1 |
1
금속 산화물 전구체; 졸 안정화제; 및 용매;를 포함하며, 상기 금속 산화물 전구체 1몰당 졸 안정화제를 2몰 내지 10몰 포함하고,상기 졸 안정화제가 알코올 아민 화합물 및 산 화합물의 조합을 포함하며,상기 알코올 아민 화합물의 함량이 상기 용매 100 중량부에 대해 0
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체가 아연 화합물, 인듐 화합물, 하프늄 화합물, 갈륨 화합물, 티타늄 화합물, 지르코늄 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체의 함량이 0
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 졸 안정화제가 케톤 화합물을 더 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 알코올 아민 화합물이 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로필아민, N, N-메틸에탄올아민 및 아미노에틸 에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 케톤 화합물이 아세틸아세톤, 아세틸아세톤네이트 및 아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 산 화합물이 아세트산, HF, HI, 염산, 질산 및 황산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
삭제
|
11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 조성물의 pH가 1 내지 10인 산화물 반도체 형성용 조성물
|
12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 점증제를 추가적으로 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
|
13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 점증제의 함량이 상기 용매 100중량부에 대해 0
|
14 |
14
제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 100 s-1의 전단 속도에서 0
|
15 |
15
제 1 항, 제 3 항 내지 제 8 항, 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 잉크를 기판 상에 소정의 패턴으로 인쇄하는 단계를 포함하는 잉크젯 프린팅 공정
|
16 |
16
제 1 항, 제 3 항 내지 제 8 항, 및 제 11 항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 산화물 반도체 형성용 조성물을 사용하여 제조된 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자 소자
|
17 |
17
제 16 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막이 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 분사, 침지, 롤-투-롤(roll-to-roll) 또는 나노 임프린트의 방법으로 형성된 전자 소자
|
18 |
18
제 16항에 있어서, 상기 전자 소자가 박막 트랜지스터, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 전기 영동 표시 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 전자 소자
|