맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

1Ｄ 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126917
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 알루미늄 양극산화를 통해 형성된 1차원(Dimensional) 나노 홀 어레이를 템플릿으로 채용하여 균일한 크기와 주기적인 간격을 가지는 나노와이어를 제작하고, 이를 수직형 박막트랜지스터의 채널에 적용하는 방법으로 별도의 트랜스퍼 과정이 필요하지 않아 나노와이어의 소실과 위치변화를 방지하고 안정된 제조 공정을 가질 수 있으며, 수직형 박막트랜지스터와 연동하여 기존의 복잡한 미세 식각과정 없이 절연층의 두께만으로 채널의 길이를 조절하여 보다 미세하고 뛰어난 성능의 소자를 구현할 수 있다.이를 위해, 본 발명은 유리 기판 상에 소스전극, 소스영역의 오믹반도체층, 절연층, 드레인영역의 오믹반도체층을 형성하는 제1단계; 상기 소스전극 상에 나노와이어 생성용 템플릿을 형성하는 제2단계; 상기 템플릿에 채널 재료를 증착시켜 1차원 나노와이어 어레이를 형성하는 제3단계; 상기 결과물 상에 드레인전극, 게이트 절연막 및 게이트전극을 형성하는 제4단계; 및 상기 1차원 나노와이어 어레이를 노출시키는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.양극산화, 나노와이어, 수직형 박막트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01)
출원번호/일자 1020070011370 (2007.02.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0852628-0000 (2008.08.11)
공개번호/일자 10-2008-0072981 (2008.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20080818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.05)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서대식 대한민국 서울 강남구
2 김종연 대한민국 서울 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0104911-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058410-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0674398-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0108053-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0181840-59
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0181841-05
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0367317-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막트랜지스터의 제조방법에 있어서,유리 기판 상에 소스전극, 소스영역의 오믹반도체층, 절연층, 드레인영역의 오믹반도체층을 형성하는 제1단계;상기 소스전극 상에 나노와이어 생성용 템플릿을 형성하는 제2단계;상기 템플릿에 채널 재료를 증착시켜 1차원 나노와이어 어레이를 형성하는 제3단계;상기 결과물 상에 드레인전극, 게이트 절연막 및 게이트전극을 형성하는 제4단계;상기 제4단계 후, 탬플릿을 제거하여 1차원 나노와이어 어레이를 노출시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1단계는 절연층 및 드레인영역의 오믹반도체층이 소스영역의 오믹반도체층의 패턴을 형성한 후 적층되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1단계는 소스영역의 오믹반도체층, 절연층 및 드레인 영역의 오믹반도체층의 측벽이 비등방 식각에 의해 수직하게 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 제2단계는 나노와이어 생성용 템플릿이 상기 소스영역의 오믹반도체층, 절연층 및 드레인 영역의 오믹반도체층의 측벽에 수직방향으로 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제2단계는 나노와이어 생성용 템플릿이 알루미늄 박막을 증착한 후 양극산화시켜 형성되고, 상기 알루미늄 박막 내부에는 다수의 나노기공이 일렬로 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제2단계는 상기 알루미늄 박막 증착 후 양극산화 전에 알루미늄 산화 피막의 나노기공들이 일렬로 정렬될 수 있도록 증착될 알루미늄의 폭을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 제2단계는 활성층이 소스 영역의 오믹반도체층과 맞닿게 하기 위해 용매를 사용하여 나노와이어 생성용 템플릿의 하단부의 알루미늄 두께를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 제2단계의 나노와이어 생성용 템플릿은 박막트랜지스터 제조 공정 중에 사용되는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서,상기 제5단계는 상기 나노와이어 생성용 템플릿을 선택적으로 제거하여 나노와이어를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
10 10
청구항 5에 있어서,상기 제5단계는 알루미늄 산화 피막을 선택적으로 용해하여 나노와이어를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 1D 나노와이어 채널을 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.