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다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이; 및상기 다수의 워드 라인 중 홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 제어부;를 포함하고,상기 제어부는:상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀과 상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 1 데이터를 기록하고,상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀과 상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 2 데이터를 기록하며,상기 제 1 데이터와 상기 제 2 데이터는 서로 상이한 비휘발성 메모리 장치
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다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이; 및상기 다수의 워드 라인 중 홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 제어부;를 포함하고,상기 제어부는:상기 메모리 셀 어레이의 블록을 소거한 뒤, 상기 홀수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인으로부터 데이터를 읽어와 상기 홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 수행하며,상기 블록을 소거한 뒤, 상기 짝수 번째 워드 라인에 상기 테스트 패턴 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인으로부터 데이터를 읽어와 상기 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는:다수의 전압 레벨을 이용하여 셀 당 둘 이상의 비트를 저장하는 다중 레벨 셀 방식으로 구동하는 비휘발성 메모리 장치
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 데이터와 상기 제 2 데이터를 기록하기 위해 사용되는 전압 레벨은, 둘 이상의 레벨만큼 차이가 나는 비휘발성 메모리 장치
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6
다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이; 및상기 다수의 워드 라인 중 홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 제어부;를 포함하고,상기 제어부는:상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 1 레벨의 전압에 대응하는 제 1 데이터를 기록하고,상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 제 3 레벨의 전압에 대응하는 제 3 데이터를 기록하고,상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 2 레벨의 전압에 대응하는 제 2 데이터를 기록하고,상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 제 4 레벨의 전압에 대응하는 제 4 데이터를 기록하며,상기 제 1 내지 제 4 데이터는 서로 상이한 비휘발성 메모리 장치
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7
제 6 항에 있어서,상기 제어부는:제 1 테스트 사이클에서 상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 1 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 3 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 2 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 4 데이터를 기록하여 상기 테스트를 수행한 뒤,제 2 테스트 사이클에서 상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 2 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 4 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 1 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 3 데이터를 기록하여 상기 테스트를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
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8
다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이 및 제어부를 포함하는 비휘발성 메모리 장치를 테스트하는 방법에 있어서,홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 단계를 포함하고,상기 테스트를 교대로 수행하는 단계는:상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 제 1 데이터를 기록하고, 홀수 번째 셀에 제 2 데이터를 기록하는 단계; 및상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 1 데이터를 기록하고, 짝수 번째 셀에 제 2 데이터를 기록하는 단계;를 포함하며,상기 제 1 데이터와 상기 제 2 데이터는 서로 상이한 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이 및 제어부를 포함하는 비휘발성 메모리 장치를 테스트하는 방법에 있어서,홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 단계를 포함하고,상기 테스트를 교대로 수행하는 단계는:상기 메모리 셀 어레이의 블록을 소거하는 단계;상기 홀수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계;상기 홀수 번째 워드 라인으로부터 데이터를 읽어오는 단계;상기 블록을 소거하는 단계;상기 짝수 번째 워드 라인에 상기 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계; 및상기 짝수 번째 워드 라인으로부터 데이터를 읽어오는 단계;를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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삭제
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제 8 항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는:다수의 전압 레벨을 이용하여 셀 당 둘 이상의 비트를 저장하는 다중 레벨 셀 방식으로 구동하는 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 데이터와 상기 제 2 데이터를 기록하기 위해 사용되는 전압 레벨은, 둘 이상의 레벨만큼 차이가 나는 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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다수의 워드 라인 및 다수의 비트 라인을 갖는 메모리 셀 어레이 및 제어부를 포함하는 비휘발성 메모리 장치를 테스트하는 방법에 있어서,홀수 번째 워드 라인에 대한 테스트와 짝수 번째 워드 라인에 대한 테스트를 교대로 수행하는 단계를 포함하고,상기 테스트를 교대로 수행하는 단계는:상기 홀수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계; 및상기 짝수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계를 포함하며,상기 홀수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계는:상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 1 레벨의 전압에 대응하는 제 1 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 제 3 레벨의 전압에 대응하는 제 3 데이터를 기록하는 단계를 포함하고,상기 짝수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계는:상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 제 2 레벨의 전압에 대응하는 제 2 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 제 4 레벨의 전압에 대응하는 제 4 데이터를 기록하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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제 13 항에 있어서,상기 홀수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계는:제 1 테스트 사이클에서 상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 1 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 3 데이터를 기록하는 단계; 및제 2 테스트 사이클에서 상기 홀수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 2 데이터를 기록하고, 상기 홀수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 4 데이터를 기록하는 단계를 포함하며,상기 짝수 번째 워드 라인에 테스트 패턴 데이터를 기록하는 단계는:상기 제 1 테스트 사이클에서 상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 2 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 4 데이터를 기록하는 단계; 및상기 제 2 테스트 사이클에서 상기 짝수 번째 워드 라인 내 홀수 번째 셀에 상기 제 1 데이터를 기록하고, 상기 짝수 번째 워드 라인 내 짝수 번째 셀에 상기 제 3 데이터를 기록하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법
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컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서,제 8 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 비휘발성 메모리 장치 테스트 방법을 컴퓨터로 실행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체
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