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광송신기용 비선형 왜곡 제거장치 및 제거방법

  • 기술번호 : KST2015127162
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광송신기의 비선형 왜곡신호를 제거하는 장치 및 제거방법에 관한 것으로, 제 1 신호의 진폭을 조정하여 제 2 신호를 생성하기 위한 레이져다이오드; 제 1 신호의 위상을 변환시켜 제 3 신호를 생성하기 위한 위상변환기; 제 3 신호를 입력받아 제 4 신호를 생성하며, 제 2 신호를 입력받아 제 4 신호와 상호이득변조시켜 제 5 신호를 생성하는 반도체 광증폭기;를 구비한다.또한, 본 발명의 실시예에 따른 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치 및 제거방법은, ROSA의 상호이득변조 현상을 이용하여 다수의 무선 RF신호를 동시 변조 전송할 때 발생하는 레이져다이오드의 비선형성분에 의한 3차 IMD신호 및 다른 비선형신호를 제거함으로써, 비선형성에 의한 RoF시스템의 성능 감소영향을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.상호이득변조, 분산피드백 다이오드, 포토 다이오드, 상호변조왜곡
Int. CL H04B 10/58 (2013.01) H04B 10/50 (2013.01) H04B 10/2507 (2013.01) H04B 10/2543 (2013.01)
CPC H04B 10/58(2013.01) H04B 10/58(2013.01) H04B 10/58(2013.01)
출원번호/일자 1020060026295 (2006.03.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0824999-0000 (2008.04.18)
공개번호/일자 10-2007-0095725 (2007.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20080424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상국 대한민국 서울 서초구
2 이상훈 대한민국 강원 동

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서일경 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 **(웅진코웨이주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0201289-91
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0050945-29
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0253096-38
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0079004-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0748271-45
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0138305-12
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0206238-79
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0282845-33
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0354186-75
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0431479-87
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0512646-38
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0587388-99
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0587391-26
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0645207-30
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0044433-55
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0044460-88
18 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0111550-96
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 신호의 진폭을 조정하여 제 2 신호를 생성하기 위한 레이져다이오드;상기 제 1 신호의 위상을 변환시켜 제 3 신호를 생성하기 위한 위상변환기;상기 제 3 신호를 입력받아 제 4 신호를 생성하며, 상기 제 2 신호를 입력받아 상기 제 4 신호와 상호이득변조시켜 제 5 신호를 생성하는 반도체 광증폭기;를 구비하되,상기 위상변환기는, 상기 제 4 신호에 포함되는 비선형 왜곡신호의 위상을 상기 제 2 신호에 포함된 비선형 왜곡신호의 위상과 같도록 조정하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 레이져다이오드는, 입력되는 바이어스 전류량에 따라 신호의 크기가 조절되는 상기 제 2 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 레이져다이오드는, 상기 제 2 신호에 포함된 비선형 왜곡신호의 크기를 상기 제 4 신호에 포함되는 비선형 왜곡신호의 크기와 같도록 하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
4 4
삭제
5 5
제 1 신호의 위상을 변환하여 제 2 신호를 생성하기 위한 위상변환기;상기 제 2 신호의 진폭을 조정하여 제 3 신호를 생성하기 위한 레이져다이오드;상기 제 1 신호를 입력받아 제 4 신호를 생성하며, 상기 제 3 신호를 입력받아 상기 제 4 신호와 상호이득변조시켜 제 5 신호를 생성하는 반도체 광증폭기;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 레이져다이오드는, 입력 바이어스 전류량에 따라 신호의 크기가 조절되는 상기 제 3 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 레이져다이오드는, 상기 제 3 신호에 포함된 비선형 왜곡신호의 크기를 상기 제 4 신호에 포함되는 비선형 왜곡신호의 크기와 같도록 조절하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 위상변환기는,상기 제 3 신호에 포함된 비선형 왜곡신호와 상기 제 4 신호에 포함된 비선형 왜곡신호의 위상과 같도록 조절하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
9 9
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 광증폭기는,반사형 반도체 광증폭기인 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
10 10
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이져다이오드는,분산 피드백 레이져 다이오드인 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
11 11
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,입력단을 더 구비하며,상기 입력단에서 입력된 RF신호를 같은 크기와 위상을 가진 두 개의 상기 제 1 신호로 분기하여 상기 위상변환기, 상기 레이져다이오드, 상기 반도체 광증폭기 중 적어도 하나의 장치에 공급하기 위한 커플러를 구비하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
12 12
제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 광증폭기와 레이져다이오드 사이에 위치하여 신호를 분배하는 신호분배기를 더 구비하며,상기 신호분배기는 상기 레이져다이오드에서 출력된 신호를 상기 반도체 광증폭기로 공급하고, 상기 반도체 광증폭기에서 출력된 신호를 광링크를 통해 외부로 공급하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거장치
13 13
메인신호가 입력되어 분기되는 제 1단계;분기 된 메인신호 간의 크기와 위상이 조정되는 제 2 단계;반도체 광증폭기 내에서 상호이득변조현상이 유도되는 제 3 단계;반도체 광증폭기의 출력신호를 송신하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
14 14
제 13 항에 있어서, 제 1 단계는,반도체 광증폭기, 레이져다이오드, 위상변환기 중 적어도 하나에 메인신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 제 2 단계는,상기 레이져다이오드에 인가되는 바이어스 전류량에 따라 입력된 상기 메인신호의 크기를 조절하여 제 1 광신호로 변환하는 제 1 부단계; 상기 위상변환기에 의해 상기 메인신호의 위상이 변환되어 상기 반도체 광증폭기에 인가되는 제 2 부단계;위상변환기에서 공급된 신호에 따라 반도체 광증폭기 내에서 제 2 광신호를 생성하는 제 3 부단계;상기 레이져다이오드에서 공급된 상기 제 1 광신호가 상기 반도체 광증폭기에 주입되는 제 4 부 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 제 2 단계는,상기 위상변환기에 의해 상기 메인신호의 위상이 변환되어 상기 레이져다이오드에 인가되는 제 1부단계;상기 레이져다이오드의 바이어스 전류량에 의해 상기 위상변환기로부터 공급된 신호의 크기가 조절되어 제 1 광신호로 변환되는 제 2 부단계; 공급된 메인신호에 따라 반도체 광증폭기 내에서 제 2 광신호를 생성하는 제 3 부단계;상기 레이져다이오드에서 공급된 상기 제 1 광신호가 상기 반도체 광증폭기에 주입되는 제 4 부 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
17 17
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 광신호는,메인신호와는 별도의 비선형 왜곡신호를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 광신호의 비선형 왜곡신호들 간의 위상과 크기는 같고 메인신호들 간의 크기는 다르게 하여 상기 반도체 광증폭기 내부로 입력되는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 반도체 광증폭기 내에서 두 광신호의 상호이득변조현상을 유도하여 크기와 위상이 같은 두 비선형 왜곡신호는 제거되고, 크기가 다른 두 메인신호는 제거되지 않고 출력되는 것을 특징으로 하는 광송신기용 비선형 왜곡 제거방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.