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메모리 수리 장치 및 방법, 그리고 그를 이용한 메모리 칩

  • 기술번호 : KST2015127181
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 수리 장치 및 방법, 그리고 그를 이용한 메모리 칩에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 수리 장치는, 셀 어레이 내 고장 셀의 주소 정보를 저장하는 제 1 및 제 2 저장부; 상기 제 1 및 제 2 저장부에 저장된 상기 고장 셀의 주소 정보를 기초로 상기 제 1 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인과 상기 제 2 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인의 중복 여부를 분석하는 리던던시 분석부; 및 상기 제 1 및 제 2 저장부에 상기 고장 셀의 주소 정보를 저장하면서 상기 고장 셀 중 적어도 일부를 포함하는 상기 셀 어레이의 라인을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하고, 상기 리던던시 분석부의 분석 결과를 기초로 상기 셀 어레이 중 상기 스페어 라인으로 대체할 라인을 이차적으로 결정하는 제어부;를 포함할 수 있다.
Int. CL G11C 29/12 (2015.01) G11C 29/04 (2006.01)
CPC G11C 29/4401(2013.01) G11C 29/4401(2013.01) G11C 29/4401(2013.01) G11C 29/4401(2013.01)
출원번호/일자 1020150008525 (2015.01.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1545716-0000 (2015.08.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.19)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 마포구
2 이우성 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0051446-44
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0272771-40
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2015.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.04.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0021605-13
5 등록결정서
Decision to grant
2015.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0525844-99
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번호 청구항
1 1
셀 어레이 내 고장 셀의 주소 정보를 저장하는 제 1 및 제 2 저장부;상기 제 1 및 제 2 저장부에 저장된 상기 고장 셀의 주소 정보를 기초로 상기 제 1 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인과 상기 제 2 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인의 중복 여부를 분석하는 리던던시 분석부; 및상기 제 1 및 제 2 저장부에 상기 고장 셀의 주소 정보를 저장하면서 상기 고장 셀 중 적어도 일부를 포함하는 상기 셀 어레이의 라인을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하고, 상기 리던던시 분석부의 분석 결과를 기초로 상기 셀 어레이 중 상기 스페어 라인으로 대체할 라인을 이차적으로 결정하는 제어부;를 포함하는 메모리 수리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제어부는:상기 고장 셀의 행 주소 및 열 주소가 상기 제 1 저장부에 기 저장된 고장 셀의 행 주소 및 열 주소와 일치하지 않는 경우, 해당 고장 셀의 행 주소 및 열 주소를 상기 제 1 저장부에 저장하는 메모리 수리 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제어부는:상기 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 상기 제 1 저장부에 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 해당 고장 셀의 행 주소 및 열 주소 중 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 및 열 주소와 일치하지 않는 주소를 상기 제 2 저장부에 저장하는 메모리 수리 장치
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제어부는:상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하지 않는 해당 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소를, 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 저장된 상기 제 1 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 대응하는 상기 제 2 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 저장하는 메모리 수리 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제어부는:또 다른 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 상기 해당 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 상기 셀 어레이에서 상기 기 저장된 고장 셀, 상기 해당 고장 셀 및 상기 또 다른 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소 중 서로 일치하는 주소의 행 또는 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하는 메모리 수리 장치
6 6
제 2 항에 있어서,상기 제어부는:상기 제 1 저장부에 상기 고장 셀의 주소 정보를 저장할 저장 공간이 부족한 경우, 해당 메모리를 수리 불가능한 메모리로 결정하는 메모리 수리 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제어부는:상기 제 1 저장부의 각 저장 공간마다 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간을 선택하고, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 대응하는 상기 제 2 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간을 선택하고,상기 리던던시 분석부는:상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간으로부터 행 주소를 불러오고, 상기 제 2 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간으로부터 행 주소를 불러오고, 상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소와 상기 제 2 저장부로부터 불러온 행 주소를 비교하여 일치 여부를 판별하고,상기 제 1 저장부의 선택된 열 주소 저장 공간으로부터 열 주소를 불러오고, 상기 제 2 저장부의 선택된 열 주소 저장 공간으로부터 열 주소를 불러오고, 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소와 상기 제 2 저장부로부터 불러온 열 주소를 비교하여 일치 여부를 판별하는 메모리 수리 장치
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제어부는:상기 제 2 저장부로부터 불러온 행 주소 전부가 상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소 중 적어도 일부와 일치하고, 상기 제 2 저장부로부터 불러온 열 주소 전부가 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소 중 적어도 일부와 일치하는 경우, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 및 열 주소 저장 공간에 각각 저장된 행 주소 및 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 행 및 열로 이차적으로 결정하는 메모리 수리 장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 리던던시 분석부는:상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소와 일치하지 않는 상기 제 2 저장부로부터 불러온 비일치 행 주소 및 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소와 일치하지 않는 상기 제 2 저장부로부터 불러온 비일치 열 주소의 개수를 카운팅하고, 상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소의 개수와 상기 고장 셀의 주소 정보가 저장되지 않은 상기 제 1 저장부의 남은 저장 공간의 개수를 비교하는 비교부를 더 포함하는 메모리 수리 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제어부는:상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소의 개수가 상기 남은 저장 공간의 개수보다 작거나 같은 경우, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 및 열 주소 저장 공간에 각각 저장된 행 주소 및 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열, 그리고 상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 행 및 열로 이차적으로 결정하는 메모리 수리 장치
11 11
메모리 수리 장치가 셀 어레이 내 고장 셀을 포함하는 행 또는 열을 스페어 라인으로 대체하여 메모리를 수리하는 방법에 있어서,상기 고장 셀의 주소 정보를 제 1 및 제 2 저장부에 저장하는 단계;상기 고장 셀 중 적어도 일부를 포함하는 상기 셀 어레이의 라인을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하는 단계;상기 제 1 및 제 2 저장부에 저장된 상기 고장 셀의 주소 정보를 기초로 상기 제 1 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인과 상기 제 2 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인의 중복 여부를 분석하는 단계; 및분석 결과를 기초로 상기 셀 어레이 중 상기 스페어 라인으로 대체할 라인을 이차적으로 결정하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 저장하는 단계는:상기 고장 셀의 행 주소 및 열 주소가 상기 제 1 저장부에 기 저장된 고장 셀의 행 주소 및 열 주소와 일치하지 않는 경우, 해당 고장 셀의 행 주소 및 열 주소를 상기 제 1 저장부에 저장하는 단계; 및상기 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 상기 제 1 저장부에 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 해당 고장 셀의 행 주소 및 열 주소 중 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 및 열 주소와 일치하지 않는 주소를 상기 제 2 저장부에 저장하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제 2 저장부에 저장하는 단계는:상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하지 않는 해당 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소를, 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 저장된 상기 제 1 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 대응하는 상기 제 2 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 저장하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 13 항에 있어서,상기 일차적으로 결정하는 단계는:또 다른 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소가 상기 기 저장된 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 상기 해당 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소와 일치하는 경우, 상기 셀 어레이에서 상기 기 저장된 고장 셀, 상기 해당 고장 셀 및 상기 또 다른 고장 셀의 행 주소 또는 열 주소 중 서로 일치하는 주소의 행 또는 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 저장부에 상기 고장 셀의 주소 정보를 저장할 저장 공간이 부족한 경우, 해당 메모리를 수리 불가능한 메모리로 결정하는 단계를 더 포함하는 메모리 수리 방법
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제 14 항에 있어서,상기 분석하는 단계는:상기 제 1 저장부의 각 저장 공간마다 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간을 선택하고, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간에 대응하는 상기 제 2 저장부의 행 주소 저장 공간 또는 열 주소 저장 공간을 선택하는 단계;상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간으로부터 행 주소를 불러오고, 상기 제 2 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간으로부터 행 주소를 불러오고, 상기 제 1 저장부의 선택된 열 주소 저장 공간으로부터 열 주소를 불러오고, 상기 제 2 저장부의 선택된 열 주소 저장 공간으로부터 열 주소를 불러오는 단계; 및상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소와 상기 제 2 저장부로부터 불러온 행 주소를 비교하여 일치 여부를 판별하고, 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소와 상기 제 2 저장부로부터 불러온 열 주소를 비교하여 일치 여부를 판별하는 단계;를 포함하는 메모리 수리 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 이차적으로 결정하는 단계는:상기 제 2 저장부로부터 불러온 행 주소 전부가 상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소 중 적어도 일부와 일치하고, 상기 제 2 저장부로부터 불러온 열 주소 전부가 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소 중 적어도 일부와 일치하는 경우, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 및 열 주소 저장 공간에 각각 저장된 행 주소 및 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 행 및 열로 이차적으로 결정하는 단계를 포함하는 메모리 수리 방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 분석하는 단계는:상기 제 1 저장부로부터 불러온 행 주소와 일치하지 않는 상기 제 2 저장부로부터 불러온 비일치 행 주소 및 상기 제 1 저장부로부터 불러온 열 주소와 일치하지 않는 상기 제 2 저장부로부터 불러온 비일치 열 주소의 개수를 카운팅하는 단계; 및상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소의 개수와 상기 고장 셀의 주소 정보가 저장되지 않은 상기 제 1 저장부의 남은 저장 공간의 개수를 비교하는 단계;를 더 포함하는 메모리 수리 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 이차적으로 결정하는 단계는:상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소의 개수가 상기 남은 저장 공간의 개수보다 작거나 같은 경우, 상기 제 1 저장부의 선택된 행 주소 저장 공간 및 열 주소 저장 공간에 각각 저장된 행 주소 및 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열, 그리고 상기 비일치 행 주소 및 상기 비일치 열 주소에 대응하는 상기 셀 어레이의 행 및 열을 상기 스페어 라인으로 대체할 행 및 열로 이차적으로 결정하는 단계를 더 포함하는 메모리 수리 방법
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다수의 행 및 열로 구성된 셀 어레이;적어도 하나의 스페어 라인; 및상기 셀 어레이 내 고장 셀을 포함하는 행 또는 열을 상기 스페어 라인으로 대체하여 메모리를 수리하는 수리 장치를 포함하되, 상기 수리 장치는: 셀 어레이 내 고장 셀의 주소 정보를 저장하는 제 1 및 제 2 저장부; 상기 제 1 및 제 2 저장부에 저장된 상기 고장 셀의 주소 정보를 기초로 상기 제 1 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인과 상기 제 2 저장부에 저장된 주소 정보의 고장 셀을 수리하기 위한 스페어 라인의 중복 여부를 분석하는 리던던시 분석부; 및 상기 제 1 및 제 2 저장부에 상기 고장 셀의 주소 정보를 저장하면서 상기 고장 셀 중 적어도 일부를 포함하는 상기 셀 어레이의 라인을 상기 스페어 라인으로 대체할 라인으로 일차적으로 결정하고, 상기 리던던시 분석부의 분석 결과를 기초로 상기 셀 어레이 중 상기 스페어 라인으로 대체할 라인을 이차적으로 결정하는 제어부;를 포함하는 메모리 칩
21 21
컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 메모리 수리 방법을 컴퓨터로 실행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체
22 22
컴퓨터와 결합되어 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 메모리 수리 방법을 실행시키기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견 연구자 지원 사업 초미세폭 3차원 반도체 제조비용 절감을 위한 설계 및 테스트 기술 연구