| 1 |
1
고분자 전해질막; 제1 전극; 및 제2 전극을 포함하고,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 탄소 성분을 포함하며,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상은 비표면적이 4
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,전지는 싸이클 횟수가 2회 이상일 때, 에너지 효율은 80% 이상이고,쿨롱 효율은 93% 이상인 것을 특징으로 하는 전지
|
| 3 |
3
고분자 전해질막; 제1 전극; 및 제2 전극을 포함하는 전지에 있어서,상기 전지의 구성 요소 중 하나 이상에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 포함하는 제 1 항에 따른 전지의 표면처리 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,마이크로웨이브 방사 처리하는 단계에서, 반응 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,반응 가스는 아르곤, 질소, 산소 및 공기 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
|
| 6 |
6
제 3 항에 있어서,상기 전지는 고분자 전해질막의 일면 또는 양면에 촉매층을 포함하며,상기 촉매층에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 더 포함하는 전지의 표면처리 방법
|
| 7 |
7
제 3 항에 있어서,제1 전극 및 제2 전극 중 하나 이상에 500 내지 800 W의 출력 세기로, 1 내지 100 초 마이크로웨이브 방사 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전지의 표면처리 방법
|
