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광검출 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126882
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광검출 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 광검출 다이오드는 암누설전류의 발생이 상대적으로 큰 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 상호 소정면적이 접합된 p형 반도체층 및 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층의 상부에 소정의 형상으로 위치하는 제 1전극과, 상기 제 1전극의 일부 및 n형 반도체층의 동작영역 상에 위치하는 광투과 절연층과, 상기 p형 반도체층의 저면에 접하는 제 2전극을 포함하는 광검출 다이오드에 있어서, 상기 n형 반도체층의 측면에 위치하는 절연층을 더 포함하는 광검출 다이오드를, 그 n형 반도체층의 비동작영역에 실리콘 이온을 주입하는 제조방법을 통해 제조함으로써, 그 절연층에 의해 암누설전류의 발생을 최소화하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020030005731 (2003.01.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0579644-0000 (2006.05.08)
공개번호/일자 10-2004-0069387 (2004.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.01.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성일 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정세성 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로 ****, ***호 특허법인이노 제*분사무소 (서초동, 보성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0032773-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0044114-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0184000-82
5 의견서
Written Opinion
2005.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0315309-77
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0315326-43
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2005.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0451057-69
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0535469-67
9 의견서
Written Opinion
2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0535462-48
10 등록결정서
Decision to grant
2006.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0073783-66
11 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0295731-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상호 소정면적이 접합된 p형 실리콘층 및 n형 ZnO층과;상기 n형 ZnO층의 상부일부에 일측이 개방된 사각 띠 형상으로 위치하고, Au와 Al이 3:1의 원자비로 혼합된 합금을 열증착하여 형성시키는 제 1전극;상기 제 1전극의 상부일부 및 그 제1전극의 중앙에 노출된 상기 n형 ZnO층의 상부 동작영역 상에 위치하고, ZnO를 증착하여 형성시키는 광투과 절연층;상기 p형 실리콘층의 저면 일부에 접하여 위치하고, In을 증착하여 형성시키는 제2전극; 및상기 제1전극의 측면에 위치하는 n형 ZnO층에 실리콘이온을 주입하여 형성시킨 이온주입층으로 된 절연층으로 구성된 것을 특징으로 하는 광검출 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
p형 실리콘층 및 n형 ZnO층을 상호 소정면적으로 접합하는 단계와;상기 n형 ZnO층의 이면에 Au와 Al이 3:1의 원자비로 혼합된 합금을 열증착하여 제1전극을 형성하는 단계;상기 p형 실리콘층의 저면 일부에 In을 증착하여 제2전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극의 상부일부 및 그 제1전극의 중앙에 노출된 상기 n형 ZnO층의 상부 동작영역 상에 ZnO를 증착하여 광투과 절연층을 형성하는 단계; 및상기 광투과 절연층 및 n형 ZnO층을 이온주입마스크로 사용하는 이온주입공정으로 상기 n형 ZnO층의 비동작영역에 실리콘이온을 주입하여 이온주입층으로 된 절연층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광검출 다이오드 제조방법
5 5
삭제
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제 4항에 있어서, 주입되는 실리콘 이온의 이온주입량은 5×1015cm-2이상인 것을 특징으로 하는 광검출 다이오드 제조방법
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제 4항에 있어서, 주입되는 실리콘 이온의 이온주입량은 5×1015cm-2이상인 것을 특징으로 하는 광검출 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.