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소스부재(110), 소스부재 고정부(120) 및 플라즈마 발생부(130)를 구비하고, 상기 소스부재(110)는 플라즈마 발생부(130)로부터 발생한 플라즈마(190)에 의해 소스부재로부터 중성 또는 양전하 또는 음전하를 띠는 나노 입자를 발생하는 스퍼터링 소스부(100);상기 스퍼터링 소스부(100)에 인접하여 장착되고, 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 양전하를 띠도록 스퍼터링된 나노 입자들(111)에 플라즈마 또는 레이저를 조사하는 이온화 장치부(200);상기 스퍼터링 소스부(100) 및 이온화 장치부(200)를 내부에 장착하고, 이온화 입자 배출구(411)를 구비하며, 상기 이온화 장치부(200)로부터 생성된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 상기 이온화 입자 배출구(411)로 배출시키는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber, 410);상기 이온화 입자 배출구(411)에 인접하여 연통되어 장착되고, 집속 입자 배출구(421)를 구비하며, 이온화된 입자들(112)을 이온 집속 렌즈(320)를 통해 집속하고, 상기 집속 입자 배출구(421)를 통해 집속된 입자(113)를 배출시키는 이온 제어 렌즈부(300); 및상기 집속 입자 배출구(421)에 인접하여 위치하고, 집속된 입자들(113)을 끌어 당기는 음극판(520)을 구비하며, 집속된 입자들(113)을 기판(510)에 증착시키는 기판 증착부(500);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 이온 제어 렌즈부(300)는, 스퍼터링 챔버(420) 내부에 장착되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링 챔버(410, 420)의 내부 압력은, 상압 또는 10-3 Torr 의 저진공인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 소스부재(110)는, 초경합금 및 금속 소재 및 폴리머 소재로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 소스부재(110)는, 원통형 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 소스부재 고정부(120)는, 소스부재 고정부(120)로부터 발생하는 열을 제거하도록, 냉각 장치(140)를 더 장착하고 있는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 6 항에 있어서,상기 냉각 장치(140)는, 공냉식 또는 수냉식 냉각 장치인 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 소스부재 고정부(120)는, 플라즈마(190)에 의해 스퍼터링되는 나노 입자(111)의 생성률을 증가시키도록, 자전관(003c#磁電管, magnetron, 150)을 더 장착하고 있는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 이온 제어 렌즈부(300)는,상기 이온화 입자 배출구(411)로부터 배출된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 이온 제어 렌즈부(300) 내부로 끌어당기도록 음극성을 띠고, 이온 제어 렌즈부(300) 내부 쪽으로 구경이 좁아지는 깔때기 형상인 이온 포집부(310);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 이온 집속 렌즈(320)는,양전하를 띤 나노 입자들(112)을 집속시키도록, 정전식 렌즈 또는 자기 렌즈로 구성된 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판 증착부(500)는,기판(510)을 고정하는 고정부재(511)를 구비하고, 상기 기판(510)에 집속된 입자들(113)이 증착되도록 음극을 띠는 음극판(520); 및상기 음극판(520)에 인접하여 위치하고, 음극판(520)의 위치를 변경시키는 스테이지(stage, 530);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 11 항에 있어서,상기 기판 증착부(500)는, 스테이지(530)의 위치를 변경시키는 스테이지 구동부(540) 및 스테이지 제어부(550)를 더 장착하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물 제작 장치
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 나노 구조물 제작 장치를 이용하여 나노 스케일 구조물을 제조하는 방법으로서,(a) 스퍼터링 소스부(100)에 가스를 유입시킨 후 플라즈마 발생부에 고전압을 걸어 플라즈마(190)를 발생하는 과정(S110);(b) 발생된 플라즈마(190)에 의해 소스부재(110)로부터 중성을 띠는 나노 입자들(111)이 스퍼터링 되는 과정(S110);(c) 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 이온화 장치부(200)의 플라즈마 또는 레이저에 의해 이온화 되어 양전하를 띠게 되는 과정(S130);(d) 양전하를 띠게 된 나노 입자들(112)이 이온 제어 렌즈부(300)의 이온 포집부(310)에 의해 끌려 이동하는 과정(S140);(e) 양전하를 띠게 된 나노 입자들(112)이 이온 집속 렌즈(320)를 지나면서 집속되는 과정(S150); 및(f) 집속된 나노 입자들(113)이 기판 증착부(500)의 음극판(520)에 의해 끌려 기판(510)에 증착되는 과정(S160);을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 구조물 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 (a) 과정에서 가스는, 불활성 가스로서, Ar, He 활성 가스로서 O2, CF4 및 H2N2 로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 구조물 제조 방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 박막 증착 장치(600)를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 구조물 제조 장치
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