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산화물 반도체 형성용 조성물, 이를 이용한 잉크젯 프린팅 공정 및 상기 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015127192
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물 전구체; 졸 안정화제; 및 용매;를 포함하며, 상기 금속 산화물 전구체 1몰당 졸 안정화제를 2몰 이상 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물은 점도가 증가하여 잉크젯 프린팅이 가능며, 균일한 산화물 반도체 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020100139354 (2010.12.30)
출원인 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1652794-0000 (2016.08.25)
공개번호/일자 10-2012-0077415 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경배 대한민국 서울특별시 강남구
2 류명관 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 이광희 대한민국 경기 수원시 영통구
4 선종백 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 배중현 대한민국 경기도 고양시 일산서구
6 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구
7 이상윤 대한민국 서울특별시 서초구
8 김현재 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0877769-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0263330-18
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069305-34
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0829670-93
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0069940-98
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0069947-17
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0266160-59
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0449585-95
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.05.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0449592-15
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0405806-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화물 전구체; 졸 안정화제; 및 용매;를 포함하며, 상기 금속 산화물 전구체 1몰당 졸 안정화제를 2몰 내지 10몰 포함하고,상기 졸 안정화제가 알코올 아민 화합물 및 산 화합물의 조합을 포함하며,상기 알코올 아민 화합물의 함량이 상기 용매 100 중량부에 대해 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체가 아연 화합물, 인듐 화합물, 하프늄 화합물, 갈륨 화합물, 티타늄 화합물, 지르코늄 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체의 함량이 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 졸 안정화제가 케톤 화합물을 더 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
6 6
제 1 항에 있어서,상기 알코올 아민 화합물이 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로필아민, N, N-메틸에탄올아민 및 아미노에틸 에탄올아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
7 7
제 5 항에 있어서,상기 케톤 화합물이 아세틸아세톤, 아세틸아세톤네이트 및 아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
8 8
제 1 항에 있어서,상기 산 화합물이 아세트산, HF, HI, 염산, 질산 및 황산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 조성물의 pH가 1 내지 10인 산화물 반도체 형성용 조성물
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 점증제를 추가적으로 포함하는 산화물 반도체 형성용 조성물
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 점증제의 함량이 상기 용매 100중량부에 대해 0
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 조성물이 100 s-1의 전단 속도에서 0
15 15
제 1 항, 제 3 항 내지 제 8 항, 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 잉크를 기판 상에 소정의 패턴으로 인쇄하는 단계를 포함하는 잉크젯 프린팅 공정
16 16
제 1 항, 제 3 항 내지 제 8 항, 및 제 11 항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 산화물 반도체 형성용 조성물을 사용하여 제조된 산화물 반도체 박막을 포함하는 전자 소자
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막이 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 분사, 침지, 롤-투-롤(roll-to-roll) 또는 나노 임프린트의 방법으로 형성된 전자 소자
18 18
제 16항에 있어서, 상기 전자 소자가 박막 트랜지스터, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 전기 영동 표시 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.