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유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127049
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온 겔로 게이트 제어되는 유기 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 유기 전계 효과 트랜지스터는 기판; 상기 기판 위에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 위에 형성된 유기 반도체층; 상기 유기 반도체층 위에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 형성된 게이트 전극을 포함하고, 상기 절연층은 소정의 이온 액체, 디아크릴레이트계 지지체 및 중합 반응 개시제가 탄소 이중 결합된 화합물로 구성된다. 본 발명에 따른 유기 전계 효과 트랜지스터는 플라스틱 기판에 작은 크기로 패턴화 가능한 이온 겔로 게이트 제어가 가능하고, 전기 방사법을 이용한 반도체층 형성시 노즐의 막힘을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020100010756 (2010.02.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1088056-0000 (2011.11.23)
공개번호/일자 10-2011-0091096 (2011.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20111129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정운룡 대한민국 서울 서대문구
2 이성원 대한민국 충청남도 당진군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0079173-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0204883-25
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0441844-56
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0540691-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0540677-72
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0679109-22
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 위에 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 위에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 절연층은 이온 액체, 디아크릴레이트계 지지체 및 중합 반응 개시제(initiator)가 탄소 이중 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 P3HT인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 P3HT에 PCL이 10 내지 30중량% 포함된 혼합물 층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
4 4
제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide; [EMIM][TFSI]), 폴리(비닐 포스포닉 액시드-코-아크릴릭 액시드)(poly(vinyl phosphonic acid-co-acrylic acid); P(VPA-AA)), 폴리(스티렌 술포닉 액시드(poly(styrene sulfonic acid); PSSH), 폴리 에틸렌 옥사이드(poly ethylene oxide; PEO) 매트릭스 중의 LiClO4, 또는 NaCl, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메탄술폰이미드)(1-butyl-3-methylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonimide) ([bmim][Tf2N]), 고분자 IL 폴리(1-비닐-3-메틸이미다졸륨 비스(트리-플루오로메탄술폰이미드)(폴리[ViEtIm][Tf2N])(polymer IL poly(1-vinyl-3-methylimidazolium bis(tri-fluoromethanesulfonimide) (poly[ViEtIm][Tf2N]), PEO/LiTFSI, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate; [BMIM][PF6]), 및 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 n-옥틸술페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium n-octylsulfate; [EMIM][OctOSO3]) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
5 5
제 4항에 있어서, 상기 디아크릴레이트계 지지체는 폴리(에틸렌글리콜)디아크릴레이트(poly(ethyleneglycol)diacrylate; PEG-DA)인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
6 6
제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중합 반응 개시제는 DMPA 또는 HOMPP인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
7 7
제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 PEDOT:PSS 박막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
8 8
기판 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 제 1단계;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판 위에 유기 반도체층을 형성하는 제 2단계;상기 유기 반도체층 위에 절연층을 형성하는 제 3단계; 및 상기 절연층 위에 게이트 전극을 형성하는 제 4단계를 포함하고,상기 제 3단계는 이온 액체, 디아크릴레이트계 지지체 및 중합 반응 개시제(initiator)의 혼합액을 도포하는 단계와, 상기 도포된 혼합액을 패터닝된 필름 마스크로 패터닝 하는 단계와, 상기 패터닝된 혼합액에 자외선을 조사하는 단계와, 상기 자외선이 조사된 혼합액을 세척제를 이용하여 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 P3HT 또는 P3HT와 PCL의 혼합물로 구성되고, 상기 제 1단계에서 상기 유기 반도체층은 전기 방사법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 이온 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드([EMIM][TFSI])이고, 상기 디아크릴레이트계 지지체는 폴리(에틸렌글리콜)디아크릴레이트(poly(ethyleneglycol) diacrylate; PEG-DA)이고, 상기 중합 반응 개시제는 DMPA 또는 HOMPP인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 이온 액체, 디아크릴레이트계 지지체 및 중합 반응 개시제는 88:8:4의 비율로 혼합되어 도포되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 디아크릴레이트계 지지체는 폴리(에틸렌글리콜)디아크릴레이트(poly(ethyleneglycol)diacrylate; PEG-DA)인 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 게이트 전극은 박막이고, 상기 제 4단계는 PEDOT:PSS 박막을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 1단계에 이어서 상기 기판을 TPM 용액으로 전처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 연세대학교 산학협력단 선도연구센터 이공학분야(SRC/ERC) ERC/1-1세부/패턴집적형 능동폴리머 소재센터