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제1전극;제1전극과 이격 배치되는 제2전극; 및제1전극과 제2전극 사이에 위치하고, 적외선 형광 화합물을 포함하는 전해질층을 포함하는 전기 형광소자
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제1전극;제1전극과 이격 배치되는 제2전극;제1전극과 제2전극 사이에 위치하는 기준전극; 및제1전극과 제2전극 사이에 위치하고, 적외선 형광 화합물을 포함하는 전해질층을 포함하는 전기 형광소자
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3 |
3
트랜지스터 타입 구조로서,기판;기판에 형성되는 제1전극;기판에 형성되고, 제1전극과 이격 배치되는 제2전극;기판에 형성되고, 제1전극 및 제2전극과 서로 이격 배치되는 제3전극; 및제1전극, 제2전극, 제3전극 사이에 위치하고, 적외선 형광 화합물을 포함하는 전해질층을 포함하는 전기 형광소자
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4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 하나의 적외선 형광 화합물 또는 복수의 적외선 형광 화합물의 혼합물 및 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 적외선 형광 화합물 및 전기활성물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,적외선 형광 화합물은 하기 화학식 1, 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 이종 고리 화합물을 나타내고,R'는 비닐렌, 삼중결합(-C=C-), -CH=CH-알킬, -CH=CH-아릴, 시클로알킬렌, 클로로-알킬-시클로알킬렌, 히드록시-시클로알킬렌, 또는 히드록시-알킬-시클로알킬렌을 나타내며,n 및 m은 각각 독립적으로 0 이상의 정수이다;[화학식 2]상기 화학식 2에서,Rc는 이종 고리 화합물을 나타내고,Rd는 방향족 환을 나타내며,R"는 각각 독립적으로 직접 결합, 비닐렌, 삼중결합(-C=C-), -CH=CH-알킬, -CH=CH-아릴, 시클로알킬렌, 티오펜, 옥사졸, 또는 셀레노펜을 나타내고,n은 1 이상의 정수이다;[화학식 3]상기 화학식 3에서,R20 내지 R22는 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 비닐, 또는 시클로알킬렌을 나타내고,R'''는 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 또는 융합 방향족 고리를 나타내며,n은 0 이상의 정수이다;[화학식 4]상기 화학식 4에서,R23 내지 R26은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 플루오로알킬아릴, 알콕시, 비닐, 또는 시클로알킬렌을 나타내고,R''''는 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 또는 융합 방향족 고리를 나타낸다
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7 |
7
제6항에 있어서,상기 화학식 1에서,Ra 및 Rb는 각각 독립적으로중에서 선택되는 이종 고리 화합물을 나타내고,R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 알킬에스테르, 알킬아릴알킬에스테르, 시클로알킬, 알콕시, 또는 실릴을 나타내며,X 및 Y는 각각 독립적으로 C, S, O, N 중에서 선택되는 원자를 나타내고,점선은 연결부위를 나타내는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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8 |
8
제6항에 있어서,상기 화학식 2에서,Rc는중에서 선택되는 이종 고리 화합물을 나타내고,R8 내지 R17은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 알킬에스테르, 알콕시, 또는 실릴을 나타내며,X 및 Y는 각각 독립적으로 C, S, O, N, Si 중에서 선택되는 원자를 나타내고,점선은 연결부위를 나타내는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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9
제6항에 있어서,상기 화학식 2에서,Rd는 벤조티아디아졸, 아줄렌, 인덴, 벤조퓨란, 중에서 선택되는 방향족 환을 나타내고,R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 알킬, 또는 아릴을 나타내며,X"는 S, Se, O 중에서 선택되는 원자를 나타내고,점선은 연결부위를 나타내는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 박막 형태인 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAPF6, n-Bu4NPF6), 리튬 비스트리플루오로메탄술폰이미데이트(LiTFSI, C2F6LiNO4S2), 테트라부틸암모늄 이오디드(TBAI), 테트라부틸암모늄 퍼클로레이트(TBAP, n-Bu4NClO4), 리튬 퍼클로레이트(LiClO4), 소디움 테트라플루오로보레이트(NaBF4), 리튬 헥사플루오로포스페이트(LiPF6), 리튬 테트라플루오로보레이트(LiBF4), 리튬 트리플루오로메탄술포네이트(LiCF3SO3), 포타슘 헥사시아노페레이트(K4Fe(CN)6), 리튬 비스퍼플루오로에탄술포닐이미드(LiBETI, LiN(SO2C2F5)2) 중에서 선택되는 전해질 염을 포함하는 것을 특징으로 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 벤조퀴논, 페로센, 하이드로벤조퀴논, 나프토퀴논, I2, KI3 중에서 선택되는 전기 활성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 전기 형광소자
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13
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 아세토니트릴, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 테트라하이드로퓨란, 부틸렌 카보네이트, 폴리에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜, 테트라클로로에텐, 스티렌, 알파메틸스티렌, 자일렌 중에서 선택되는 용매를 포함하는 것을 특징으로 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 아크릴로일기, 에폭시기, 비닐기, 메타크릴로일기를 갖는 유기물을 포함하는 것을 특징으로 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전기 형광소자는 전기 형광소자는 ±3 V 이내의 직류 혹은 교류 전압에서 산화-환원 반응에 의해 적외선 신호를 제어하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전해질층은 전해질 염을 용해시킨 액상 전해질, 젤상 전해질, 고상 전해질, 또는 다가 전해질(polyelectrolyte)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전기 형광소자는 2개 이상이 하나의 픽셀을 구성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전기 형광소자는 완전한 형광 꺼짐과 켜짐을 반복하는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,전기 형광소자는 완전한 꺼짐이나 켜짐이 아닌 그 사이의 중간 단계 형광세기를 나타내는 것을 특징으로 하는 전기 형광소자
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