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메모리 내 고장 셀의 주소 정보를 저장하는 저장부;상기 고장 셀을 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 이진 트리 구조로 구성하여 상기 저장부에 저장하고, 상기 제 2 및 제 3 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 비트맵 구조로 상기 저장부에 저장하는 고장 셀 분류부; 및상기 이진 트리 구조로 구성된 고장 셀의 주소 정보와 상기 비트맵 구조로 저장된 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 상기 메모리를 수리하기 위한 솔루션을 도출하는 수리 솔루션 도출부;를 포함하는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고장 셀 분류부는:상기 고장 셀의 주소가 비트맵을 구성하는 기준 셀들의 주소와 상이한 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 1 그룹으로 분류하는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고장 셀 분류부는:상기 고장 셀의 주소가 비트맵을 구성하는 기준 셀들 중 어느 하나의 주소와 일치하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀과 행 주소 및 열 주소가 상이한 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 2 그룹으로 분류하는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고장 셀 분류부는:상기 고장 셀의 주소가 비트맵을 구성하는 기준 셀들 중 어느 하나의 주소와 일치하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀과 행 주소 및 열 주소 중 적어도 하나가 일치하는 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 3 그룹으로 분류하는 메모리 수리 장치
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기준 셀들의 행 주소 및 열 주소는 각각 상기 메모리의 모든 행 주소 및 모든 열 주소를 포함하는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고장 셀 분류부는:상기 제 1 그룹에 속하는 각 고장 셀의 주소 정보로 이진 트리의 각 레벨을 구성하되, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 행 주소 및 열 주소로 해당 고장 셀이 구성하는 레벨의 상위 레벨에 포함된 각 노드의 자식 노드들을 생성하는 메모리 수리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 수리 솔루션 도출부는:상기 비트맵 구조로 저장된 상기 제 2 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 제 2 그룹 이진 트리를 생성하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 구성된 제 1 그룹 이진 트리의 각 라인과 상기 제 2 그룹 이진 트리의 각 라인을 조합하여 상기 솔루션을 도출하는 메모리 수리 장치
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제 7 항에 있어서,상기 수리 솔루션 도출부는:상기 제 1 및 제 2 그룹 이진 트리에서 각각 하나의 라인을 선택하고,상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 메모리 수리 장치
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제 8 항에 있어서,상기 수리 솔루션 도출부는:상기 메모리의 행 및 열을 대체하기 위해 요구되는 필요 스페어 라인의 개수가 상기 메모리에 구비된 실제 스페어 라인의 개수보다 작거나 같고, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 또는 열 주소가 상기 제 3 그룹에 속하는 모든 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 상기 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 메모리 수리 장치
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제 9 항에 있어서,상기 수리 솔루션 도출부는:상기 필요 스페어 라인의 개수가 상기 실제 스페어 라인의 개수보다 작거나 같고, 상기 제 3 그룹에 속하는 고장 셀 중 행 주소 및 열 주소가 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소와 상이한 불일치 고장 셀을 상기 실제 스페어 라인에서 상기 필요 스페어 라인을 제외한 잉여 스페어 라인으로 대체 가능한 경우, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소, 그리고 상기 불일치 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소를 상기 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 메모리 수리 장치
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메모리 수리 장치가 메모리를 수리하는 방법에 있어서,상기 메모리 내 고장 셀을 제 1 내지 제 3 그룹으로 분류하는 단계;상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 이진 트리 구조로 구성하여 저장하는 단계;상기 제 2 및 제 3 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 비트맵 구조로 저장하는 단계; 및상기 이진 트리 구조로 구성된 고장 셀의 주소 정보와 상기 비트맵 구조로 저장된 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 상기 메모리를 수리하기 위한 솔루션을 도출하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 11 항에 있어서,상기 고장 셀을 분류하는 단계는:상기 고장 셀의 주소가 비트맵을 구성하는 기준 셀들의 주소와 상이한 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 1 그룹으로 분류하는 단계;상기 고장 셀의 주소가 상기 기준 셀들 중 어느 하나의 주소와 일치하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀과 행 주소 및 열 주소가 상이한 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 2 그룹으로 분류하는 단계; 및상기 고장 셀의 주소가 상기 기준 셀들 중 어느 하나의 주소와 일치하고, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀과 행 주소 및 열 주소 중 적어도 하나가 일치하는 경우, 해당 고장 셀을 상기 제 3 그룹으로 분류하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 12 항에 있어서,상기 기준 셀들의 행 주소 및 열 주소는 각각 상기 메모리의 모든 행 주소 및 모든 열 주소를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 이진 트리 구조로 구성하여 저장하는 단계는:상기 제 1 그룹에 속하는 각 고장 셀의 주소 정보로 이진 트리의 각 레벨을 구성하되, 상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 행 주소 및 열 주소로 해당 고장 셀이 구성하는 레벨의 상위 레벨에 포함된 각 노드의 자식 노드들을 생성하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 11 항에 있어서,상기 솔루션을 도출하는 단계는:상기 비트맵 구조로 저장된 상기 제 2 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 제 2 그룹 이진 트리를 생성하는 단계; 및상기 제 1 그룹에 속하는 고장 셀의 주소 정보를 기반으로 구성된 제 1 그룹 이진 트리의 각 라인과, 상기 제 2 그룹 이진 트리의 각 라인을 조합하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 그룹 이진 트리의 각 라인과 상기 제 2 그룹 이진 트리의 각 라인을 조합하는 단계는:상기 제 1 및 제 2 그룹 이진 트리에서 각각 하나의 라인을 선택하는 단계; 및상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 16 항에 있어서,상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 스페어 라인으로 대체할 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 단계는:상기 메모리의 행 및 열을 대체하기 위해 요구되는 필요 스페어 라인의 개수가 상기 메모리에 구비된 실제 스페어 라인의 개수보다 작거나 같고, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 또는 열 주소가 상기 제 3 그룹에 속하는 모든 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 상기 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 17 항에 있어서,상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소를 스페어 라인으로 대체할 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 단계는:상기 필요 스페어 라인의 개수가 상기 실제 스페어 라인의 개수보다 작거나 같고, 상기 제 3 그룹에 속하는 고장 셀 중 행 주소 및 열 주소가 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소와 상이한 불일치 고장 셀을 상기 실제 스페어 라인에서 상기 필요 스페어 라인을 제외한 잉여 스페어 라인으로 대체 가능한 경우, 상기 선택된 라인에 포함된 노드의 행 주소 및 열 주소, 그리고 상기 불일치 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소를 상기 스페어 라인으로 대체할 상기 메모리의 행 및 열의 주소로 결정하는 단계를 더 포함하는 메모리 수리 방법
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컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 메모리 수리 방법을 컴퓨터로 실행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체
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컴퓨터와 결합되어 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 메모리 수리 방법을 실행시키기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
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