 포함하는 무전원 분자 검출 셀 어레이
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제 3 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드는 두께가 3nm 내지 5nm인 무전원 분자 검출 셀 어레이
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삭제
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제 1 항에 따른 무전원 분자 검출 셀 어레이(Cell Array); 및상기 무전원 분자 검출 셀의 전도도의 변화를 감지하여 신호를 발생하는 신호 발생부;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 P 타입 도전형 물질 및 N 타입 도전형 물질을 포함하는 PN 광 다이오드를 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 p 타입 도전형 물질 및 상기 n 타입 도전형 물질 중 적어도 하나는 전이금속 디칼코게나이드로 형성되며,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,제 1 기판 상에 p 타입 도전형 물질로 제 1 박막을 형성하는 단계;제 2 기판 상에 n 타입 도전형 물질로 제 2 박막을 형성하는 단계; 및상기 제 1 박막 또는 상기 제 2 박막 중 하나의 박막 위에 중합체를 스핀 코팅하고 다른 박막을 상기 중합체에 접착시켜 PN 접합을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정을 이용하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,기화된 MoCl5, WCL6, MO(CO)6, WH2(iprCp)2 또는 이들의 조합을 전이금속 전구체로 사용하여 상기 P 타입 도전형 물질 또는 상기 N 타입 도전형 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드를 형성하는 단계는,H2S, H2Se, Se(C2H5)2 또는 이들의 조합을 칼코겐 전구체로 사용하여 상기 P 타입 도전형 물질 또는 상기 N 타입 도전형 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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삭제
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제 7 항에 있어서,상기 PN 광 다이오드의 두께를 3nm 내지 5nm로 형성하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판을 제공하는 단계는;SiO2, ITO, 그래핀 또는 이들의 조합을 제공하는 단계를 포함하는 무전원 분자 검출 소자 제조 방법
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